一种基于可编程电路的芯片防伪方法技术

本发明专利技术提供一种基于可编程电路的芯片防伪方法：根据排布需求，通过大电流将芯片ROM中的一些电路单元熔断，得到复数个熔断块；结合排布需求对熔断块进行排布；在使用芯片前，将保密内容烧写入经排布且编码后的熔断块中并构造不同的结构特征，使得熔断块具有各不相同的不可逆的可视的防伪特征，其能够通过光学仪器观察；通过电子和/或光学读取方式对防伪特征进行识别校验。优点是：通过对电路单元改变实现保密数据仅能写入一次无法重复烧写，使得保密数据具有不可更改的特性，能够实现编号的唯一性。并且写入的密钥也有保密算法支持以防止密钥被破解。解决现有技术中当数据不稳定导致防伪能力失效，导致防伪芯片失效无法起到防伪作用的问题。伪作用的问题。伪作用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可编程电路的芯片防伪方法


[0001]本专利技术涉及防伪
，尤其涉及一种基于可编程电路的芯片防伪方法。

技术介绍

[0002]纪念币、证照、印章、运钞等产品需要采用专门的防伪技术来保证产品安全。现有技术中多采用专用防伪芯片来实现这以上目的，现有防伪芯片具备高可控(能够抵抗日常生活中变形、潮湿、静电等环境因素)、长寿命(芯片寿命应大于受保护产品使用期限，正常环境下设计使用寿命大于50年，宜达到100年)、高安全(应能抵御已知攻击方式，或攻击成本远大于受保护产品价值)的特点。
[0003]为了实现通过防伪芯片实现对产品保护，需要先将UID及校验码烧写入芯片的存储介质中，此环节直接关乎到防伪芯片是否能够有效实现防伪的目的。现有技术中是将UID及校验码等内容编码烧写入RAM等可反复读写的存储器中，以实现对RAM内存储的灵活控制，但该技术易导致不安全的因素。因为在后续的普通读写和受到攻击的过程中，RAM无法保证UID及校验码等内容一直稳定不被造假者篡改，而一旦数据不稳定则会导致防伪能力失效。
[0004]所以如何能够提供一种无法被篡改且稳定的芯片防伪方法称为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种基于可编程电路的芯片防伪方法，用以解决现有技术中，由于保密数据烧写在RAM中，导致在普通读写保密数据和保密数据受到攻击的过程中，RAM无法保证UID及校验码等内容一直稳定不被造假者篡改，当数据不稳定导致防伪能力失效，最终导致防伪芯片失效无法起到防伪作用的问题。
>[0006]为了实现上述目的，本专利技术技术方案提供了一种基于可编程电路的芯片防伪方法，包括：根据排布需求，通过指令使得大电流将芯片ROM中的电路单元熔断，得到复数个体积相同或不同的熔断块；结合所述排布需求，对所述熔断块进行排布；在使用芯片前，基于可编程电路将保密内容烧写入经排布且编码后的所述熔断块中，在所述熔断块上构造不同的结构特征，使得所述复数个熔断块具有各不相同的不可逆的可视的防伪特征；通过电子和/或光学读取方式对所述防伪特征进行识别校验。
[0007]作为上述技术方案的优选，较佳的，采用大电流熔断金属/多晶硅的手段将所述ROM中电路单元中的金属/硅化物熔断，使得当前电路单元开路；
[0008]具体的，在大电流电迁移的作用下，金属原子受到运动的导电电子作用沿晶粒从阴极向阳极迁移，阴极的原子减少形成空洞。
[0009]作为上述技术方案的优选，较佳的，所述排布需求包括：排布顺序、排布形态，根据所述排布形态和所述排布顺序将所述复数个熔断块依次在ROM表面进行二维排布。
[0010]作为上述技术方案的优选，较佳的，保密内容包括：烧写顺序、UID信息、校验码信息。
[0011]作为上述技术方案的优选，较佳的，根据所述烧写顺序对所述经保密排布的熔断块进行编码。
[0012]作为上述技术方案的优选，较佳的，根据编码顺序将所述UID信息和所述校验码信息分别烧写入不同的所述熔断块中，使得各所述熔断块表面具有不同的图案和镂空。
[0013]作为上述技术方案的优选，较佳的，通过RFID或NFC进行防伪校验；通过光学读取方式识别电路单元后检测防伪芯片一致性，通过图像识别获取防伪信息。
[0014]本专利技术技术方案提供了一种基于可编程电路的芯片防伪方法，包括：根据排布需求，通过大电流将芯片ROM中的一些电路单元熔断，得到复数个熔断块；结合排布需求，对熔断块进行排布；使用芯片前，将保密内容烧写入经排布且编码后的熔断块中，在熔断块上构造不同的结构特征，使得复数个熔断块具有各不相同的不可逆的可视的防伪特征；通过电子和/或光学读取方式对防伪特征进行识别校验。
[0015]本专利技术的优点是：通过对电路单元改变和实现保密数据仅能写入一次，无法重复烧写使得保密数据具有不可更改的特性，能够实现编号的唯一性。并且写入的密钥也有保密算法支持以防止密钥被破解。解决了现有技术中当数据不稳定导致防伪能力失效，最终导致防伪芯片失效无法起到防伪作用的问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术提供的一种基于可编程电路的芯片防伪方法的流程示意图。
[0018]图2为本专利技术中熔断块在ROM表面呈线性排布的结构示意图。
[0019]图3为本专利技术中熔断块在ROM表面呈非线性的排布的结构示意图。
[0020]图4为本专利技术中一个完整的电路单元的示意图。
[0021]图5为本专利技术一具体实施例的流程图。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]本专利技术技术方案是利用大电流熔断电路单元中的金属/多晶硅，在芯片的ROM中烧写唯一UID及校验码等内容，通过金属/多晶硅的大电流迁移的熔断方式形成独特的熔断后的图案，将存储的数据信号作为电子防伪的唯一标识码，将熔断图案用作防伪图案，从而实现防伪的目的。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的流程示意图：
[0025]步骤101、根据排布需求，通过大电流将芯片ROM中的一些电路单元熔断。
[0026]具体的，根据排布需求得到各熔断块的体积信息以及指令信息后，采用大电流熔
断金属/多晶硅的手段将所述ROM中电路单元中的金属/硅化物熔断(可以是单体金属/硅化物，也可以是相邻的多个金属/硅化物)，使得当前电路单元开路(此当前电路单元为单体金属/硅化物或者相邻多个金属/硅化物)，得到复数个熔断块(各熔断块体积相同或不同)。具体的，在大电流电迁移的作用下，金属原子受到运动的导电电子作用沿晶粒从阴极向阳极迁移，阴极的原子减少形成空洞。
[0027]其中，指令信息具体可以为：设定当指令为1或高电平时此电路单元被熔断，当指令为0或低电平时此电路单元保持原状。
[0028]步骤102、根据排布需求，对所述熔断块进行排布。
[0029]排布需求包括：排布顺序、排布形态，根据排布形态和排布顺序将所述复数个熔断块依次在ROM表面进行二维排布。排布形态包括线性排布和非线性排布如图2所示，具体非线性排布的形态如图3所示。
[0030]步骤103、将保密内容烧写入经排布且编码后的熔断块中。
[0031]具体的，芯片使用方根据保密内容中提供的烧写顺序、UID信息、校验码信息对各熔断块进行烧写作业。
[0032]首先，根据烧写顺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于可编程电路的芯片防伪方法，其特征在于，所述方法包括：根据排布需求，通过指令使得大电流将芯片ROM中的电路单元熔断，得到复数个体积不同的熔断块；结合所述排布需求，对所述熔断块进行排布；在使用芯片前，基于可编程电路将保密内容烧写入经排布且编码后的所述熔断块中，在所述熔断块上构造不同的结构特征，使得所述复数个熔断块具有各不相同的不可逆的可视的防伪特征；通过电子和/或光学读取方式对所述防伪特征进行识别校验。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用大电流熔断金属/多晶硅的手段将所述ROM中电路单元中的金属/硅化物熔断，使得当前电路单元开路；具体的，在大电流电迁移的作用下，金属原子受到运动的导电电子作用沿晶粒从阴极向阳极迁移，阴极的原子减少形成空洞。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马哲，潘雨洋，李彦昭，李晓伟，张永峰，
申请(专利权)人：北京银联金卡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：