存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线。在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数。若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，对多个对应行执行过抹除校正。对多个对应行执行过抹除校正。对多个对应行执行过抹除校正。
【技术实现步骤摘要】
过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置
[0001]本专利技术关于一种存储器装置，特别是一种过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置。
技术介绍
[0002]闪存广泛应用于各种电子装置以提供非挥发性的数据存储。闪存包含存储器区块，可供编程、抹除及读取，每个存储器区块可设为抹除状态或编程状态。
[0003]在抹除操作中，通常是以存储器区块为单位，首先被预编程至编程状态以将一存储器区块的所有存储器单元设于已知水平，接着施加抹除脉冲至存储器区块一定时间以除去存储器区块之存储器单元的电荷以将存储器区块设为抹除状态，最后施加过抹除校正至存储器区块以缩小存储器区块中存储器单元的临界值电压的分布。然而闪存于过抹除校正完成前被关闭时，过抹除的存储器单元将保持未校正状态，在电力开启后，由于过抹除的存储器单元会持续抽取背景漏电流，而导致从闪存读取的数据发生错误。例如，对于耦接于同一条位线的512个存储器单元，若位线上有大量被过抹除的存储器单元，而且被过抹除的存储器单元在未被选定时持续抽取漏电流，在位线上累积的电流可能超过存储器单元读取电流，造成从闪存读取的数据发生错误。此外，漏电流可能在编程过程中造成功率损耗及使位线供电过载。
[0004]因此需要提供一种过抹除校正方法及使用该方法的存储器装置，用以在电力开启后执行快速的过抹除校正，从而减少不必要的功耗损失，减少错误的数据读取及提高编程性能。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供一种过抹除校正方法，用于存储器装置中。存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。过抹除校正方法包含在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，对多个对应行执行过抹除校正。
[0006]本专利技术实施例提供另一种过抹除校正方法，存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。过抹除校正方法包含在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中的多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中该组存储器区块包含多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数，若该组存储器区块中的多个对应行的漏电流大于预定水平时，检测组存储器区块中的哪个存储器区块是漏电存储器区块；及对漏电存储器区块的对应行执行过抹除校正。
[0007]本专利技术实施例提供另一种存储器装置，包含多条位线、一组存储器区块及控制器。该组存储器区块耦接于多条位线，包含(i+1)个存储器区块，i为正整数，每个存储器区块包
含多行的存储器单元及多个区块选择开关，多个区块选择开关分别耦接于多行的存储器单元，每行存储器单元耦接于对应位线。控制器耦接于该组存储器区块，及用以在电力开启序列完成后，选择多个区块选择开关以检测组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平。
附图说明
[0008]图1是根据本专利技术实施例的存储器装置的方块图。
[0009]图2显示图1中存储器装置的抹除状态的临界值电压分布曲线。
[0010]图3是图1中存储器装置使用的过抹除校正方法的流程图。
[0011]图4是图1的存储器装置的存储器区块的示意图。
[0012]图5是图1中存储器装置中使用的另一过抹除校正方法的流程图。
[0013]图6是图1中存储器装置中使用的另一过抹除校正方法的流程图。
具体实施方式
[0014]图1是根据本专利技术实施例的存储器装置1的方块图。存储器装置1可以是NOR型闪存。在电力开启后，存储器装置1可判定是否存在一个或多个过抹除的存储器单元，并且在检测到过抹除的存储器单元后执行过抹除校正，从而防止由于过抹除的存储器单元抽取漏电流而导致存储器装置1的数据读取失败的情况。图2显示存储器装置1中的存储器单元的过抹除状态及过抹除校正状态的临界值电压分布曲线20及22，横轴表示临界值电压，纵轴表示存储器单元的数量。在抹除操作之后，阴影区域200的过抹除存储器单元的临界值电压可低于抹除状态的最小期望临界值电压(例如0V)，且电压脉冲可被施加于过抹除存储器单元以使临界值电压回到最小期望临界值电压之上。将过抹除存储器单元的临界值电压带回最小期望临界值电压之上的操作称为过抹除校正程序。
[0015]参考图1，存储器装置1包含多条区块选择线Bsel[0]至Bsel[2i+1]，多条位线BL0[0]至BL(2i+1)[N]，多条全局位线GBLa[0]至GBLa[N]，GBLb[0]至GBLb[N]及多条字线WL0[0]至WL(2i+1)[M]，N和M为正整数。例如，i可以是3，N可以是1023及M可以是127，用于具有8个区块选择线，8192位线和1024字线的存储器装置1。存储器装置1还包含存储器阵列10、控制器12、传感电路14、列解码器16及行解码器18。存储器阵列10耦接于列解码器16及行解码器18。控制器12耦接于列解码器16、行解码器18及传感电路14。传感电路14耦接于行解码器18。
[0016]存储器阵列10包含以行及列布置的存储器区块Blk[0]至Blk[2i+1]。例如，1Mb的存储器装置1可分成每个128KB的8个存储器区块，每个存储器区块可布置为1k行及128列。区块选择线Bsel[0]至Bsel[2i+1]上之控制讯号可分别选择存储器区块Blk[0]至Blk[2i+1]。存储器区块Blk[0]至Blk[2i+1]可组织为搜寻组100a及100b，其中每个搜寻组包含(i+1)个存储器区块，且i为正整数。例如，i可以是3，即每个搜寻组可含有4个存储器区块。存储器区块Blk[0]至Blk[2i+1]可包含区块选择开关SW0[0]至SW(2i+1)[N]。多条位线BL0[0]至BL(2i+1)[N]可分为多个组位线BL0[0]至BL0[N]；..；BLi[0]至BLi[N]；BL(i+1)[0]至BL(i+1)[N]；...；BL(2i+1)[0]至BL(2i+1)[N]。每组位线可用于定址特定存储器区块中的行。例如位线组BLi[0]至BLi[N]可用于定址存储器区块Blk[i]中的行。全局位线GBLa[0]至GBLa
[N]，GBLb[0]至GBLb[N]可经由位线BL0[0]至BL(2i+1)[N]耦接于搜寻组100a及100b中的对应行。例如全局位线GBLa[0]经由位线BL0[0]至BLi[0]耦接于搜寻组100a中的对应行。每个存储器区块的区块选择开关可耦接于定址存储器区块的位线组。举例来说，存储器区块Blk[0]可包含区块选择开关SW0[0]至SW0[N]，分别耦接于位线组BL0[0]至BL0[N]。区块选择开关SW0[0]至SW(2i+1)[N]导通时，对应的存储器区块Blk[0]至Blk[2i+1]可被选择；当区块选择开关SW0[0]至SW(2i+1)[N]不导通时，对应的存储器区块Blk[0]至Bl本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于一对应位线，所述过抹除校正方法包含：在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中多个对应行的漏电流是否大于预定水平，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，对所述多个对应行执行过抹除校正。2.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中所述多个对应行的所述漏电流是否大于所述预定水平包含：同时选择耦接于所述多个对应行的多条位线以检测所述漏电流。3.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中所述组存储器区块包含两个或更多个存储器区块。4.根据权利要求1所述的过抹除校正方法，其中对所述多个对应行执行过抹除校正包含：施加至少一个过抹除校正脉冲至所述多个对应行。5.一种过抹除校正方法，用于存储器装置中，所述存储器装置包含多个存储器区块，每个存储器区块包含多行的存储器单元，每一行存储器单元耦接于对应位线，所述过抹除校正方法包含：在电力开启序列完成后，检测一组存储器区块中的多个对应行的漏电流是否大于预定水平；若所述组存储器区块中的所述多个对应行的所述漏电流大于所述预定水平时，检测所述组存储器区块中的哪个存储器区块是漏电存储器区块，其中所述组存储器区块包含所述多个存储器区块的(i+1)个存储器区块，i为正整数；及对所述漏电存储器区块的对应行执行过抹除校正。6.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中检测所述组存储器区块中的哪个存储器块是所述漏电存储器区块包含：选择位线，所述位线耦接于所述组存储器区块中的存储器区块的一对应行，同时取消选择多条位线，所述多条位线耦接于所述组存储器区块中的剩余存储器区块的多个对应行，以检测所述存储器区块是否为所述漏电存储器区块。7.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，还包含：判断所述漏电存储器区块的所述对应行之后的所述漏电存储器区块的后续行是否具有漏电流。8.根据权利要求7所述的过抹除校正方法，还包含：若所述漏电存储器区块的所述后续行具有所述漏电流，对所述漏电存储器区块的所述后续行执行过抹除校正。9.根据权利要求5所述的过抹除校正方法，其中对...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈致豪，
申请(专利权)人：晶豪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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