一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用。结构如下结构式II的化合物所示，此化合物可作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用

：
[0001]本专利技术涉及一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍
：
[0002]有机电致发光器件主要发光机理主要为：在外界电压驱动下，空 穴和电子克服能垒，分别由阳极和阴极注入到空穴传输层和电子传输 层，在发光层中复合形成激子，激子释放能量并发光，是一种自发光 的装置。这种器件具有轻薄、高对比度、耗电低、响应速度快、可柔 性显示等优点，广泛应用在手机、平板显示器、电视、照明和车载显 示等领域。
[0003]有机电致发光器件可以通过调节搭配阴极和阳极之间的有机层 来获得高效、稳定和长寿命的器件，一般的有机层包含空穴注入层、 空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子 注入层。
[0004]目前发光层材料有荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光材料， 近年来开发的以硼为中心原子而缩合层的多芳香环化合物可提高发 光效率。空穴阻挡层可以有效地把发光激子限制在发光层区域，而电 子传输材料就是把阴极上的电子传输到发光层的材料。迄今为止，不 论是高分子化合物还是小分子化合物，已经开发了适用于这些层的各 种材料，然而，仍需不断优化器件中包含的各种有机层和开发性能更 好的应用于器件的材料。

技术实现思路
：
[0005]本专利技术正是针对上述问题，提供了一种化合物及其在有机电致发 光器件中的应用。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案，化合物的结构如 如下结构式II的化合物所示，
[0007][0008]Z1‑
Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、亚苯基、亚萘 基或联苯基；Ar1‑
Ar2为取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或者 未取代的C3‑
C
30
的杂芳基中的一种；R4‑
R
11
中至少有一个为取代或者 未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1‑
C
20
的烷 基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取代或未取代的具 有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代的具有C3‑
C
30
的杂芳基，取代或未取 代的具有C3‑
C
20
的烷硅基，取代或未取代的具有C6‑
C
20
的芳基硅烷 基，胺
基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基，亚磺酰基， 磺酰基，膦基中的一种。
[0009]优选地，Ar1‑
Ar2为为苯基、1
‑
萘基、2
‑
萘基、联苯基、菲基、蒽 基、苝基、荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、 9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、9,9
‑
螺芴基、苯并菲基、吡啶基、 氰基苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种；
[0010]R4‑
R
11
至少有一个含有吡啶基，其余为氢或苯基；
[0011]L表示为苯基或单键。
[0012]结构式II包含并不限于以下化合物HB1
‑
HB81中的任意一种，
[0013][0014][0015][0016][0017][0018][0019][0020][0021][0022][0023]上述化合物可作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中，有机 电致发光器件包括阳极、阴极和有机层，有机层包含一层以上的发光 层、空穴阻挡层和电子传输层，发光层包含如下结构式I的化合物， 空穴阻挡层包含如下结构式II的化合物，电子传输层包含如下结构 式III的化合物；
[0024][0025]结构式I中，E环和F环为C6‑
C
30
的芳基环或C3‑
C
30
的杂芳基环， 且芳基环和杂芳基环上至少一个氢可被取代；X1和X2为O、S、 CR
20
R
21
、SiR
22
R
23
、NR
24
或者Se；R1‑
R3为氢，氘，卤素，取代或未 取代的C1‑
C
20
的烷基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取 代的具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取 代或未取代的具有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代的具有C3‑
C
30
的杂芳 基，取代或未取代的具有C3‑
C
20
的烷硅基，取代或未取代的具有C6‑
C
20
的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基， 亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种；
[0026]结构式II中，Z1‑
Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、 亚苯基、亚萘基或联苯基；Ar1‑
Ar2为取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳 基，取代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基中的一种；R4‑
R
11
中至少有一 个为取代或者未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代 的C1‑
C
20
的烷基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的 具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取代或 未取代的具有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代的具有C3‑
C
30
的杂芳基， 取代或未取代的具有C3‑
C
20
的烷硅基，取代或未取代的具有C6‑
C
20
的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基， 亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种；
[0027]结构式III中，Ar3‑
Ar5为取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取 代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基中的一种，且至少有一个含有氘原 子；R
12
‑
R
19
为氢，氘，卤素，取代或未取代的
C1‑
C
20
的烷基，取代 或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的具有C1‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，结构如下结构式II的化合物所示，Z1‑
Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、亚苯基、亚萘基或联苯基；Ar1‑
Ar2为取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基中的一种；R4‑
R
11
中至少有一个为取代或者未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1‑
C
20
的烷基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取代或未取代的具有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代的具有C3‑
C
30
的杂芳基，取代或未取代的具有C3‑
C
20
的烷硅基，取代或未取代的具有C6‑
C
20
的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基，亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Ar1‑
Ar2为为苯基、1
‑
萘基、2
‑
萘基、联苯基、菲基、蒽基、苝基、荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、9,9
‑
螺芴基、苯并菲基、吡啶基、氰基苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种；R4‑
R
11
至少有一个含有吡啶基，其余为氢或苯基；L表示为苯基或单键。3.一种权利要求1所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，可作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。4.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，有机电致发光器件包括阳极、阴极和有机层，有机层包含一层以上的发光层、空穴阻挡层和电子传输层，发光层包含如下结构式I的化合物，空穴阻挡层包含如下结构式II的化合物，电子传输层包含如下结构式III的化合物；结构式I中，E环和F环为C6‑
C
30
的芳基环或C3‑
C
30
的杂芳基环，且芳基环和杂芳基环上至少一个氢可被取代；X1和X2为O、S、CR
20
R
21
、SiR
22
R
23
、NR
24
或者Se；R1‑
R3为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1‑
C
20
的烷基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取代或未取代的具有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代
的具有C3‑
C
30
的杂芳基，取代或未取代的具有C3‑
C
20
的烷硅基，取代或未取代的具有C6‑
C
20
的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基，亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种；结构式II中，Z1‑
Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、亚苯基、亚萘基或联苯基；Ar1‑
Ar2为取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基中的一种；R4‑
R
11
中至少有一个为取代或者未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1‑
C
20
的烷基，取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基，取代或未取代的具有C1‑
C
20
的烷氧基，取代或未取代的具有C6‑
C
30
的芳氧基，取代或未取代的具有C2‑
C
20
的烯基，取代或未取代的具有C3‑
C
30
的杂芳基，取代或未取代的具有C3‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏艳，陈瑞福，周海涛，章宇，黄珠菊，
申请(专利权)人：上海传勤新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：