磁记录介质以及磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。结构的合金。结构的合金。

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质以及磁存储装置


[0001]本专利技术涉及磁记录介质以及磁存储装置。

技术介绍

[0002]近年来，对硬盘驱动器等的磁存储装置的大容量化的需求日益增大。作为满足磁存储装置的大容量化需求的手段,公知有热辅助记录方式、高频辅助记录方式。
[0003]热辅助记录方式是通过安装有激光光源的磁头加热磁记录介质来记录信息的方式。另一方面,高频辅助记录方式是施加自安装有STO(自旋转矩振荡器)的磁头产生的高频磁场来记录信息的方式。
[0004]在热辅助记录方式和高频辅助记录方式中，可以通过热或高频磁场大幅地降低反转磁场，因此，可以将具有高结晶磁各向异性常数Ku的材料(以下称为"高Ku材料")用于构成磁记录介质的磁记录层。因此，可以在维持热稳定性的状态下，将构成磁记录层的磁性粒子微细化，可以达到1Tbit/inch2级的面密度。
[0005]作为高Ku材料,公知有具有L10结构的FePt合金、具有L10结构的CoPt合金、以及具有L11结构的CoPt合金等的有序合金。
[0006]在专利文献1中，作为用于成膜热辅助磁记录介质的软磁性层的溅射靶，公开了一种原子比的组成式由Fe
100-a-b-c-Cu
a-Si
b-M
c
(0.1≦a≦5.0，10.0≦b≦20.0，10.0≦c≦25.0，M为从Nb和B中选择的一种以上的元素)表示，余量由不可避免的杂质构成，抗弯强度为500MPa以上的靶。
[0007](现有技术文献)
[0008](专利文献)
[0009]专利文献1：日本特开2018-188726号公报

技术实现思路

[0010](本专利技术要解决的问题)
[0011]为了提高磁记录介质的SNR和OW(重写)特性，可以考虑使软磁性层为非晶或微晶结构，减小软磁性层的矫顽力。
[0012]这里,使用具有L10结构的合金作为磁记录层的情况下,为了提高合金的有序度,在形成磁记录层的时候,将基板加热至500℃以上的高温。
[0013]但是,形成于基板之上的软磁性层被加热到高温时,软磁性层不能维持非晶或微结晶结构,结晶粒粗大化,软磁性层的矫顽力变大,其结果,存在磁记录介质的SNR和OW特性下降的问题。
[0014]本专利技术的目的在于，提供一种在形成磁记录层时,即使将基板加热到高温,也能够提高SNR和OW特性的磁记录介质。
[0015](用于解决问题的手段)
[0016](1)一种磁记录介质,其在基板上依次具有软磁性基底层、非晶阻挡层、以及磁记
录层，上述软磁性基底层包括Fe、B、Si、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，上述非晶阻挡层包括Si、W、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，上述磁记录层包括具有L10结构的合金。
[0017](2)上述非晶阻挡层的厚度为5nm～30nm的范围内的(1)中记载的磁记录介质。
[0018](3)上述非晶阻挡层包括TaWSi合金的(1)或(2)中记载的磁记录介质。
[0019](4)具有(1)～(3)中任一项记载的磁记录介质的磁存储装置。
[0020](专利技术的效果)
[0021]根据本专利技术,提供一种在形成磁记录层时即使将基板加热至高温也能够提高SNR和OW特性的磁记录介质。
附图说明
[0022]图1是表示本实施方式的磁记录介质的层结构的一个例子的剖视图。
[0023]图2是表示本实施方式的磁存储装置的一个例子的立体图。
[0024]图3是表示图2的磁头的示意图。
具体实施方式
[0025]以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。另外，为了容易理解特征，在以下的说明中使用的附图中为了方便有时将成为特征的部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等不一定相同。
[0026][磁记录介质][0027]图1表示本实施方式的磁记录介质的层结构的一个例子。
[0028]磁记录介质100依次具有基板1、软磁性基底层2、非晶阻挡层3、中间层4以及磁记录层5。
[0029]基板1例如可以使用玻璃基板，考虑到在形成磁记录层5的时候进行加热，优选使用耐热玻璃基板。
[0030]软磁性基底层2包括Fe、B、Si、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素。
[0031]软磁性基底层2中的B的含量在12mol％～16mol％的范围内，优选在13.5mol％～15.5mol％的范围内。软磁性基底层2中的B的含量小于12mol％的情况下，或者、大于16mol％的情况下，在形成磁记录层5时，将基板1加热至高温后，磁记录介质100的SNR以及OW特性降低。
[0032]软磁性基底层2中的Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，优选在5mol％～10mol％的范围内。软磁性基底层2中的Si的含量小于5mol％的情况下，或者，大于15mol％的情况下，在形成磁记录层5时，将基板1加热至高温后，磁记录介质100的SNR以及OW特性降低。
[0033]由于软磁性基底层2包括作为软磁性材料的Fe，因此将软磁性基底层2设定为非晶或者微结晶结构的情况下，磁记录介质100的SNR以及OW特性提高。
[0034]这里，优选微结晶结构中的微结晶的粒径为100nm以下。
[0035]由于软磁性基底层2包括规定量的B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，因此在形成磁记录层5时，即使将基板1加热至高温，软磁性基底层2也能够维持非晶或者微结晶结构，能够抑制结晶粒的粗大化，其结果，软磁性层2的矫顽力变小。此时，构成软磁性基底层2的结晶粒粗大化时，软磁性基底层2的表面平滑性降低，从而构成磁记录层5的具有L10结构的合金的(001)取向性降低，其结果，磁记录介质100的SNR和OW特性降低。
[0036]优选软磁性基底层2中的从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素的含量在3mol％～12mol％的范围内，更优选在5mol％～9mol％的范围内。软磁性基底层2中的从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素的含量为3mol％以上12mol％以下时，在形成磁记录层5时，在将基板1加热至高温的情况下的磁记录介质100的SNR以及OW特性提高。
[0037]优选软磁性基底层2不包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu或者Zn。由此，在形成磁记录层5时，将基板1加热至高温的情况下的磁记录介质100的SNR以及OW特性提高。
[0038]非晶阻挡层3包括Si、W、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素。
[0039]非晶阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁记录介质，其在基板之上依次具有软磁性基底层、非晶阻挡层、以及磁记录层,上述软磁性基底层包括Fe、B、Si、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，上述非晶阻挡层包括Si、W、以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口健洋，福岛隆之，张磊，柴田寿人，徐晨，小柳浩，梅本裕二，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：