等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置，能够减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形，收容或包围空芯线圈，与空芯线圈组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件配置于一个或多个有效区间内，用于变更空芯线圈的各个卷线间隙，所述有效区间是在滤波器的频率‑阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置本申请是申请日为2018年6月21日、申请号为201810645011.3、专利技术名称为“等离子体处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术的各个侧面和实施方式涉及一种等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置。
技术介绍
以往以来，已知一种使用等离子体来对半导体晶圆等被处理基板进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置的用于载置被处理基板的载置台具有通过传热将被处理基板控制为规定温度的温度控制功能。作为该温度控制功能，大多使用在载置台组装通过通电而发热的发热体并控制发热体所产生的焦耳热的加热器方式。然而，当等离子体处理装置采用加热器方式时，为了生成等离子体而从高频电源向载置台施加的高频的一部分作为噪声从发热体进入加热器供电线。因此，本申请的申请人在专利文献1中提出一种在加热器供电线上设置用于减弱或阻止高频的噪声的滤波器的技术。该滤波器具有空芯线圈、收容或包围空芯线圈的筒形的外导体、以及向空芯线圈的各个卷线间隙选择性地插入的绝缘性的梳齿构件。在滤波器的空芯线圈存在有效区间，该有效区间是通过改变卷线间隙而在频率-阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率产生位移的区间。针对滤波器的空芯线圈，在有效区间向卷线间隙插入梳齿构件，以得到与作为切断对象的噪声的频率对应的并联谐振频率。专利文献1：日本特开2015-173027公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在等离子体处理装置中，噪声的频率因机型、向载置台施加的高频的频率等而不同。因此，在专利文献1的技术中，为了得到与各个噪声的频率分别对应的不同的并联谐振频率，需要重新制作卷线间隙的宽度不同的滤波器。本专利技术的一个侧面所涉及的等离子体处理装置具备能够减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫的滤波器。用于解决问题的方案在一个实施方式中，公开的滤波器装置具备：线圈，其被沿中心轴线进行了卷绕；多个可动件，针对所述线圈的卷线的各单匝线圈设置所述多个可动件，所述多个可动件能够在所述线圈的轴向上移动；以及外导体，其包围所述线圈和所述可动件。在一个实施方式中，公开的滤波器装置是在等离子体处理装置中使用的滤波器装置，所述滤波器装置具备：线圈，其被沿轴向进行了卷绕，具有多个单匝线圈；多个可动件组，所述多个可动件组与所述线圈的所述多个单匝线圈的各单匝线圈对应，各可动件组包括多个可动件，所述多个可动件安装于所述线圈的对应的单匝线圈，能够分别独立地沿所述轴向移动；以及筒状导体，其包围所述线圈和所述多个可动件组。在一个实施方式中，公开的基板处理装置具备：基板处理容器；电极，其配置于所述基板处理容器内；电源，其向所述电极供给电力；以及滤波器装置，其与所述电极及所述电源连接，其中，所述滤波器装置具备：线圈，其被沿中心轴线进行了卷绕；多个可动件，针对所述线圈的卷线的各单匝线圈设置所述多个可动件，所述多个可动件能够沿所述轴向移动；以及外导体，其包围所述线圈和所述可动件。在一个实施方式中，公开的等离子体处理装置具备：等离子体处理腔室；电构件，其配置于所述等离子体处理腔室内；电路，其与所述电构件电连接；以及滤波器装置，其电连接在所述电构件与所述电路之间，其中，所述滤波器装置包括：线圈，其被沿轴向进行了卷绕；多个可动件，所述多个可动件安装于所述线圈，能够分别独立地沿所述线圈的轴向移动；以及筒状导体，其包围所述线圈和所述多个可动件。在一个实施方式中，公开的等离子体处理装置具有经由线路而与进行等离子体处理的处理容器内的规定的电构件电连接的电力系统或信号系统的外部电路，通过设置在线路上的滤波器来减弱或阻止从电构件朝向外部电路进入线路的噪声。滤波器具有线圈、筒形的外导体以及可动件。线圈具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体收容或包围线圈，与线圈组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件配置在相对于线圈存在于线圈的长度方向上的一个或多个有效区间内，用于变更线圈的各个卷线间隙，所述有效区间是通过变更线圈的卷线间隙而在滤波器的频率-阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生位移的区间。专利技术的效果根据公开的等离子体处理装置的一个方式，能够减轻少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫。附图说明图1是表示等离子体处理装置的结构的一例的图。图2是表示发热体的结构的一例的图。图3是表示向基座供给电力的电路结构的一例的图。图4是表示空芯线圈的概要性的结构的一例的图。图5是表示从上方观察空芯线圈部分时看到的概要性的结构的一例的图。图6是表示卷线间隙的图案的一例的图。图7A是表示“密1”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图7B是表示“密2”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图7C是表示“密3”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图7D是表示“密4”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图7E是表示“密5”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图7F是表示“密6”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8A是表示“粗1”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8B是表示“粗2”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8C是表示“粗3”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8D是表示“粗4”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8E是表示“粗5”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。图8F是表示“粗6”的图案下的并联谐振频率的位移的一例的图。附图标记说明1：等离子体处理装置；10：腔室；12：基座(下部电极)；28：(等离子体生成用)高频电源；30：(离子引入用)高频电源；40(IN)：内侧发热线；40(OUT)：外侧发热线；54(IN)、54(OUT)：滤波器单元；58(IN)、58(OUT)：加热器电源；75：控制部；75A：工艺控制器；75B：用户接口；75C：存储部；100(1)、100(2)：供电线；102、102(1)、102(2)：滤波器；104(1)、104(2)：空芯线圈；106(1)、106(2)：电容器；110：外导体；120：可动件。具体实施方式下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，通过本实施方式公开的专利技术不是限定性的。能够在不使处理内容矛盾的范围内对各实施方式适当地进行组合。[等离子体处理装置整体的结构]图1是表示等离子体处理装置的结构的一例的图。实施方式所涉及的等离子体处理装置1构成为下部施加两个频率方式的电容耦合型等离子体蚀刻装置，等离子体处理装置1具有例如铝或不锈钢等金属制的圆筒型的腔室(处理容器)10。腔室10接地。在腔室10内水平地配置有圆板形状的基座12来作为下部电极，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器装置，具备：/n线圈，其被沿中心轴线进行了卷绕；/n多个可动件，针对所述线圈的卷线的各单匝线圈设置所述多个可动件，所述多个可动件能够沿所述线圈的轴向移动；以及/n外导体，其包围所述线圈和所述可动件。/n

【技术特征摘要】
20170621 JP 2017-1216991.一种滤波器装置，具备：
线圈，其被沿中心轴线进行了卷绕；
多个可动件，针对所述线圈的卷线的各单匝线圈设置所述多个可动件，所述多个可动件能够沿所述线圈的轴向移动；以及
外导体，其包围所述线圈和所述可动件。


2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，
通过所述线圈和所述外导体形成分布常数线路。


3.根据权利要求2所述的滤波器装置，其特征在于，
所述分布常数线路具有以多个频率进行串联或并联谐振的特性。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，
所述多个可动件能够分别独立地移动。


5.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，
所述多个可动件沿卷线的周向配置。


6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其特征在于，
所述多个可动件沿卷线的周向等间隔地配置。


7.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，
所述多个可动件具有凹部，在所述凹部嵌入有所述卷线。


8.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，
所述多个可动件与动力传递部连接，所述动力传递部由陶瓷系或玻璃系的材料形成。


9.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，
所述线圈为空芯线圈。


10.根据权利要求1至3中的任一项所述的滤波器装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大辅，金子健吾，小泉克之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP