发光元件及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件及显示面板，所述发光元件包括磊晶结构以及导光结构。磊晶结构具有相对的第一表面与第二表面且包括有源层。导光结构设置于磊晶结构的第一表面上且包括第一光反射层以及覆盖于所述第一光反射层的上表面的滤波层。第一光反射层完全覆盖第一表面。面。面。

【技术实现步骤摘要】
发光元件及显示面板


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种发光元件及显示面板。

技术介绍

[0002]显示面板色彩的呈现将会直接影响观众的感受，因此显示面板须具有较高的色度规格才能达到较佳的视觉体验。进一步而言，显示面板内的发光元件的出光色纯度对其光学品质会具有相当程度的影响，举例而言，当出光色纯度越高时，可以使得显示面板具有较好的光学品质，因此如何提升发光元件的出光色纯度，以使得显示面板具有较好的光学品质，将是本领域相当重要的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光元件及显示面板，其可以提升发光元件的出光色纯度，以使得显示面板具有较好的光学品质。
[0004]本专利技术的一种发光元件，包括磊晶结构以及导光结构。磊晶结构具有相对的第一表面与第二表面且包括有源层。导光结构设置于磊晶结构的第一表面上且包括依序堆叠的第一光反射层以及覆盖于第一光反射层的上表面的滤波层。第一光反射层完全覆盖第一表面。
[0005]在本专利技术的一实施例中，上述的滤波层局部覆盖第一光反射层的上表面。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的第一光反射层包括被滤波层覆盖的第一区域以及暴露于滤波层外的第二区域，且第一区域的面积占上表面的面积的比例大于或等于20％。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括电性连接于磊晶结构的至少一个电极，至少一个电极与滤波层相邻并且设置于上表面。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的滤波层完全覆盖第一光反射层的上表面。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括第二光反射层，第二光反射层覆盖第二表面上。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的磊晶结构还具有连接第一表面与第二表面的侧表面，且第二光反射层进一步覆盖侧表面。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的第一光反射层延伸超出磊晶结构的侧表面，且第二光反射层连接第一光反射层。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括第一保护层，上述的导光结构位于第一保护层与磊晶结构之间，或者是第一保护层位于第一光反射层与磊晶结构之间。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括第二保护层，第二保护层设置于滤波层的两侧且覆盖第一光反射层。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括电性连接于磊晶结构的多个电极。多个电极设置于磊晶结构的第二表面；或者，多个电极分别设置于磊晶结构的第一表面与第二表面。
[0015]在本专利技术的一实施例中，上述的滤波层的厚度与导光结构的等效折射率呈正相关。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的第一光反射层掺杂有P型材料或N型材料。
[0017]在本专利技术的一实施例中，上述的第一光反射层与滤波层包含铝材料，且第一光反射层的铝含量小于滤波层的铝含量。
[0018]本专利技术的一种显示面板，包括基板以及多个发光元件。多个发光元件排列于基板上。多个发光元件具有不同色光，且与基板电性连接。每一发光元件包括磊晶结构以及导光结构。磊晶结构具有相对的第一表面与第二表面且包括有源层。导光结构设置于磊晶结构的第一表面上且包括第一光反射层以及覆盖于第一光反射层的上表面的滤波层。第一光反射层完全覆盖第一表面。
[0019]在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光元件的滤波层于基板上的正投影面积小于或等于对应的磊晶结构于基板上的正投影面积。
[0020]在本专利技术的一实施例中，上述的多个发光元件的多个第一光反射层彼此相连。
[0021]在本专利技术的一实施例中，上述的保护层位于多个第一光反射层与多个发光元件的磊晶结构之间。
[0022]在本专利技术的一实施例中，上述的相邻的任二滤波层之间保有间隙，且多个第一光反射层于间隙的位置暴露于外。
[0023]在本专利技术的一实施例中，上述的多个发光元件分别具有第一色光、第二色光以及第三色光。每一发光元件的折射率匹配层包括供第一色光通过的第一滤波层、供第二色光通过的第二滤波层以及供第三色光通过的第三滤波层，第一滤波层、第二滤波层以及第三滤波层依序堆叠于第一光反射层上。
[0024]在本专利技术的一实施例中，上述的磊晶结构还具有连接第一表面与第二表面的侧表面。每一发光元件还包括第二光反射层，第二光反射层覆盖第二表面与侧表面。
[0025]基于上述，本专利技术的发光元件通过第一光反射层与滤波层的搭配，可控制仅令特定波长的光可以从导光结构透射出去，如此一来，可以让出光的波长(颜色)被控制在小范围内，提升发光元件的出光色纯度，以使得包括该些发光元件的显示面板具有较好的光学品质。
[0026]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0027]图1至图12示出本专利技术一些实施例的发光元件的部分剖面示意图；
[0028]图13A、图14A、图15A与图16A示出本专利技术一些实施例的显示面板的部分剖面示意图；
[0029]图13B、图14B、图15B与图16B分别为图13A的区域A、图14A的区域B、图15A的区域C与图16A的区域D的部分放大示意图。
具体实施方式
[0030]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只
要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0031]以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求及附图，任何本领域技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本专利技术的观点，但非以任何观点限制本专利技术的范畴。
[0032]图1至图12示出本专利技术一些实施例的发光元件的部分剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，发光元件100包括磊晶结构110以及导光结构120，其中磊晶结构110具有相对的第一表面110a与第二表面110b，而导光结构120设置于磊晶结构110的第一表面110a上。进一步而言，磊晶结构110可以包括依序堆叠的第一型半导体层112、有源层114以及第二型半导体层116，而导光结构120包括第一光反射层122以及滤波层124。
[0033]在一些实施例中，磊晶结构110的第一型半导体层112例如是P型半导体层，如P
‑
GaN，有源层114例如是多层量子井结构(Multiple Quantum Well,MQW)，而第二型半导体层116例如是N型半导体层，如N
‑
GaN，但本专利技术不限于此，可以视实际设计上的需求进行调整。
[0034]在本实施例中，导光结构120的第一光反射层122完全覆盖第一表面110a，滤波层124覆盖第一光反射层122的上表面122a，因此，通过前述第一光反射层122与滤波层124的搭配，第一光反射层122可以形成禁制带(Forbidden b本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：磊晶结构，具有相对的第一表面与第二表面，其中所述磊晶结构包括有源层；以及导光结构，设置于所述磊晶结构的所述第一表面上，其中所述导光结构包括第一光反射层以及覆盖于所述第一光反射层的上表面的滤波层，且所述第一光反射层完全覆盖所述第一表面。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述滤波层局部覆盖所述第一光反射层的所述上表面。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第一光反射层包括被所述滤波层覆盖的第一区域以及暴露于所述滤波层外的第二区域，且所述第一区域的面积占所述上表面的面积的比例大于或等于20％。4.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括电性连接于所述磊晶结构的至少一个电极，所述至少一个电极与所述滤波层相邻并且设置于所述上表面。5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述滤波层完全覆盖所述第一光反射层的所述上表面。6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括第二光反射层，覆盖所述第二表面上。7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，所述磊晶结构还具有连接所述第一表面与所述第二表面的侧表面，且所述第二光反射层进一步覆盖所述侧表面。8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述第一光反射层延伸超出所述磊晶结构的所述侧表面，且所述第二光反射层连接所述第一光反射层。9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括第一保护层，其中所述导光结构位于所述第一保护层与所述磊晶结构之间，或者是所述第一保护层位于所述第一光反射层与所述磊晶结构之间。10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，还包括第二保护层，设置于所述滤波层的两侧且覆盖所述第一光反射层。11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括电性连接于所述磊晶结构的多个电极，其中所述多个电极设置于所述磊晶结构的所述第二表面，或所述多个电极分别设置于所述磊晶结构的所述第一表面与所述第二表面。12.根据权利要求1所述的发光元件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允立，林子旸，曾彦钧，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：