激光元件制造技术

本发明专利技术公开一种激光元件，其特征在于，包括：基板；下反射层，布置在上述基板上；激光腔，布置在上述下反射层上；及上反射层，布置在上述激光腔上，其中，上述下反射层包括多个第一子反射层和多个第二子反射层，上述第一子反射层包括磷，上述磷的组成为0.1％至20％。

【技术实现步骤摘要】
激光元件
实施例涉及一种激光元件。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser；VCSEL)是一种在垂直于基板的方向上发射激光的半导体激光器。一般而言，垂直腔面发射激光器可以由下反射层、激光腔、上反射层及电极构成。当上反射层或下反射层具有AlAs/AlGaAsDBR结构时，可能易于散热。然而，这种结构具有在形成氧化物开口的氧化工序中AlAs反射层过度氧化的问题，而且，还具有因在外延生长过程中由于晶体失配引起的AlAs反射层的应变(strain)而晶圆弯曲的问题。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题实施例提供散热优异且可以抑制反射层的氧化的垂直腔面发射激光器。并且，实施例提供基板的平坦度得到改善的垂直腔面发射激光器。应理解，在实施例中要解决的问题不限于这些问题，还包括从下述的解决问题的方案或实施实时方式可以理解的目的和效果。用于解决问题的方案根据本专利技术的一个方面的激光元件包括：基板；下反射层，布置在上述基板上；激光腔，布置在上述下反射层上；及上反射层，布置在上述激光腔上，其中，上述下反射层包括多个第一子反射层和多个第二子反射层，上述第一子反射层包括磷(P)，上述磷的组成为0.1％至20％。上述磷的组成可以为0.1％至5％。上述第一子反射层可以包括AlAsP，上述第二子反射层可以包括AlGaAs。上述下反射层可以包括第一下反射层和第二下反射层，上述第一下反射层布置在上述基板上，上述第二下反射层布置在上述第一下反射层与上述激光腔之间，上述第二下反射层的铝平均组成可以低于上述第一下反射层的铝平均组成。上述第二下反射层的整个厚度可以小于上述第一下反射层的整个厚度。上述第二下反射层可以包括多个第三子反射层和多个第四子反射层，上述第二反射层、上述第三反射层、上述第四子反射层都可以具有相同的组成，上述第一子反射层的组成与上述第二反射层、上述第三反射层、上述第四子反射层的组成可以不同。上述上反射层可以包括多个第五子反射层和多个第六子反射层，上述第五子反射层可以包括磷。上述第五子反射层的磷的组成与上述第一子反射层的磷的组成可以不同。上述多个第五子反射层的磷的组成可以随着远离上述激光腔而连续变化。上述多个第五子反射层的磷的组成可以越远离上述激光腔越高。上述多个第一子反射层的磷的组成可以越远离上述激光腔越高。上述激光元件还可包括布置在上述激光腔与上述上反射层之间的氧化物层，上述氧化物层可以包括形成在其中央的氧化物开口。根据本专利技术的另一方面的激光元件包括：基板；下反射层，布置在上述基板上；氧化物层，布置在上述下反射层上，且在其中央包括氧化物开口；激光腔，布置在上述氧化物层上；及上反射层，布置在上述激光腔上，其中，上述下反射层包括布置在其中央的第一非氧化区域和包围上述第一非氧化区域的氧化区域，上述上反射层包括布置在其中央的第二非氧化区域和包围上述第二非氧化区域的氧化区域，上述第二非氧化区域的面积随着远离上述激光腔而增加。上述下反射层可以包括第一下反射层和第二下反射层，上述第一下反射层布置在上述基板上，上述第二下反射层布置在上述第一下反射层与上述激光腔之间，上述第一下反射层可以包括上述第一非氧化区域和包围上述第一非氧化区域的上述氧化区域。上述下反射层的第一非氧化区域可以在垂直方向上具有恒定的宽度。上述下反射层的第一非氧化区域宽度可以越靠近上述激光腔越小。专利技术的效果根据实施例，不仅散热优异，又可以抑制反射层的氧化。并且，基板的平坦度得到改善，从而可以提高产量。本专利技术的各种有益的优点和效果不限于上述内容，并且可以在描述本专利技术的具体实施例的过程中更容易地理解。附图说明图1为根据本专利技术的第一实施例的激光元件的概念图。图2为测定AlAsP层和AlGaAs层的导热率的图表。图3为测定基于各半导体层的温度的晶体点阵的图表。图4为根据本专利技术的第二实施例的激光元件的概念图。图5为根据本专利技术的第三实施例的激光元件的概念图。图6为根据本专利技术的第四实施例的激光元件的概念图。图7为根据本专利技术的第五实施例的激光元件的概念图。图8为示出上反射层的磷组成的变化的图表。图9和图10为用于说明形成激光元件的氧化物开口的过程的图。具体实施方式本专利技术可以进行多种变更，可以具有多种形态，通过附图显示特定实施例并在本文中进行详细说明。但是，本专利技术并非限定于特定的公开形态，应当理解为包括属于本专利技术的思想及技术方案的所有变更、均等物以及替代物。应该理解，虽然可以在此处使用术语第一、第二等描述各个单元，但是这些单元不应该由这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个单元与另一个相区别。例如，在不脱离本专利技术的范围的情况，第一单元可以称为第二单元，并且类似地，第二单元可以称为第一单元。术语“和/或”包括多个相关列举项目的组合或多个相关列举项目中的任何一个。应该理解，当一个单元被称为“与另一个单元相连接”时，该单元可以直接与另一个单元相连接，或者还可以存在插入单元。与此相反，当一个单元被称为“直接与另一个单元相连接”时，则不存在插入单元。在本说明书中所使用的用语用于说明特定实施例，而并非限定本专利技术。只要在句子中未特别言及，单数型也包括复数型。本说明书中使用的“包括”、“具有”等用语表示具有说明书中记载的特征、数字、步骤、工作、构成要素、构件或其组合产物，而不应理解为排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、工作、构成要素、构件或其组合产物的存在或附加可能性。若无另行定义，包括技术或科学用语在内的所有用语，表示和本专利技术所属
的普通技术人员的通常理解相同的意思。通常使用的在词典定义的用语，应解释为与相关技术的文章脉络的意思相一致的意思，若本专利技术中无明确定义，不得解释为理想或过度形式性的意思。在下面将参考附图详细地描述本专利技术的实施例，其中，不考虑图号，被赋予相同的附图标记的那些部件，是相同的或者相应的，并且冗余解释被省略。图1为根据本专利技术的第一实施例的激光元件的概念图，图2为测定AlAsP层和AlGaAs层的导热率的图表，图3为测定基于各半导体层的温度的晶体点阵的图表。参照图1，根据实施例的激光元件包括基板10、布置在基板10上的下反射层21、22、布置在下反射层21、22上的激光腔30及布置在激光腔30上的上反射层42。激光元件的半导体结构可以通过有机金属化学气相沉积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition；MOCVD)、液相外延(LiquidPhaseEpitaxy；LPE)、分子束外延(MolecularBeamEpitaxy；MBE)等来制造，但本专利技术并不限于此。基板10可以是半绝缘或导电基板。作为示例，基板10是具有高掺杂浓度的GaAs基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光元件，其特征在于，包括：/n基板；/n下反射层，布置在所述基板上；/n氧化物层，布置在所述下反射层上，且在其中央包括氧化物开口；/n激光腔，布置在所述氧化物层上；及/n上反射层，布置在所述激光腔上，/n其中，所述上反射层包括布置在其中央的第一非氧化区域和包围所述第一非氧化区域的第一氧化区域，/n所述下反射层包括布置在其中央的第二非氧化区域和包围所述第二非氧化区域的第二氧化区域。/n

【技术特征摘要】
20190117 KR 10201900061021.一种激光元件，其特征在于，包括：
基板；
下反射层，布置在所述基板上；
氧化物层，布置在所述下反射层上，且在其中央包括氧化物开口；
激光腔，布置在所述氧化物层上；及
上反射层，布置在所述激光腔上，
其中，所述上反射层包括布置在其中央的第一非氧化区域和包围所述第一非氧化区域的第一氧化区域，
所述下反射层包括布置在其中央的第二非氧化区域和包围所述第二非氧化区域的第二氧化区域。


2.根据权利要求1所述的激光元件，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔元珍，金东焕，
申请(专利权)人：上海砷芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31