等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望形状的开口(加工槽)。在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的等离子体切割用保护膜形成剂中，使用在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及等离子体切割用保护膜形成剂、及使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件制造工序中形成的晶片是将在硅等半导体基板的表面层叠了绝缘膜和功能膜的层叠体藉由被称为迹道(street)的方格状预定分割线进行划分而得到的，由迹道划分的各区域成为IC、LSI等半导体芯片。
[0003]可通过沿着该迹道将晶片切断而得到多个半导体芯片。另外，光器件晶片中，层叠有氮化镓系化合物半导体等的层叠体由迹道划分为多个区域。通过沿着该迹道的切断，光器件晶片被分割为发光二极管、激光二极管等光器件。这些光器件已广泛用于电气设备。
[0004]过去，这样的晶片沿着迹道的切断利用被称为划片机(dicer)的切削装置来进行。但是，在该方法中，具有层叠结构的晶片为高脆性材料，因此，在利用切削刀(切片刀)将晶片裁断分割为半导体芯片等时，存在产生损伤和缺口等、或者在芯片表面形成的作为电路元件而言必需的绝缘膜发生剥离的问题。
[0005]为了消除这样的不良情况，提出了下述方法：在半导体基板的表面形成包含水溶性材料层的掩模，接着对掩模照射激光，将一部分掩模分解除去，由此在掩模的一部分中使半导体基板的表面露出，然后通过等离子体蚀刻将从掩模的一部分中露出的半导体基板切断，将半导体基板分割为半导体芯片(IC)(参见专利文献1。)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特表2014
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523112号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的课题
[0010]在专利文献1记载的方法中，在形成对等离子体切割具有耐性的保护膜的情况下，有时难以通过激光的照射而在保护膜的所期望的位置形成所期望形状的开口(加工槽)。
[0011]本专利技术是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望形状的开口(加工槽)。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]本申请的专利技术人发现，通过在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的等离子体切割用保护膜形成剂中，使用在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的水溶性树脂(A)，能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。更具体而言，本专利技术提供以下的方式。
[0014]本专利技术的第1方式为等离子体切割用保护膜形成剂，其包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)，
[0015]在水溶性树脂(A)的热重测定中，升温至500℃时的重量减少率为80重量％以上。
[0016]本专利技术的第2方式为半导体芯片的制造方法，其是通过等离子体切割将半导体晶片切断的半导体芯片的制造方法，所述制造方法包括：
[0017]在半导体晶片上涂布第1方式涉及的保护膜形成剂而形成保护膜；
[0018]对半导体晶片上的包含保护膜的1个以上的层的规定位置照射激光，形成半导体晶片的表面露出、并且与半导体芯片的形状相对应的图案的加工槽；以及
[0019]对具备保护膜和加工槽的半导体晶片照射等离子体，将半导体晶片中的加工槽的位置切断。
[0020]专利技术的效果
[0021]根据本专利技术，能够提供下述等离子体切割用保护膜形成剂、和使用该等离子体切割用保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法，所述等离子体切割用保护膜形成剂在通过等离子体切割将半导体基板切断而制造半导体芯片时，在保护膜的所期望的位置，能够通过激光的照射而良好地形成所期望形状的开口(加工槽)。
附图说明
[0022][图1]示出通过使用本专利技术的保护膜形成剂的晶片的加工方法而加工的半导体晶片的立体图。
[0023][图2]图1所示的半导体晶片的截面放大图。
[0024][图3]形成有保护膜的半导体晶片的主要部分放大截面图。
[0025][图4]示出形成有保护膜的半导体晶片介由保护胶带而支承于环状框架上的状态的立体图。
[0026][图5]实施激光照射的激光加工装置的主要部分立体图。
[0027][图6]具备保护膜、和通过激光照射形成的加工槽的半导体晶片的截面放大图。
[0028][图7]示出针对图6所示的半导体晶片的等离子体照射的说明图。
[0029][图8]示出通过等离子体照射将半导体晶片分割为半导体芯片的状态的截面放大图。
[0030][图9]示出半导体芯片上的保护膜已被除去的状态的截面放大图。
具体实施方式
[0031]《等离子体切割用保护膜形成剂》
[0032]等离子体切割用保护膜形成剂包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)。以下，关于等离子体切割用保护膜形成剂，也记载为“保护膜形成剂”。
[0033]具体而言，等离子体切割用保护膜形成剂可在半导体芯片的制造方法中用于保护膜的形成，所述制造方法包括：对在半导体晶片上形成的保护膜照射激光，形成半导体晶片的表面露出、并且与半导体芯片的形状相对应的图案的加工槽；以及
[0034]对具备上述保护膜和上述加工槽的半导体晶片照射等离子体，将半导体晶片中的加工槽的位置切断。
[0035]从在半导体晶片的加工后容易通过水洗进行保护膜的除去、保护膜相对于等离子体照射的充分耐久性的方面考虑，保护膜的膜厚典型地优选为1μm以上且100μm以下，更优选为10μm以上且100μm以下，进一步优选为30μm以上且100μm以下。
[0036]水溶性树脂(A)在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率。
[0037]即，水溶性树脂(A)在被加热至500℃左右时，其大部分发生分解而消失。
[0038]以下，对保护膜形成剂包含的必需或任选的成分进行说明。
[0039]＜水溶性树脂(A)＞
[0040]水溶性树脂(A)是使用保护膜形成剂形成的保护膜的基材。关于水溶性树脂的种类，只要是能在水等溶剂中溶解并进行涂布
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干燥而形成膜、并且在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的树脂，就没有特别限制。
[0041]所谓水溶性，是指在25℃的水100g中溶解0.5g以上的溶质(水溶性树脂)。
[0042]如上所述，水溶性树脂(A)为在热重测定中升温至500℃时显示出80重量％以上的重量减少率的树脂。升温至500℃时的重量减少率优选为90重量％以上，更优选为95重量％以上。
[0043]使用包含升温至500℃时的重量减少率在上述范围内的水溶性树脂(A)的保护膜形成剂的情况下，保护膜中基于激光能量的水溶性树脂(A)的分解良好地进行，因此，容易通过激光的照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.等离子体切割用保护膜形成剂，其包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)，在所述水溶性树脂(A)的热重测定中，升温至500℃时的重量减少率为80重量％以上。2.如权利要求1所述的保护膜形成剂，其中，所述吸光剂(B)的质量相对于所述水溶性树脂(A)的质量与所述吸光剂(B)的质量的总量而言的比率为1质量％以上且40质量％以下。3.如权利要求2所述的保护膜形成剂，其中，所述吸光剂(B)的质量相对于所述水溶性树脂(A)的质量与所述吸光剂(B)的质量的总量而言的比率为5质量％以上且20质量％以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成剂，其中，在所述水溶性树脂(A)的热重测定中，升温至350℃时的重量减少率为10重量％以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成剂，其中，所述水溶性...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下哲郞，植松照博，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：