本发明专利技术属于电子设计自动化领域，设计一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术。本发明专利技术对二维同构众核暗硅芯片进行芯片热建模，相较于传统的芯片模型，这里主要对芯片局部热模型进行使用。本发明专利技术设计的技术方案可以有效的在众核芯片系统中快速的进行功率管理，提升芯片性能并保证芯片可靠性。并且发明专利技术了一种低计算时间复杂度的选核算法适用于众核芯片系统均匀的开启核心保证芯片的热均匀性。对于功率预算计算过程中，首先分布式对各个开启核心建立了局部热模型，训练了封装瞬态温度的估计模型，然后根据前后开启核心分布匹配最佳封装估计曲线参数，将当前的芯片温度信息输入局部热模型计算出功率预算。最后根据功率模型，匹配核心电压以及频率。本发明专利技术对众核暗硅芯片的实时功率预算技术可以对二维同构众核暗硅芯片进行有效的热管理并且充分提高芯片性能。
【技术实现步骤摘要】
一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术
本专利技术属于电子设计自动化领域，具体涉及一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术的实现与优化，可适用于二维同构多核芯片。
技术介绍
在过去三十年中，芯片的制造工艺跟随着摩尔定律的预测以指数形式高速提升。在芯片技术发展早期，登纳德缩放定律(Dennardscaling)是摩尔定律取得成功的关键。然而，大致从2006年开始，登纳德缩放定律却开始失效，产生了“功率墙”。随着芯片工艺的进步，芯片的功率密度逐渐上升，使得芯片温度过高，芯片可靠性下降。为了杜绝这种情况的出现，不得不对芯片进行降频降压或关闭部分核心，由此形成了暗硅芯片。显而易见的，这种情况的出现极大程度地降低了芯片性能。由于“功率墙”的存在，芯片功率密度也无法无限增长，因此Intel等公司不得不停止提升芯片运行频率，而采用增加芯片核心数量的方法将功率维持在可被接受的范围之内。因此针对众核暗硅芯片的功率热管理技术变得非常重要。在当今的暗硅芯片系统中，现有的功率热管理方法TDP和TSP都是一种静态的方法而且由于为了确保芯片处于安全温度以下，这两种方法都假设芯片开启的核心处于最差的分布情况之下，因此给出的功率是远低于芯片实际能承受的功率的，大大降低了芯片性能。同时这些方法由于计算时间复杂度过大而且是集总式管理方法，无法适用于众核暗硅芯片系统中。总而言之，针对上述问题，提出一种可以对二维同构多核心处理芯片的实时功率预算技术，对当前和未来高功率密度的多核心处理器芯片研究工作都是非常重要的。
技术实现思路
<br>为了解决上述问题，本专利技术提供了一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术。本专利技术提出的技术着眼于实时功率热管理，因此针对众核暗硅芯片系统，采用了局部热模型和分布式功率预算算法来完成功率管理。本专利技术优化的目标是找出均匀分布的开启核心，并各自给出设定安全温度阈值下最高功率预算。这种功率预算技术首先根据输入量需要开启的核心数量，通过一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法输出开启核心分布。之后每个需要开启的核心根据相邻核当前温度信息和相邻开启核心数估计出对应封装稳态温度。然后已知当前开启核心分布与上一管理时刻开启核心分布根据离线训练的查找表找出最拟合的封装瞬态变化曲线。最后每个开启核心根据估计出的封装瞬态温度和相邻核温度传感器信息基于局部热模型计算出功率预算。此时完成了一个分布式热管理周期。本专利技术采用以下技术方案解决上述问题：步骤一，从Hotspot中提取出二维同构多核芯片的热模型，其中包括芯片层，热介质层，散热传导层，散热层。提取出的热模型输出为信息矩阵其中包括G电导信息矩阵、C电容电感信息矩阵、B功率输入矩阵。步骤二，因为众核芯片系统核心数量多，所以使用整体热模型矩阵需要很大计算时间复杂度。我们针对每个核心构建局部热模型其只包括核心自己和周围相邻核心的模型信息。步骤三，由于核心传感器温度信息已知，我们需要估计出封装温度信息。因此，这里采用了线性回归的方法训练一个稳态封装温度估计模型。我们从热仿真中采集各种开核比例下的封装温度信息来做训练。最后将训练的模型参数存入相应核心。另外针对开启核心分布切换的过程中封装温度曲线变化的情况，同理采集各种开核分布切换下的瞬态温度信息来做训练瞬态温度估计模型。然后将离线训练好的两种模型参数存入相应的核心。由于离线训练而且参数很少只占用每个核心的少量存储空间，这种估计模型大大降低了算法的计算时间复杂度可适用于众核芯片系统。步骤四，在训练好封装温度估计模型后，接下来就是在实时功率管理中应用局部热模型计算出功率预算。首先根据输入开启核心数量，应用选核算法给出开启核心分布。然后根据当前开启核心分布，对于每个开启核心采集周围开启核心数量和设定的安全温度阈值估计出稳态封装温度。根据上一步的开启核心分布和当前开启核心分布以及稳态封装温度，在离线训练好的查找表中匹配最优封装瞬态曲线估计出下一管理时刻封装瞬态温度。最后将这些信息输入局部热模型计算出功率预算。与现有技术相比，此专利技术的优点在于：首个对二维同构众核芯片的分布式实时功率预算技术；本专利技术可以有效的对同构众核暗硅芯片进行热管理；针对众核芯片的选核算法可以有效均匀开启核心，保证芯片的热均匀性；基于分布式实时功率预算技术即充分提高芯片性能又保证了芯片工作在安全温度阈值下，提升了芯片可靠性。附图说明下面结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。图1为本专利技术中采用的二维同构众核芯片模型示意图。图2为众核芯片的选核算法流程图。图3为估计封装温度流程图。图4为本专利技术中二维同构众核芯片实时功率管理的一个管理周期流程图。具体实施方式为了更好的阐述本专利技术的技术实施流程，下面将结合本专利技术中的附图，对各个技术部分进行更清晰的阐述。在本专利技术中所描述的实例只为一部分，不是全部适用的实例。基于本专利技术中的实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术中采用的二维同构众核芯片模型示意图。在本专利技术中为了更好展示我们构建的局部热模型，这里将芯片层和热介质层放大展示。如图1所示，这是一个25核二维同构众核芯片，图中核心13的局部模型用红色节点标明，其中包括周围相邻核心和对应的封装节点。将这种芯片模型在Hotspot中画好版图并导出信息矩阵。图2为众核芯片的选核算法流程图。在本专利技术中，采用迭代的方法每次找到一开启核心位置。步骤一先生成一个随机数，然后判断该位置核心是否已经开启，如果是已经开启的话，无需重新生成随机数，只需要将该随机数继续向下扫描直到找到未开启的核心以及其周围相邻开启核心满足一定的限制，则将该核心加入到开启核心分布中，就这样完成了一个迭代，直到完成选核数量对应的开启核心分布则输出。在此算法迭代的过程中，如果出现扫描了整个芯片都无法满足相邻开启核心数限制，则动态的将限制放宽例如选核数目达到一定数量则允许多个相邻开启核心存在。这样就避免了由于限制过于严格导致的算法无法收敛的情况。图3为估计封装温度流程图。该算法的目标是为了估计出下一管理时刻封装的瞬态温度。由于我们只能获取到从芯片核心上的温度传感器信息。所以从这些信息入手，训练一个稳态的封装温度估计模型。该模型函数所用到的输入信息为开启核心比例，管理温度阈值，以及周围开启核心数目。我们通过采集大量的各种开核比例下的封装温度仿真信息，采用线性回归的方式训练该函数。最后得到了稳态的封装温度估计模型。但是为了适用于实时管理中，开启核心分布切换的问题。我们还需要针对切换过程中封装变化曲线进行预估。我们发现封装温度变化曲线和前后开核比例有直接相关性，并且是一种类似功率累积效应曲线。于是，我们采用带两个参数的指数曲线来拟合这个封装变化曲线。同理，从仿真中大量采集各种开核分布切换的封装变化曲线的采样点信息，用线性回归对指数曲线进行拟合。最后得到一张查找表，对应开核分布切换前后稳态封装温度差值来查找比对选取封装变化曲线的参数。之后，我们将稳本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术，其特征在于：基于二维同构多核芯片模型；同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法；基于分布式同构多核功率预算算法；在保证实时低计算时间复杂度管理的同时也优化了芯片性能和热稳定性。/n
【技术特征摘要】
1.一种众核暗硅芯片的实时功率预算技术，其特征在于：基于二维同构多核芯片模型；同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法；基于分布式同构多核功率预算算法；在保证实时低计算时间复杂度管理的同时也优化了芯片性能和热稳定性。
2.根据权利要求1所述的基于二维同构多核芯片模型，其特征在于：所述的基于二维同构多核芯片模型指的是，单层任意数量同构核心和任意数量缓存结构的处理层和热介质层以及封装层的堆叠结构，都可以被称为是二维同构多核芯片模型，而本发明也证实了并不局限于核心数量。
3.根据权利要求1所述的同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法，其特征在于：所述的同时提出一种低计算时间复杂度的同构多核选核算法指的是，根据需要开启核心的数量，在保证芯片热均匀性的情况下，给出一种开启核心分布，其低计算时间复杂度的特性可适用于同构多核芯片。
4.根据权利要求1所述的基于分布式同构多核功率预算算法，其特征在于：所述的基于分布式同构多核功率预算算法指的是，每个...
【专利技术属性】
技术研发人员：王海，何文俊，祖柏杨，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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