本发明专利技术提供了一种刻蚀液再生装置、刻蚀系统装置和刻蚀方法，所述的刻蚀系统装置包括循环连接的所述刻蚀液再生装置和刻蚀装置，所述的再生装置包括注入有刻蚀液的壳体，所述壳体外接有循环管路，所述循环管路分为独立的回收支路和循环支路接入所述壳体内，所述回收支路上设置有回收器，所述回收器用于回收刻蚀液中金属离子。本发明专利技术中，当刻蚀液中金属离子浓度较高时，启用回收支路上的回收器，对刻蚀液中的金属离子进行回收，使得刻蚀液中的酸液浓度始终保持在工艺控制范围内，不仅提高了刻蚀液的使用寿命，而且提高了关联产品的稳定性，具有结构简单、便于操作、再生效果好和成本低等特点。特点。特点。
【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀液再生装置、刻蚀系统装置和刻蚀方法
[0001]本专利技术属于刻蚀
，涉及刻蚀液再生装置，尤其涉及一种刻蚀液再生装置、刻蚀系统装置和刻蚀方法。
技术介绍
[0002]氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)是一种氧化铟(In2O3)中添加适量的的氧化锡(SnO2)所形成的半导体材料。由于结晶态的氧化铟锡薄膜能同时兼具绝佳的导电性、透光性与低反射特性，近年来被广泛地应用在平板显示器、触碰式面板、太阳能电池或各种光学镀膜领域，成为光电产业中不可或缺的透明电极材料。
[0003]氧化铟锡薄膜一旦结晶便不易进行蚀刻工艺，通常会先在基板上沉积非结晶型态的氧化铟锡薄膜，以适当的刻蚀液刻蚀出预定的电极图形后，再对薄膜进行退火处理。
[0004]无论是在TFT
‑
LCD(薄膜晶体管
‑
液晶显示器)还是在OLED(有机发光半导体)制程中，ITO膜层刻蚀反应机理一般如下：
[0005]In2O3+6H
+
→
2In
3+
+3H2O
[0006]2In
3+
+3H2C2O4→
In2(C2O4)3+6H
+
[0007]随着反应的进行，刻蚀液中铟离子浓度越来越高，刻蚀液的反应速率下降，直接影响到处理基板的稳定性及良率。当药液中铟离子浓度达到一定数值时就必须更换新的刻蚀液，这样就限制了刻蚀液的使用寿命，同时也增加了生产成本。
[0008]目前对于ITO刻蚀液的使用寿命还是基于对使用时间和处理基板枚数的管理为主，有些量产线或配置自动补水系统来调节药液中氢离子的浓度。当到达使用时间或处理基板枚数的管控点时即需要对药液进行全部的更换，这样既增加了生产成本也增加了人员维护成本。
[0009]CN102943179A公开了一种可从废ITO刻蚀液中回收铟的方法，该方法包括如下步骤：a.用无机碱调节废ITO刻蚀液的pH值至1～1.8；b.加入铁粉将废ITO刻蚀液中的三价铁离子还原为亚铁离子；c.向废ITO刻蚀液中加入无机碱调节溶液pH值至2.5～3.5；d.向废ITO刻蚀液中加入三聚磷酸钠沉淀溶液中的铟，过滤；e.将步骤d过滤得到的铟沉淀物置于无机酸中溶解，再用锌置换回收铟。但是其回收过程复杂，未对刻蚀液进行再生使用。
[0010]现有刻蚀液再生装置均存在结构复杂、再生困难和工艺复杂等问题，因为如何在保证刻蚀液再生装置具有结构简单和再生工艺简单的情况下，还能够保证刻蚀液的使用寿命，进行循环再生使用，成为目前迫切需要解决的问题。
技术实现思路
[0011]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种刻蚀液再生装置、刻蚀系统装置和刻蚀方法，通过利用回收器对刻蚀液中的金属离子进行回收，使刻蚀液中金属离子浓度降低，即提高酸液浓度，使得刻蚀液中的酸液浓度始终保持在工艺控制范围内，从而提高了刻蚀液的使用寿命，具有结构简单、便于操作、再生效果好和成本低等特点。
[0012]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0013]第一方面，本专利技术提供给了一种刻蚀液再生装置，所述的再生装置包括注入有刻蚀液的壳体，所述壳体外接有循环管路，所述循环管路分为独立的回收支路和循环支路接入所述壳体内，所述回收支路上设置有回收器，所述回收器用于回收刻蚀液中金属离子。
[0014]本专利技术通过循环支路和回收支路，刻蚀液通过循环支路在壳体内循环流动，保证刻蚀液浓度均一，当刻蚀液中金属离子浓度较高时，即酸液浓度较低，启用回收支路上的回收器，回收器对刻蚀液中的金属离子进行回收，使刻蚀液中的金属离子浓度降低，使得刻蚀液中的酸液浓度始终保持在工艺控制范围内，从而使刻蚀液能够继续使用，有效减少全部排放更换造成的浪费问题，不仅提高了刻蚀液的使用寿命，而且提高了关联产品的稳定性，具有结构简单、便于操作、再生效果好和成本低等特点。
[0015]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述的回收器内填充有回收剂。
[0016]优选地，所述回收剂包括离子树脂和萃取剂。
[0017]需要说明的是，本专利技术对回收剂中离子树脂和萃取剂的组合不做具体要求和特殊限定，本领域技术人员可根据回收金属离子的种类，合理选择离子树脂和萃取剂的组合。
[0018]优选地，所述离子树脂包括叔胺离子交换树脂。
[0019]优选地，所述萃取剂包括2
‑
乙基己基磷酸酯。
[0020]优选地，所述回收剂通过聚乙烯醇包膜材料包覆。
[0021]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述的循环管路的进口端接入所述壳体的底部。
[0022]优选地，所述回收支路和循环支路合并为一路后接入所述壳体内。
[0023]优选地，所述回收支路和循环支路合并为一路后接入所述壳体内液面以上。
[0024]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述回收器的进口端和出口端分别设置有电磁阀。
[0025]优选地，所述循环管路上设置有循环泵。
[0026]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述的壳体内设置有浓度传感器，所述浓度传感器用于检测壳体内刻蚀液中酸液的浓度。
[0027]优选地，所述再生装置还包括与浓度传感器电性连接的控制器，所述控制器还分别独立电性连接所述回收器进口端和出口端的电磁阀，所述控制器用于接收浓度传感器的反馈信号，并反馈控制所述电磁阀的开启。
[0028]第二方面，本专利技术提供了一种包括如第一方面所述的刻蚀液再生装置的刻蚀系统装置，所述的刻蚀系统装置包括循环连接的所述刻蚀液再生装置和刻蚀装置。
[0029]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述的刻蚀装置包括刻蚀槽，所述刻蚀槽内设置有喷淋组件，所述喷淋组件用于喷淋刻蚀基板。
[0030]需要说明的是，本专利技术对喷淋组件的结构不做具体要求和特殊限定，本领域技术人员可根据刻蚀要求合理选择喷淋组件的结构，例如，喷淋组件包括喷淋主管，所述喷淋主管上设置有至少一个喷头。
[0031]优选地，所述壳体外接有排放管路，所述排放管路接入所述的喷淋组件。
[0032]优选地，所述排放管路上沿物料流向依次设置有物料泵和过滤器。
[0033]优选地，所述刻蚀槽底部连接有回流管路，所述回流管路接入所述壳体。
[0034]第三方面，本专利技术提供了一种采用如第二方面所述的刻蚀系统装置的刻蚀方法，所述的刻蚀方法包括：
[0035]刻蚀液再生装置内的刻蚀液进入刻蚀装置对基板进行刻蚀，刻蚀后的刻蚀液回流至刻蚀液再生装置，回收器回收刻蚀液中的金属离子，再生刻蚀液。
[0036]作为本专利技术的一个优选技术方案，所述的刻蚀方法具体包括以下步骤：
[0037](Ⅰ)壳体内的刻蚀液进入排出管路，经过滤器过滤后进入喷淋组件，并对基板进行刻蚀，刻蚀后的刻蚀液经回流管路流回壳体内，壳体内液体经循环支路在壳体内循环流动；
[0038](Ⅱ)浓度传感器检测到壳体内刻蚀液的酸液浓度低于下本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀液再生装置，其特征在于，所述的再生装置包括注入有刻蚀液的壳体，所述壳体外接有循环管路，所述循环管路分为独立的回收支路和循环支路接入所述壳体内，所述回收支路上设置有回收器，所述回收器用于回收刻蚀液中金属离子。2.根据权利要求1所述的再生装置，其特征在于，所述的回收器内填充有回收剂；优选地，所述回收剂包括离子树脂和萃取剂；优选地，所述离子树脂包括叔胺离子交换树脂；优选地，所述萃取剂包括2
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乙基己基磷酸酯；优选地，所述回收剂通过聚乙烯醇包膜材料包覆。3.根据权利要求1或2所述的再生装置，其特征在于，所述的循环管路的进口端接入所述壳体的底部；优选地，所述回收支路和循环支路合并为一路后接入所述壳体内；优选地，所述回收支路和循环支路合并为一路后接入所述壳体内液面以上。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的再生装置，其特征在于，所述回收器的进口端和出口端分别设置有电磁阀；优选地，所述循环管路上设置有循环泵。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的再生装置，其特征在于，所述的壳体内设置有浓度传感器，所述浓度传感器用于检测壳体内刻蚀液中酸液的浓度；优选地，所述再生装置还包括与浓度传感器电性连接的控制器，所述控制器还分别独立电性连接所述回收器进口端和出口端的电磁阀，所述控制器用于接收浓度传感器的反馈信号，并反馈控制所述电磁阀的开启。6.一种包括权利要求1
‑
5任一项所述的刻蚀液再生装置的刻蚀系统装置，其特征在于，所述的刻蚀系统装置包括循环连接的所述刻蚀液再生装置和刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新，张帆，施利君，宋金林，
申请(专利权)人：苏州晶洲装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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