晶边移除方法技术

公开一种晶边移除方法。晶边薄膜移除工具包括套叠在外马达内的内马达，以及固定至外马达的晶边刷具。晶边刷具可在径向上向外调整，以容许晶圆被插入晶边刷具中且固定至内马达。晶边刷具可在径向上向内调整，以接合晶边刷具的一或多个区域，且使晶边刷具与晶圆的晶边部位接触。一旦接合，一溶液可被分配至晶边刷具的接合区域，且内马达及外马达可旋转，使得晶边刷具靠着晶圆旋转，使得晶圆的晶边薄膜被化学地及机械地移除。学地及机械地移除。学地及机械地移除。

【技术实现步骤摘要】
晶边移除方法


[0001]本公开实施例涉及一种晶边(bevel)移除方法，特别涉及一种从晶圆的晶边部位移除薄膜的方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造期间，可执行化学机械研磨(chemical mechanical polish，CMP)处理，以移除多余的薄膜、涂层材料、及沉积或施加于半导体晶圆之上的其他材料层，并平坦化半导体晶圆。举例来说，沉积在半导体晶圆之上的层的多余材料可接触化学机械研磨系统的研磨垫，且第一研磨垫及晶圆其中一者或两者可旋转，以磨除多余的材料。此磨除处理可借使用化学机械研磨的浆料而协助，上述浆料可包含化学品或研磨料，可协助研磨处理且帮助移除多余的材料。
[0003]在半导体制造期间沉积在基板上方的薄膜，倾向于在后续的搬运(handling)及制造步骤中(例如：化学机械研磨(CMP)处理)，形成晶圆边缘的缺陷。晶圆边缘(wafer edge)薄膜缺陷例如：经沉积的薄膜的裂化(cracking)、剥离(delaminating)、剥落(peeling)、剥脱(flaking)、及其他表面损伤，可能在后续的制造步骤期间，导致潜在的污染及/或深的晶圆刮伤。因此，由于上述晶圆边缘薄膜缺陷，半导体晶片的制程是冒着低晶片生产良率及/或低晶片可靠度的风险。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种晶边移除方法，包括：将一工件放置到一化学机械研磨工具中；在化学机械研磨工具内的同时，将工件放置到一刷具的一沟槽内，且刷具的一第一表面与工件的一晶边部位互接；以及绕着一第一旋转轴旋转刷具或工件至少一者，且将一材料从工件的晶边部位移除，第一旋转轴延伸通过工件。
[0005]本公开实施例提供一种晶边移除方法，包括：将一晶边刷具定位在一晶圆周围，且晶圆的一晶边部位与晶边刷具的一表面互接；使用晶边刷具的表面磨耗晶圆的晶边部位；将一溶液分布至晶圆的晶边部位；以及紧接在磨耗晶边部位及分布溶液之前或之后，在晶圆上执行一化学机械平坦化。
[0006]本公开实施例提供一种半导体装置处理系统，包括：一外马达、一内马达以及一晶边刷具。外马达包括一第一可旋转表面。内马达套叠(nested)在外马达内，内马达包括一第二可旋转表面，与第一可旋转表面同轴地排列，第一可旋转表面可绕着第二可旋转表面旋转。晶边刷具固定至第一可旋转表面，其中晶边刷具包括一沟槽，设置在晶边刷具的一内表面与一外表面之间，且其中晶边刷具在径向上为可调整的。
附图说明
[0007]根据以下的详细说明并配合附图做完整公开。应被强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的
说明。
[0008]图1为根据一些实施例，示出整合在化学机械研磨系统中的晶边移除工具。
[0009]图2A为根据一些实施例，示出晶边薄膜移除工具的立体图。
[0010]图2B示出图2A框起区域内，晶边薄膜移除工具的剖面放大图。
[0011]图3为根据一些实施例，示出晶边薄膜移除工具的立体图，且工件被放置在晶边薄膜移除工具内。
[0012]图4示出图3所示出的晶边薄膜移除工具的爆炸图。
[0013]图5为根据一些实施例，示出图2A框起区域内，晶边薄膜移除工具的剖面放大图中，在晶边移除操作中的清洁溶液的分配。
[0014]图6A至图6C为根据一些实施例，示出晶边刷具的俯视图，包括多个刷具段部且与工件接合。
[0015]图7为根据一些实施例，示出用于从晶圆的晶边部位移除晶边薄膜的处理次序。
[0016]图8A至图8C为根据一些实施例，示出晶边刷具的剖面放大图，包含用于接合具有不同外型的工件的不同轮廓表面。其中，附图标记说明如下：
[0017]100：化学机械研磨系统
[0018]101：工件
[0019]103：装载端
[0020]105：搬运器
[0021]107：清洁站
[0022]109：研磨站
[0023]111：机械手臂
[0024]113a：第一载件
[0025]113b：第二载件
[0026]115：高速率平台
[0027]117：抛光平台
[0028]119：滚轮刷具
[0029]121：清洁浴
[0030]150：晶边薄膜移除工具
[0031]151：内马达
[0032]153：外马达
[0033]155：晶边刷具
[0034]157：喷头
[0035]159：沟槽
[0036]161：前侧分配器
[0037]163：后侧分配器
[0038]165：微通道
[0039]167：吸入歧管通道
[0040]169：第一旋转轴
[0041]200：区域
[0042]301，451，453：方向箭头
[0043]505：清洁流体
[0044]509：方向箭头
[0045]601：第一刷具段部
[0046]602：第二刷具段部
[0047]700：处理次序
[0048]701，703，705，707，709，711，713：步骤
[0049]801：第一晶边外型
[0050]802：第二晶边外型
[0051]803：第三晶边外型
[0052]D1：第一距离
[0053]D2：第二距离
[0054]D3：第三距离
[0055]D4：第四距离
[0056]D5：第五距离
[0057]D6：第六距离
[0058]Din：内直径
[0059]Dout：外直径
[0060]H1：第一高度
[0061]W1：第一宽度
具体实施方式
[0062]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开书不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
[0063]此外，与空间相关用词，例如“在
…
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在图式中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。
[0064]图1根据一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶边移除方法，包括：将一工件放置到一化学机械研磨工具中；在该化学机械研磨工具内的同时，将该工件放置到一刷具的一沟槽内，且该刷具的一第一表面与...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠琪，林政锜，苏品全，王健名，陈科维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：