一种直流电源正负极防反接电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直流电源正负极防反接电路，包括输入口，所述输入口与两级降压电路和防浪涌电路并联，输入口中INPUTDC+接口与两级降压电路的电阻R1和防浪涌电路的电容C2、电容C3并联接在V_BUS电压上，电阻R1的另一端接与电容C1、稳压二极管D2和电阻R3的并联点相接。本直流电源正负极防反接电路，输入电压正负极接反情况下防反接功率MOS管Q2和Q3没有正常驱动电压而切断输入电源，打开防浪涌电流功率功率MOS管Q1正常供电，解决输入电源正负接反的情况下不会烧坏控制器,重新正确联接正负电源，控制器可以正常使用,其此解决在高电压瞬间上电产生的浪涌电流问题。

【技术实现步骤摘要】
一种直流电源正负极防反接电路
本技术涉及防反接电路
，具体为一种直流电源正负极防反接电路。
技术介绍
有些直流元件，如作为实现不同电压、电流变换的直流变换器，其输入需要限定正负极，以确保直流元件的正常工作及不受损坏。目前常用的直流电源输入防反接装置有：1、二极管，在电源线上接入二极管，可以确保极性正确输入时才能使直流元件得到工作电压。但当输入电流较大是，二极管压降不可忽视，影响整体电路效率。2、电磁继电器加控制线路。在极性正确时电磁继电器将电源导通。这一结构在输入电压恒定时可以兼顾效率和成本，但如果输入电压变化范围较大，需要的控制线路就要变得复杂，导致成本高、自身效率低。3、MOSFET管。极性正确时导通否则不导通，该装置效率较高、控制简单，可以适应较宽输入电压范围。但是，受目前技术限制，MOSFET管压降在大电流时不可忽视，反向耐压有限，价格高，耐过电流能力差。4、熔断丝加二极管。二极管反接时导通使电源短路熔断丝熔断。此装置效率高、成本低，但接反后需更换熔断丝，实际使用不便。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种直流电源正负极防反接电路，具有决输入电源正负接反的情况下不会烧坏控制器,重新正确联接正负电源，控制器可以正常使用,其此解决在高电压瞬间上电产生的浪涌电流的优点，解决了现有技术中的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种直流电源正负极防反接电路，包括输入口，所述输入口与两级降压电路和防浪涌电路并联。优选的，所述输入口中INPUTDC+接口与两级降压电路的电阻R1和防浪涌电路的电容C2、电容C3并联接在V_BUS电压上，电阻R1的另一端接与电容C1、稳压二极管D2和电阻R3的并联点相接，电容C1和稳压二极管D2的另一端串联而二极管D1接在INPUTDC-和功率MOS管Q3源极的并联点上，电阻R3的另一端与稳压二极管D3、电阻R6、电容C5和电阻R8的并联点相接，稳压二极管D3、电阻R6和电容C5的另一端点与电阻R14并联分别接在功率MOS管Q2和Q3的漏极上，电阻R14的另一端分别与功率MOS管Q2和Q3栅极和电阻R8并联。优选的，所述防浪涌电路包括采样电路和降压电路，采样电路中的电容C2和电容C3的另一端与功率MOS管Q1源极和电感L1并联接地，MOS管Q1的栅极与电阻R7和电阻R9并联点相接，电阻R9的另一端与MOS管Q1的漏极、电阻R12和功率MOS管Q2源极的并联共接地，电阻R7的另一端接在三极管Q4的集电极上，三极管Q4和基极和发射极并联电阻R10，且电阻R10和发射极接VCC_12V，电阻R10和基极并联点串联电阻R13接三极管Q5的集电极，三极管Q5基极与电阻R16和电阻R15的并联点相接，电阻R16与三极管Q5的发射极并联接地，电阻R15的另一端接MCUIO1.0端口。优选的，所述降压电路中电阻R4一端串联电阻R2接在V_BUS电压上，电阻R4另一端与电阻R5和电阻R11并联点相接，电阻R5的另一端和电容C4接MCU_ADC的并联点相接，电容C4和电阻R11的另一端共接地。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本直流电源正负极防反接电路，输入口与两级降压电路和防浪涌电路并联，当输入电压正负极接反情况下防反接功率MOS管Q2和Q3没有正常驱动电压而切断输入电源，接入正确后当电解电容电压充到一定电压值，输出防浪涌电流功率MOS管Q1驱动电压，打开防浪涌电流功率功率MOS管Q1正常供电，解决输入电源正负接反的情况下不会烧坏控制器,重新正确联接正负电源，控制器可以正常使用,其此解决在高电压瞬间上电产生的浪涌电流问题。附图说明图1为本技术的电路原理图。图中：1、输入口；2、两级降压电路；3、防浪涌电路；31、采样电路；32、降压电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种直流电源正负极防反接电路，包括输入口1，输入口1与两级降压电路2和防浪涌电路3并联。输入口1中INPUTDC+接口与两级降压电路2的电阻R1和防浪涌电路3的电容C2、电容C3并联接在V_BUS电压上，电阻R1的另一端接与电容C1、稳压二极管D2和电阻R3的并联点相接，电容C1和稳压二极管D2的另一端串联而二极管D1接在INPUTDC-和功率MOS管Q3源极的并联点上，电阻R3的另一端与稳压二极管D3、电阻R6、电容C5和电阻R8的并联点相接，稳压二极管D3、电阻R6和电容C5的另一端点与电阻R14并联分别接在功率MOS管Q2和Q3的漏极上，电阻R14的另一端分别与功率MOS管Q2和Q3栅极和电阻R8并联。防浪涌电路3包括采样电路31和降压电路32，采样电路31中的电容C2和电容C3的另一端与功率MOS管Q1源极和电感L1并联接地，MOS管Q1的栅极与电阻R7和电阻R9并联点相接，电阻R9的另一端与MOS管Q1的漏极、电阻R12和功率MOS管Q2源极的并联共接地，电阻R7的另一端接在三极管Q4的集电极上，三极管Q4和基极和发射极并联电阻R10，且电阻R10和发射极接VCC_12V，电阻R10和基极并联点串联电阻R13接三极管Q5的集电极，三极管Q5基极与电阻R16和电阻R15的并联点相接，电阻R16与三极管Q5的发射极并联接地，电阻R15的另一端接MCUIO1.0端口，另一种防浪涌电流控制线路，在高电压输入情况，控制器输入电解电容会产生很大的突变电流容易损坏控制器功率器件。其电路包括MCU电路，功率器件驱动电路，输入电压检测电路。降压电路32中电阻R4一端串联电阻R2接在V_BUS电压上，电阻R4另一端与电阻R5和电阻R11并联点相接，电阻R5的另一端和电容C4接MCU_ADC的并联点相接，电容C4和电阻R11的另一端共接地，电阻R5、电容C4组成RC滤波电路连接到MCUADC采样脚。当输入电压正负极接反情况下防反接功率MOS管Q2和Q3没有正常的驱动电压而切断输入电源，在输入电压正负极正确连接情况，防反接功率MOS管Q2和Q3能够获取正常的驱动电压而打开输入电源，在上电阶段输入电解电容C2通过输入电阻电感L1缓慢充电，当电解电容电压充到一定电压值，MCU输出防浪涌电路3的功率MOS管Q1驱动电压，打开MOS管Q1正常供电。解决输入电源正负接反的情况下不会烧坏控制器,重新正确联接正负电源，控制器可以正常使用,其此解决在高电压瞬间上电产生的浪涌电流问题。综上所述：本直流电源正负极防反接电路，输入口1与两级降压电路2和防浪涌电路3并联，当输入电压正负极接反情况下防反接功率MOS管Q2和Q3没有正常驱动电压而切断输入电源，接入正确后当电解电容电压充到一定电压值，输出防浪涌电流功率MOS管Q1驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流电源正负极防反接电路，包括输入口（1），其特征在于：所述输入口（1）与两级降压电路（2）和防浪涌电路（3）并联，所述输入口（1）中INPUTDC+接口与两级降压电路（2）的电阻R1和防浪涌电路（3）的电容C2、电容C3并联接在V_BUS电压上，电阻R1的另一端接与电容C1、稳压二极管D2和电阻R3的并联点相接，电容C1和稳压二极管D2的另一端串联而二极管D1接在INPUTDC-和功率MOS管Q3源极的并联点上，电阻R3的另一端与稳压二极管D3、电阻R6、电容C5和电阻R8的并联点相接，稳压二极管D3、电阻R6和电容C5的另一端点与电阻R14并联分别接在功率MOS管Q2和Q3的漏极上，电阻R14的另一端分别与功率MOS管Q2和Q3栅极和电阻R8并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种直流电源正负极防反接电路，包括输入口（1），其特征在于：所述输入口（1）与两级降压电路（2）和防浪涌电路（3）并联，所述输入口（1）中INPUTDC+接口与两级降压电路（2）的电阻R1和防浪涌电路（3）的电容C2、电容C3并联接在V_BUS电压上，电阻R1的另一端接与电容C1、稳压二极管D2和电阻R3的并联点相接，电容C1和稳压二极管D2的另一端串联而二极管D1接在INPUTDC-和功率MOS管Q3源极的并联点上，电阻R3的另一端与稳压二极管D3、电阻R6、电容C5和电阻R8的并联点相接，稳压二极管D3、电阻R6和电容C5的另一端点与电阻R14并联分别接在功率MOS管Q2和Q3的漏极上，电阻R14的另一端分别与功率MOS管Q2和Q3栅极和电阻R8并联。


2.根据权利要求1所述的一种直流电源正负极防反接电路，其特征在于，所述防浪涌电路（3）包括采样电路（31）和降压电路（32），采样电...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭显锋，
申请(专利权)人：浙江泰福泵业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33