当前位置: 首页 > 专利查询>英特尔公司专利>正文

蒸气室和附接装置制造方法及图纸

技术编号:29064406 阅读:16 留言:0更新日期:2021-06-30 09:09
本申请公开了蒸气室和附接装置。本文中所描述的特定实施例提供了一种电子设备,该电子设备可以被配置成包括蒸气室和用于该蒸气室的附接装置。蒸气室可以包括一个或多个柱以及一个或多个芯,其中,这些柱中的至少部分包括纤维编织物。这些芯中的至少一个芯亦可包括纤维编织物。柱可以被钎焊至蒸气室的顶板或底板。蒸气室可以使用蒸气室固定装置而被固定在热量源上方,该蒸气室固定装置可以包括弹簧臂。当蒸气室被固定在热量源上方时,弹簧臂可以弯曲、挠曲、旋转等以吸收一些力。旋转等以吸收一些力。旋转等以吸收一些力。

【技术实现步骤摘要】
蒸气室和附接装置


[0001]本公开总体上涉及计算和/或设备冷却领域,并且更具体地涉及蒸气室和附接装置。

技术介绍

[0002]由于期望设备和系统在具有相对薄的轮廓的同时提高性能并增加功能,电子设备中的新兴趋势正在改变设备的预期性能和形状因子。然而,性能的提高和/或功能的增加导致设备和系统的热挑战的增加。不充足的冷却会导致设备性能的降低、设备寿命的降低以及数据吞吐量的延迟。
附图说明
[0003]为了提供对本公开及本公开的特征和优势的更完整的理解,结合所附附图引用下列描述,其中,相同的附图标记表示相同的部分,其中:
[0004]图1是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室(vapor chamber)和附接装置的系统的简化框图;
[0005]图2A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0006]图2B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0007]图2C是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0008]图2D是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0009]图3A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0010]图3B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0011]图3C是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部视图的简化框图;
[0012]图3D是根据本公开的实施例的蒸气室的局部视图的简化框图;
[0013]图4是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室的系统的局部透视图的简化图;
[0014]图5是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的简化框图视图;
[0015]图6A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;
[0016]图6B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;
[0017]图7A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化图;
[0018]图7B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化图;
[0019]图8A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化图;
[0020]图8B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化图;
[0021]图9是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;
[0022]图10A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;
[0023]图10B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;
[0024]图11A是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图;以及
[0025]图11B是根据本公开的实施例的用于启用蒸气室和附接装置的系统的局部视图的简化框图。
[0026]附图的各图不一定是按比例绘制,因为它们的尺寸可以显著地变化而不背离本公开的范围。
具体实施方式
示例实施例
[0027]以下具体实施方式阐述与启用蒸气室和附接装置有关的设备、方法和系统的示例。例如,为方便起见,参照一个实施例描述诸如(多个)结构、(多个)功能和/或(多个)特性之类的特征;能以所描述的特征中的任何合适的一个或多个特征来实现各实施例。
[0028]在下列描述中,将使用由本领域技术人员通常采用以将他们的工作实质传达给本领域的其他技术人员的术语来描述说明性实现方式的各方面。然而,对本领域技术人员将显而易见的是,仅采用所描述方面中的一些也可实施本文中所公开的实施例。出于解释的目的,阐述了特定的数字、材料和配置,以提供对说明性实现方式的透彻理解。然而,对本领域技术人员将显而易见的是,在没有这些特定细节的情况下也可实施本文中公开的实施例。在其他实例中,省略或简化公知的特征,以免混淆说明性实现方式。
[0029]如本文中所使用的术语“在

上方”、“在

下方”、“在...下”、“在

之间”和“在

上”指的是一个层或组件相对于其他层或组件的相对位置。例如,设置在一个层或组件上方或下方的另一个层或组件可与其他层或组件直接接触或者可具有一个或多个中间层或组件。此外,置于两个层或两个组件之间的一个层或组件可直接接触这两个层或这两个组件,或者可具有一个或多个中间层或组件。相比之下,“直接在”第二层或第二组件“上”的第一层或第一组件与该第二层或第二组件直接接触。类似地,除非另外明确地陈述,否则设置在两个特征之间的一个特征可以与相邻特征直接接触或者可以具有一个或多个中间层。
[0030]本文中公开的实施例的实现方式可以在衬底(诸如,非半导体衬底或半导体衬底)上形成或执行。在一个实现方式中,非半导体衬底可以是二氧化硅、由二氧化硅、氮化硅、氧化钛和其他过渡金属氧化物组成的层间电介质。尽管在此描述了可以形成非半导体衬底的材料的一些示例,但是可以用作可以在其上构建非半导体器件的基础的任何材料都落入本文中公开的实施例的精神和范围内。
[0031]在另一实现方式中,半导体衬底可以是使用体硅或绝缘体上硅子结构形成的晶体
衬底。在其他实现方式中,可以使用可与硅结合或可不与硅结合的替代材料形成半导体衬底,该替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、砷化铟镓、锑化镓或III-V组或IV组材料的其他组合。在其他示例中,衬底可以是柔性衬底,包括2D材料(诸如,石墨烯和二硫化钼)、有机材料(诸如,并五苯)、透明氧化物(诸如,铟镓锌氧化物)、多/非晶(低沉积温度)III-V半导体和锗/硅,并且可以是其他非硅柔性衬底。尽管在此描述了可以形成衬底的材料的一些示例,但是可以用作可以在其上构建半导体器件的基础的任何材料都落入本文公开的实施例的精神和范围内。
[0032]在下列具体实施方式中,参考了形成本文一部分的所附附图,其中,自始至终,同样的附图标记表示同样的部分,并且其中通过说明示出可被实施的实施例。应理解,可利用其他实施例,并且可作出结构或逻辑的改变而不背离本公开的范围。因此,以下具体实施方式不应当被认为是限制意义的。出于本公开的目的,短语“A和/或B”意指(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的,短语“A、B和/或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。在本公开中对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定全部指代同一实施例。短语“例如”、“在示例中”、或“在一些示例中”的出现不一定全部指代同一示例。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸气室,包括:一个或多个柱,其中,所述一个或多个柱中的至少部分包括纤维编织物;以及一个或多个芯。2.如权利要求1所述的蒸气室,其中,所述蒸气室的所述一个或多个芯中的至少一个芯包括所述纤维编织物。3.如权利要求1和2中任一项所述的蒸气室,其中,所述纤维编织物由铜纤维或钛纤维制成。4.如权利要求1-3中任一项所述的蒸气室,其中,所述蒸气室的所述一个或多个柱被钎焊至所述蒸气室的底板。5.如权利要求1-4中任一项所述的蒸气室,其中,所述蒸气室的所述一个或多个柱被钎焊至所述蒸气室的顶板。6.如权利要求1-5中任一项所述的蒸气室,其中,所述蒸气室的所述一个或多个柱中的部分是支撑柱,并且所述支撑柱不包括所述纤维编织物。7.一种设备,包括:一个或多个热量源;以及蒸气室,所述蒸气室处于所述一个或多个热量源上方,其中,所述蒸气室包括纤维编织物。8.如权利要求7所述的设备,其中,所述蒸气室的一个或多个柱包括所述纤维编织物。9.如权利要求7和8中任一项所述的设备,其中,所述蒸气室的一个或多个芯包括所述纤维编织物。10.如权利要求7-9中任一项所述的设备,其中,所述纤维编织物由铜纤维或钛纤维制成。11.如权利要求7-10中任一项所述的设备,其中,所述蒸气室的一个或多个柱包括所述纤维编织物,并且所述柱被钎焊至所述蒸气室的底板。12.如权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1