接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置，涉及通信技术领域。该接近检测电路包括：接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。本申请的方案用于解决现有额外设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。

【技术实现步骤摘要】
接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置


[0001]本申请属于通信
，具体涉及一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置。

技术介绍

[0002]随着设计的迭代和变更，以及智能设备小型化的发展，智能设备的接近检测传感器往往受限于空间大小，与设备本体的金属中框天线或FPC天线复用。但由于天线本体一般距离射频PA、PMIC等热源较近，因此，温升环境的变化会影响测量：传感链路上的每个组件都有温度敏感性，温升会影响PCB的走线寄生电容以及传感器焊盘本体电容。环境条件的变化可以改变不同材料(覆盖层、粘合剂、铜层
…
)的性能，如厚度或介电常数，从而引起SX9331测量的电容的变化。而这些易受性可能会累积起来，如果漂移影响与预期的用户影响在同一数量级上，可能会产生不正确的接近报告或释放。
[0003]如此，目前提出了一种在主板端检测通道附近走一条参考通道作为检测通道主板端的环境基准，检测通道与参考通道走伪差分。然而在现有主板严苛的走线环境下，主板端的参考环境和检测环境并不能完全保持一致，针对不同主板端不同位置的单点热源，发生无法进行有效补偿的情况，从而无法得到正确的接近检测结果。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的是提供一种接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置，能够解决现有额外设置参考通道无法保障接近检测准确性的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请的实施例提供了一种接近检测电路，包括：
[0007]接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；
[0008]其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。
[0009]第二方面，本申请的实施例提供了一种电子设备，包括如上所述的接近检测电路。
[0010]第三方面，本申请的实施例提供了一种接近检测处理方法，由如上所述的电子设备执行，包括：
[0011]在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；
[0012]根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
[0013]根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
[0014]第四方面，本申请的实施例提供了一种接近检测处理装置，包括：
[0015]第一确定模块，用于在接近检测传感器启用的情况下，确定电子设备当前的工作状态；
[0016]第二确定模块，用于根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；
[0017]第一处理模块，用于根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。
[0018]第五方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。
[0019]第六方面，本申请实施例还提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。
[0020]第七方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第三方面所述的方法。
[0021]这样，本申请实施例中，在每个检测通道设置第一MOS管和第二MOS管，能够通过第一MOS管控制检测通道的通断，通过第二MOS管控制金属检测端的屏蔽。如此，该实施例的接近检测电路实现了检测通道与参考通道的通道合并与硬件兼容，可充分有效的利用接近检测传感器的检测通道作为系统资源，且能够更为精确地了解检测通道主板端的温升情况，具备更好的温漂补偿与抑制能力，保障接近检测准确性。
附图说明
[0022]图1为本申请实施例的接近检测电路的结构示意图；
[0023]图2为本申请实施例的接近检测处理方法的流程示意图；
[0024]图3为本申请实施例的轮询逻辑示意图；
[0025]图4为本申请实施例的失效通路检测逻辑示意图；
[0026]图5为本申请实施例的方法的应用示意图之一；
[0027]图6为本申请实施例的方法的应用示意图之二；
[0028]图7为本申请实施例的接近检测处理装置的结构示意图；
[0029]图8为本申请实施例的电子设备的结构示意图；
[0030]图9为本申请另一实施例的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0033]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的接近检测电路进行详细地说明。
[0034]本申请实施例的方法应用于用户设备，用户设备(User Equipment，UE)可以指接入终端、用户单元、用户站、移动站、移动台、远方站、远程终端、移动设备、用户终端、终端、无线通信设备、用户代理或用户装置。终端设备还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(Session Initiation Protocol，SIP)电话、无线本地环路(Wireless Local Loop，WLL)站、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备、可穿戴设备。
[0035]如图1所示，本申请实施例的接近检测电路，包括：
[0036]接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；
[0037]其中，每个检测通道包括：第一MOS管109和第二MOS管110，所述第一MOS管109的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管110的源漏极连接在所述检测通道与地之间。
[0038]这里，第一MOS管109又称为主板端MOS管，用于控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接近检测电路，其特征在于，包括：接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。2.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：第一二极管和第二二极管；其中，所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一二极管的负极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的负极连接。3.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述检测通道中的任意两个检测通道之间设置有第三MOS管。4.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：第一电阻、走线、电感、电容、弹片、检测元件、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一电阻的第一端与所述接近检测传感器的端口连接，所述第一电阻的第二端通过所述走线与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端分别连接所述电容的第一端和所述第一MOS管的漏极连接，所述电容的第二端接地，所述第一MOS管的栅极通过所述第二电阻接电源端，所述第一MOS管的源极分别连接所述第二MOS管的漏极、所述弹片的第一端以及所述第三电阻的第一端，所述弹片的第二端与所述检测元件连接，所述第三电阻的第二端接地。5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的接近检测电路。6.一种接近检测处理方法，应用于如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，包括：在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述工作状态包括：第一状态，处于所述第一状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者处于所述第一状态的电子设备的功耗小于或等于第二阈值；第二状态，处于所述第二状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率大于第一阈值。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡雨晨，唐金欢，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：