半导体分立器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体分立器件封装结构，包括：封装基底，封装基底的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域；半导体芯片，半导体芯片对应设置于芯片放置区域，半导体芯片的上表面设有键合区域；电极管脚，电极管脚的一端对应设置于管脚放置区域；键合线，键合线通过键合区域与半导体芯片相连；塑封外壳，塑封外壳包裹分立器件的外围，封装基底的下表面外露。本实用新型专利技术能够避免使用绝缘片和绝缘粒，从而能够有效简化生产装配过程，以达到降低工艺难度和材料成本的目的，此外，还能够有效降低热阻和热应力，从而能够提高热循环能力，以达到保证功率循环稳定性和延长使用寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】
半导体分立器件封装结构
本技术涉及分立器件
，具体涉及一种半导体分立器件封装结构。
技术介绍
目前现有的大功率分立器件封装普遍采用如下三种绝缘方式，非绝缘结构、外绝缘结构和内绝缘结构，但是这三种绝缘方式均存在较为明显的缺陷和不足。其一非绝缘结构，一般将铜框架背面外露方便散热，但安装散热基板要保证绝缘，普遍的做法是用绝缘片加绝缘粒，贴装在散热器上。但是这种方式中绝缘片和绝缘粒会产生额外材料、管理和生产成本，尤其是这种方式中的绝缘粒在半导体分立器件高温运行时，容易老化变形，最终导致半导体分立器件与散热片松动，散热效果降低，绝缘性能下降，并且在极端情况下还可能会发生绝缘失效的情况。此外，这种方式中的绝缘粒在生产装配时也容易损坏，例如出现破裂或者变形，也会最终导致半导体分立器件散热效果降低，绝缘性能下降。其二外绝缘结构，一般在封装好的非绝缘分立器件背面焊接覆铜陶瓷片来做到绝缘。但是这种方式是在分立器件封装工序完成后再增加一道背面焊接工序，增加了生产成本和材料成本。其三内绝缘结构，一般将覆铜陶瓷片焊接在铜框架背面，跟随铜框架一起塑封在环氧塑封料内部，分立器件背面只有陶瓷片背面镀铜外露用以焊接散热器。但是这种方式增加两道焊接工序，生产控制成本增加。此外，这种方式还增加了工艺难度和材料成本。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本技术的目的在于提出一种半导体分立器件封装结构，能够避免使用绝缘片和绝缘粒，从而能够有效简化生产装配过程，以达到降低工艺难度和材料成本的目的，此外，还能够有效降低热阻和热应力，从而能够提高热循环能力，以达到保证功率循环稳定性和延长使用寿命的目的。为达到上述目的，本技术实施例提出了一种半导体分立器件封装结构，包括：封装基底，所述封装基底的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域；半导体芯片，所述半导体芯片对应设置于所述芯片放置区域，所述半导体芯片的上表面设有键合区域；电极管脚，所述电极管脚的一端对应设置于所述管脚放置区域；键合线，所述键合线通过所述键合区域与所述半导体芯片相连；塑封外壳，所述塑封外壳包裹所述分立器件的外围，所述封装基底的下表面外露。根据本技术实施例提出的半导体分立器件封装结构，通过设置封装基底、半导体芯片、电极管脚、键合线和塑封外壳，其中，封装基底的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域，半导体芯片对应设置于芯片放置区域，电极管脚的一端对应设置于管脚放置区域，键合线通过键合区域与半导体芯片相连，塑封外壳包裹分立器件的外围，封装基底的下表面外露，由此，能够避免使用绝缘片和绝缘粒，从而能够有效简化生产装配过程，以达到降低工艺难度和材料成本的目的，此外，还能够有效降低热阻和热应力，从而能够提高热循环能力，以达到保证功率循环稳定性和延长使用寿命的目的。另外，根据本技术上述实施例提出的半导体分立器件封装结构还可以具有如下附加的技术特征：根据本技术的一个实施例，所述封装基底包括基板层、绝缘层和电路层，其中，所述基板层、所述绝缘层和所述电路层自下而上依次层叠设置。根据本技术的一个实施例，所述封装基底为绝缘金属基板，所述绝缘金属基板包括铜基层、绝缘树脂层和铜镀层，其中，所述铜基层、所述绝缘树脂层和所述铜镀层自下而上依次层叠设置。根据本技术的一个实施例，所述封装基底包括基板层、绝缘层和电路层，其中，所述绝缘层、所述基板层和所述电路层自下而上依次层叠设置。根据本技术的一个实施例，所述封装基底为绝缘金属基板，所述绝缘金属基板包括铝基层、氧化铝层和铜镀层，其中，所述氧化铝层、所述铝基层和所述铜镀层自下而上依次层叠设置。根据本技术的一个实施例，所述封装基底为绝缘金属基板。根据本技术的一个实施例，所述芯片放置区域与所述管脚放置区域内均设有焊锡层，其中，所述半导体芯片通过对应芯片放置区域内的焊锡层与所述封装基底相连，所述电极管脚通过对应管脚放置区域内的焊锡层与所述封装基底相连。根据本技术的一个实施例，所述键合线为铝丝。根据本技术的一个实施例，所述塑封外壳为环氧塑封料构成的壳体。附图说明图1为本技术一个实施例的半导体分立器件封装结构的主视图；图2为本技术另一个实施例的半导体分立器件封装结构的主视图；图3为本技术一个实施例的半导体分立器件封装结构的轴视图；图4为本技术一个实施例的封装基底上表面的芯片放置区域与管脚放置区域的分布示意图；图5为本技术一个实施例的焊锡层的分布示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术一个实施例的半导体分立器件封装结构的主视图。如图1所示，本技术实施例的半导体分立器件封装结构，包括封装基底10、半导体芯片20、电极管脚30、键合线40和塑封外壳50。其中，封装基底10的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域；半导体芯片20对应设置于芯片放置区域；电极管脚30的一端对应设置于管脚放置区域；键合线40通过键合区域与半导体芯片20相连；塑封外壳50包裹分立器件的外围，封装基底10的下表面外露。在本技术的一个实施例中，如图1所示，封装基底10可包括基板层101、绝缘层102和电路层103，其中，基板层101、绝缘层102和电路层103可自下而上依次层叠设置，并且基板层101和绝缘层102的形状大小相同，电路层103与基板层101和绝缘层102的形状相同但大小不同。在本技术的一个具体实施例中，如图1所示，封装基底10可为绝缘金属基板，基板层101可为铜基层，绝缘层102可为绝缘树脂层，电路层103可为铜镀层，其中，绝缘树脂层与铜基层俯视平面的形状大小相同，并且绝缘树脂层层叠设置于铜基层的上表面，铜镀层与绝缘树脂层和铜基层的俯视平面的形状相同但大小不同，铜镀层层叠设置于绝缘树脂层的上表面。通过设置绝缘金属基板，能够具有更好的抗压性能，从而能够提高产品的质量。在本技术的另一个实施例中，如图2所示，封装基底10可包括基板层101、绝缘层102和电路层103，其中，绝缘层102、基板层101和电路层103可自下而上依次层叠设置，并且绝缘层102、基板层101和电路层103的形状大小相同。在本技术的另一个具体实施例中，如图2所示，封装基底10可为绝缘金属基板，基板层101可为铝基层，绝缘层102可为氧化铝层，电路层103可为铜镀层，其中，氧化铝层、铝基层和铜镀层俯视平面的形状大小相同，并且铝基层的上表面可电镀形成厚铜镀层，其下表面可阳极氧化形成致密的氧化铝薄膜，即氧化铝层，并且该氧化铝薄膜，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体分立器件封装结构，其特征在于，包括：/n封装基底，所述封装基底的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域；/n半导体芯片，所述半导体芯片对应设置于所述芯片放置区域，所述半导体芯片的上表面设有键合区域；/n电极管脚，所述电极管脚的一端对应设置于所述管脚放置区域；/n键合线，所述键合线通过所述键合区域与所述半导体芯片相连；/n塑封外壳，所述塑封外壳包裹所述分立器件的外围，所述封装基底的下表面外露。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体分立器件封装结构，其特征在于，包括：
封装基底，所述封装基底的上表面设有芯片放置区域和管脚放置区域；
半导体芯片，所述半导体芯片对应设置于所述芯片放置区域，所述半导体芯片的上表面设有键合区域；
电极管脚，所述电极管脚的一端对应设置于所述管脚放置区域；
键合线，所述键合线通过所述键合区域与所述半导体芯片相连；
塑封外壳，所述塑封外壳包裹所述分立器件的外围，所述封装基底的下表面外露。


2.根据权利要求1所述的半导体分立器件封装结构，其特征在于，所述封装基底包括基板层、绝缘层和电路层，其中，所述基板层、所述绝缘层和所述电路层自下而上依次层叠设置。


3.根据权利要求2所述的半导体分立器件封装结构，其特征在于，所述封装基底为绝缘金属基板，所述绝缘金属基板包括铜基层、绝缘树脂层和铜镀层，其中，所述铜基层、所述绝缘树脂层和所述铜镀层自下而上依次层叠设置。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：张静雯，张敏，周祥，麻长胜，王晓宝，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32