有通道的举升销制造技术

一种反应器系统可包括：反应室，其由室侧壁封闭；以及基座，其在所述反应室中设置在包括于所述反应室中的反应空间与下室空间之间。所述基座可包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通。举升销可以设置在所述销孔中。所述举升销可包括销主体，所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。

【技术实现步骤摘要】
有通道的举升销
本公开大体上涉及一种半导体处理或反应器系统，并且具体地说涉及一种半导体反应器系统，以及其中包括的部件,所述半导体反应器系统防止材料沉积在例如反应器系统和/或衬底的不合需要的位置处。
技术介绍
可使用反应室将各种材料层沉积到半导体衬底上。半导体可放置在反应室内的基座上。可将衬底和基座两者都加热到所需的衬底温度设定点。在实例衬底处理工艺中，可使一种或多种反应气体越过被加热的衬底，从而致使材料薄膜沉积在衬底表面上。在整个后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和其它工艺期间，将这些层制成为集成电路。反应室通常用单室或双室制造。在双室布置中,两个室可以定向成一个室竖直地出于第二室上方，所述第二室可以例如由基座分开。在包括双室的反应器系统的操作期间，不合需要的污染物可能在衬底的下侧(即，靠近基座的衬底表面)上累积和/或涂覆，和/或材料可能在衬底边缘上累积，这是因为衬底可能在沉积过程期间弯曲。因此，需要用于防止在衬底下侧的沉积以及材料衬底边缘上不希望的累积的设备和方法。
技术实现思路
提供此概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的示例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述并非打算标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也并非打算用于限制所要求保护的主题的范围。在一些实施例中,提供了一种反应器系统。本文公开的反应器系统可允许在基座上安放和/或平坦化衬底，以减少或防止衬底上不需要的材料沉积和/或沉积图案。在各种实施例中，反应器系统可包括由室侧壁封闭的反应室，以及在反应室中设置在包括于反应室中的反应空间与下室空间之间的基座。所述基座可包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通。举升销可以设置在所述销孔中。所述举升销可包括销主体，所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。销通道可沿着销主体的长度设置。在各种实施例中，销通道可以线性地跨越销主体所跨越的轴线并且平行于所述轴线。在各种实施例中，举升销可以设置成使得销主体的销外表面邻近于限定销孔的销孔表面设置。在各种实施例中，销外表面可限定包括部分缺失的几何形状的横截面形状，其中销通道是缺失的部分。在各种实施例中，销主体可以包括具有包括销通道的切口的圆柱形形状，其中销主体进一步包括具有包括销通道的切口的圆形横截面，其中销通道包括销主体的圆形横截面中的薄饼片形通道。在各种实施例中，销通道可设置在销主体内，使得销通道表面形成封闭形状。在各种实施例中，举升销可包括在销主体的顶端处的销头，其中销通道可延伸穿过销头。销头可以至少部分地设置在基座的销孔中。销头可以与基座形成至少部分密封。在各种实施例中，举升销可以包括销主体的顶端，其中举升销和基座可以被配置成相对于彼此移动，使得举升销主体的顶端能够从基座的衬底支撑表面突起。在各种实施例中，反应器系统可进一步包括与下室空间流体连通的真空源，其中真空源可通过举升销的销通道与反应室的反应空间流体连通。在各种实施例中，室侧壁可以靠近基座的基座外侧表面而设置。在各种实施例中，反应器系统可进一步包括空间，所述空间设置在室侧壁与基座外侧表面之间，使得反应室的反应空间和下室空间可通过所述空间流体连通。在各种实施例中，流体流动可限制在室侧壁与基座外侧表面之间。在各种实施例中，一种方法可包括在反应器的反应室中形成反应室的反应空间与反应室的下室空间之间的压差，其中反应空间和下室空间由设置在反应室中的基座分开，其中形成压差使得下室空间压力低于反应空间压力；和/或响应于形成压差而使流体通过设置在基座中并在反应空间与下室空间之间跨越的销孔流动到下室空间。举升销可以设置在所述销孔中。举升销可包括销主体，其中销主体可包括销通道，所述销通道设置在销主体中，使得当举升销设置在销孔中时，反应空间通过销通道与下室空间流体连通。在各种实施例中，衬底可设置在基座的衬底支撑表面上，其中衬底支撑表面面向反应空间，并且其中销孔被设置成穿过衬底支撑表面。所述方法可进一步包括：响应于形成压差并且使流体通过销孔流动到下室空间而在衬底上形成朝向衬底支撑表面的抽吸力；和/或响应于在衬底上形成抽吸力而将衬底平坦地安放在基座支撑表面上。在各种实施例中，形成压差可通过流体地联接到下室空间的真空源来实现。在各种实施例中，销通道可设置在销主体内并且完全由销主体封闭。在各种实施例中，销主体可以包括部分缺失的横截面形状，其中销通道可以是缺失的部分。出于概述本公开以及所实现的优于现有技术的优势的目的，上文中描述了本公开的某些目标和优势。当然，应理解，未必所有此类目标或优势都可以根据本公开的任何特定实施方案来实现。因此，举例来说，本领域的技术人员将认识到，本文公开的实施例可按实现或优化本文中教示或表明的一个优点或一组优点的方式实行，而未必实现本文中可能教示或表明的其它目标或优点。所有这些实施例均意图在本公开的范围内。通过下文参考附图对某些实施例的详细描述，这些及其他实施例对于本领域技术人员将是显而易见的；本公开不限于所讨论的任何特定实施例。附图说明虽然本说明书以特定指出并明确地要求保护被视为本公开实施例的内容的权利要求书结束，但在结合附图阅读时，可以根据本公开的实施例的某些实例的描述更容易地确定本公开的实施例的优点，在附图中：在各图式中具有类似元件编号的元件旨在是相同的。图1是根据各种实施例的示例性反应器系统的示意图；图2A是根据各种实施例的具有设置在下部位置的基座的示例性反应室的示意图；图2B是根据各种实施例的具有设置在升高位置的基座的示例性反应室的示意图；图3示出了根据各种实施例的举升销的透视图，所述举升销包括设置在基座中的通道；图4示出了根据各种实施例的有通道的(channeled)举升销的俯视透视图；图5示出了根据各种实施例的有通道的举升销的底部透视图；图6示出了根据各种实施例的有通道的举升销的正视图；图7示出了根据各种实施例的有通道的举升销的后视图；图8示出了根据各种实施例的有通道的举升销的右侧视图；图9示出了根据各种实施例的有通道的举升销的左侧视图；图10示出了根据各种实施例的有通道的举升销的俯视图；图11示出了根据各种实施例的有通道的举升销的仰视图；并且图12示出了根据各种实施例的用于处理反应器系统中的衬底的方法。具体实施方式尽管下文公开了某些实施例和实例，但本领域的技术人员将理解，本公开延伸超出了本公开具体公开的实施例和/或用途以及其明显的修改和等效物。因此，预期本公开的范围不应受本文中所描述的特定实施例限制。本文中呈现的图示并不打算作为任何特定材料、设备、结构或器件的实际视图，而仅仅是用以描述本公开的实施例的表现。如本文所用，术语“衬底”可指可使用的或上面可形成器件、电路或膜的任何本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应器系统，其包括：/n反应室，其由室侧壁封闭；/n基座，其设置在所述反应室中，其中所述基座设置在包括于所述反应室中的反应空间与下室空间之间，/n其中所述基座包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通；以及/n举升销，其设置在所述销孔中，其中所述举升销包括销主体，其中所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。/n

【技术特征摘要】
20200106 US 62/957,5161.一种反应器系统，其包括：
反应室，其由室侧壁封闭；
基座，其设置在所述反应室中，其中所述基座设置在包括于所述反应室中的反应空间与下室空间之间，
其中所述基座包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通；以及
举升销，其设置在所述销孔中，其中所述举升销包括销主体，其中所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。


2.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述举升销被设置成使得所述销主体的销外表面邻近于限定所述销孔的销孔表面设置。


3.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述销主体包括具有包括所述销通道的切口的圆柱形形状，其中所述销主体进一步包括具有包括所述销通道的所述切口的圆形横截面，其中所述销通道包括所述销主体的所述圆形横截面中的薄饼片形通道。


4.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述销通道设置在所述销主体内，使得所述销通道表面形成封闭形状。


5.根据权利要求1所述的反应器系统，其进一步包括与所述下室空间流体连通的真空源，其中所述真空源通过所述举升销的所述销通道与所述反应室的所述反应空间流体连通。


6.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述举升销包括在所述销主体的顶端处的销头，其中所述销通道延伸穿过所述销头，其中所述销头至少部分地设置在所述基座的所述销孔中，其中所述销头与所述基座形成至少部分密封。


7.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述室侧壁靠近所述基座的基座外侧表面而设置。


8.根据权利要求7所述的反应器系统，其进一步包括空间，所述空间设置在所述室侧壁与所述基座外侧表面之间，使得所述反应室的所述反应空间和所述下室空间通过所述空间流体连通。


9.根据权利要求7所述的反应器系统，其中流体流动被限制在所述室侧壁与所述基座外侧表面之间。


10.根据权利要求1所述的反应器系统，其中所述举升销包括所述销主体的顶端，其中所述举升销和所述基座被配置成相对于彼此移动，使得举升销主体的所述顶端能够从所述基座的衬底支...

【专利技术属性】
技术研发人员：R辛古，D南德瓦纳，TR邓恩，S斯瓦米纳坦，B佐普，CL怀特，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL