一种降低硅片表面划痕的升棒方法技术

技术编号:29144582 阅读:22 留言:0更新日期:2021-07-06 22:38
本发明专利技术公开了一种降低硅片表面划痕的升棒方法,切割完成的硅片,通过切片机纵向进给系统向上运行逐渐将切割完成的硅片抬离至线网上方,整个抬棒过程金刚线线网保持在0.02 M/S‑0.1 M/S速度范围内慢速走线,从切割完毕抬棒起始位置至初始20mm,设置纵向抬棒速度为10 mm/min‑20 mm/min,抬棒20mm至硅片抬离线网设置纵向抬棒速度40‑60mm/min。本发明专利技术保证了抬棒过程中金刚线在慢走线条件下能够完全被切割液润湿,防止抬棒过程中硅片中间的钢线因太干摩擦力增大导致纵向拉痕;走线抬棒使线辊给钢线一个稳定的牵拉离,避免直接抬棒过程中硅片与钢线间单纯的纵向摩擦力对钢线产生牵拉导致断线。避免对品质及成本产生不良影响。

【技术实现步骤摘要】
一种降低硅片表面划痕的升棒方法
本专利技术涉单晶硅片切片
,尤其涉及一种降低硅片表面划痕的升棒方法。
技术介绍
单晶切片使用金刚线切割,当切割完毕后需要将晶棒抬离至线网上部,现有技术直接抬棒直接抬棒操作一方面金刚线上的金刚石颗粒容易在硅片表面产生纵向划痕,其次抬棒过程中产生较大摩擦力极易导致钢线崩断,浪费钢线成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的问题,而提出一种降低硅片表面划痕的升棒方法。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种降低硅片表面划痕的升棒方法,包括以下步骤:步骤一:单晶晶棒通过塑料板及垫条连接板与切片机纵向进给系统连接,切割时晶棒在线网上方,切片机纵向进给系统根据程序设定进给速度向下移动,两个切片机导轮主辊在由设备电机带动转动,从而带动两个切片机导轮主辊之间的金刚线呈正反向走线,在切割液润湿条件下,由金刚线完成从晶棒到硅片的切割过程,整个切割过程完成后,切割形成的硅片全部在金刚线下方。步骤二:切割完成的硅片,通过切片机纵向进给系统向上运行逐渐将切割完成的硅片抬离至线网上方,整个抬棒过程金刚线线网保持在0.02M/S-0.1M/S速度范围内慢速走线,从切割完毕抬棒起始位置至初始20mm,设置纵向抬棒速度为10mm/min-20mm/min,抬棒20mm至硅片抬离线网设置纵向抬棒速度40-60mm/min。本专利技术具备以下优点:1.保证抬棒过程中金刚线在慢走线条件下能够完全被切割液润湿,防止抬棒过程中硅片中间的钢线因太干摩擦力增大导致纵向拉痕。2.走线抬棒使线辊给钢线一个稳定的牵拉离,避免直接抬棒过程中硅片与钢线间单纯的摩擦力对钢线产生牵拉导致断线。3.单向走线抬棒,利于钢线润湿带入硅片内,在抬棒过程中起到润滑作用。4.走线速度控制在0.1M/S以内,线速较慢,使钢线不会因为线速过快而产生类似切割效果避免横向划痕产生。附图说明图1为现有技术中升棒时金刚线的线弓示意图;图2为本专利技术升棒时金刚线的线弓示意图;图中:1、切片机导轮主辊,2、硅片,3、塑料板及垫条连接板,4、切片机纵向进给系统,5、冷却水切割液导流板,6、金刚线,7、升棒方向。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。切割流程:单晶晶棒通过塑料板及垫条连接板3与切片机纵向进给系统4连接,切割时晶棒在线网上方,切片机纵向进给系统4根据程序设定进给速度向下移动,两个切片机导轮主辊1在由设备电机带动转动,从而带动两个切片机导轮主辊1之间的金刚线6呈正反向走线,在切割液润湿条件下,由金刚线6完成从硅锭到硅片2的切割过程,整个切割过程完成后,切割形成的硅片2全部在线网下方。升棒流程:切割完成的硅片2,通过切片机纵向进给系统4向上运行,将硅片2逐渐抬至金刚线6上方的过程称为升棒流程。由于金刚线6需要重复使用,且成本较高一般情况不可以剪线网直接抬棒。升棒起始位置至金刚线6上方20mm处,金刚线6需要经过塑料板及晶棒倒角,塑料板相对较软金刚线6切割过程中容易发生偏移从而形成卡线,故需要慢台速上升,在慢速升棒过程中处理卡线,抬升超过20mm之后钢线在对应的线缝内,不易产生卡线,所以抬棒速度适当加快,考虑钢线与硅片之间摩擦力,上升的台速不超过60mm。(摩擦力过大会导致硅片直接与粘接塑料板胶层脱落形成碎片导致报废)。冷却水切割液导流板5位置对准晶棒与金刚线6交界位置,保证金刚线充分润湿。单向走线抬棒,通过两个切片机导轮主辊1带动金刚线6按一个方向走线,通过验证规定最优线速、台速设置,逐渐将晶棒抬离线网。原则上速度越慢越好,但在有金刚线6的情况下,切片机导轮主辊1受金刚线6张力影响,当速度低于0.02M/S会出现轴承卡顿的情况,反而会导致硅片2表面划痕产生,各种机型设备不同,轴承性能存在差异,设备最低线速(不出现轴承卡顿时的速度)大于0.1M/S,产生抬棒划痕几率会明显增加。图1中,原抬棒工艺,摩擦力较大,导致金刚线6的线弓较大,金刚线6过渡牵拉,且冷却水切割液无法带入内部,易导致纵向划痕。图2中,单向走线抬棒工艺,由线辊转动带动钢线给与一个牵拉力,对抗钢线与硅片之间摩擦力,线弓小,同时易带入冷却水切割液起到润滑作用。以上所述,仅为本专利技术较佳的具体实施方式,但本专利技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内,根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种降低硅片表面划痕的升棒方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一:单晶晶棒通过塑料板及垫条连接板(3)与切片机纵向进给系统(4)连接,切割时晶棒在线网上方,切片机纵向进给系统(4)根据程序设定进给速度向下移动,两个切片机导轮主辊(1)在由设备电机带动转动,从而带动两个切片机导轮主辊(1)之间的金刚线(6)呈正反向走线,在切割液润湿条件下,由金刚线(6)完成从晶棒到硅片(2)的切割过程,整个切割过程完成后,切割形成的硅片(2)全部在金刚线(6)下方;/n步骤二:切割完成的硅片,通过切片机纵向进给系统向上运行逐渐将切割完成的硅片抬离至线网上方,整个抬棒过程金刚线线网保持在0.02 M/S -0.1 M/S速度范围内慢速走线,从切割完毕抬棒起始位置至初始20mm,设置纵向抬棒速度为10 mm/min -20 mm/min,抬棒20mm至硅片抬离线网设置纵向抬棒速度40-60mm/min。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低硅片表面划痕的升棒方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:单晶晶棒通过塑料板及垫条连接板(3)与切片机纵向进给系统(4)连接,切割时晶棒在线网上方,切片机纵向进给系统(4)根据程序设定进给速度向下移动,两个切片机导轮主辊(1)在由设备电机带动转动,从而带动两个切片机导轮主辊(1)之间的金刚线(6)呈正反向走线,在切割液润湿条件下,由金刚线(6)完成从晶棒到硅片(2)的切割过程...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱鑫王艺澄刘传君
申请(专利权)人:江苏美科太阳能科技有限公司包头美科硅能源有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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