一种上电极及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种上电极及反应腔室，包括：在水平方向上排布的多个模组，多个模组的数量大于或等于2个，每个模组的下表面包括曲面和/或平面，平面包括平行于水平方向的面和倾斜于水平方向的面。这样，当等离子体从上电极的多个模组中流出时，通过多个模组调整等离子体的运动方向，由于每一个模组均可以调整等离子体的运动方向，从而能够精确调整从上电极流出的等离子体的运动方向，使得等离子体尽可能垂直作用于晶圆表面，进而使得晶圆上的刻蚀速率分布均匀，提高半导体成品的电性和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种上电极及反应腔室
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种上电极及反应腔室。
技术介绍
在半导体器件制造过程中，等离子体处理是将晶圆加工成设计图案的关键工艺，等离子体经过上电极的通孔流出，在上电极和下电极之间的电场作用下向晶圆表面移动，与晶圆表面发生物理轰击或者化学作用，从而对晶圆进行处理。通常，从上电极的通孔流出的等离子体的方向并不是相同的，中心区域的等离子体基本上是垂直作用于晶圆上，外围区域的等离子体与晶圆具有一定的角度。由于等离子体运动的方向不同导致刻蚀获得的部分深槽出现一定角度的倾斜，倾斜的深槽影响半导体加工工艺甚至影响半导体成品的电性和良率。因而亟需一种上电极以改善等离子体的运动方向，提高半导体成品的电性和良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种上电极及反应腔室，以改善等离子体的运动方向，提高半导体成品的电性和良率。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种上电极，包括：在水平方向上排布的多个模组，所述多个模组的数量大于或等于2个；每个所述模组的下表面包括曲面和/或平面，所述平面包括平行于水平方向的面和倾斜于水平方向的面。可选的，所述多个模组在水平方向上阵列排布。可选的，所述多个模组在水平方向上呈环状套嵌排布。可选的，所述多个模组依次排布且上表面齐平，每个所述模组的下表面均与相邻模组的下表面连续。可选的，所述多个模组中最外围的模组相对于与所述最外围的模组相邻的模组具有向下突出的结构。可选的，还包括：基板；所述多个模组的上部与所述基板连接。可选的，所述多个模组的上部通过螺丝与所述基板连接。可选的，所述多个模组中相邻的模组之间具有填充物。可选的，所述多个模组上设置有至少一个通孔，所述通孔用于通入等离子体。一种反应腔室，包括：如上述的上电极以及与所述上电极相对平行设置的下电极。本专利技术实施例提供的一种上电极，包括：在水平方向上排布的多个模组，多个模组的数量大于或等于2个，每个模组的下表面包括曲面和/或平面，平面包括平行于水平方向的面以及倾斜于水平方向的面。这样，当等离子体从上电极的多个模组中流出时，通过多个模组调整等离子体的运动方向，由于每一个模组均可以调整等离子体的运动方向，从而能够精确调整从上电极流出的等离子体的运动方向，使得等离子体尽可能垂直作用于晶圆表面，进而使得晶圆上的刻蚀速率分布均匀，提高半导体成品的电性和良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1示出了一种上电极的结构示意图；图2示出了一种刻蚀结构的示意图；图3示出了根据本专利技术实施例一种上电极的俯视结构示意图以及模组的剖面结构示意图；图4示出了本专利技术实施例一种上电极的俯视结构示意图；图5-图8示出了本专利技术实施例一种上电极的剖面结构示意图；图9示出了本专利技术实施例一种反应腔室的剖面结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
的描述，从上电极100的通孔102流出的等离子体的方向并不是相同的，参考图1所示，中心区域的等离子体基本上是垂直作用于晶圆110上，外围区域的等离子体与晶圆110具有一定的角度。由于等离子体运动的方向不同导致刻蚀获得的部分深槽120出现一定角度的倾斜，参考图2所示，倾斜的深槽120影响半导体加工工艺甚至影响半导体成品的电性和良率。因而亟需一种上电极以改善等离子体的运动方向，提高半导体成品的电性和良率。为此，本申请实施例提供一种上电极，包括：在水平方向上排布的多个模组，多个模组的数量大于或等于2个，每个模组的下表面包括曲面和/或平面，平面包括平行于水平方向的面以及倾斜于水平方向的面。这样，当等离子体从上电极的多个模组中流出时，通过多个模组调整等离子体的运动方向，由于每一个模组均可以调整等离子体的运动方向，从而能够精确调整从上电极流出的等离子体的运动方向，使得等离子体尽可能垂直作用于晶圆表面，进而使得晶圆上的刻蚀速率分布均匀，提高半导体成品的电性和良率。为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。本申请实施例提供的一种上电极130，参考图3-7所示，包括：在水平方向上排布的多个模组132，多个模组132的数量大于或等于2个；每个模组132的下表面包括曲面和/或平面，所述平面包括平行于水平方向的面以及倾斜于水平方向的面。本申请实施例中，上电极130包括多个模组132，模组132的数量大于或等于2个，模组132的数量可以根据具体的情况确定，例如可以为5个，由于上电极130的尺寸通常根据反应腔室的尺寸确定，也就是说上电极130的尺寸通常是固定的，在上电极130的尺寸固定的情况下，若待刻蚀晶圆的表面的平整度要求较高，可以增大模组132的数量；若待刻蚀晶圆的表面的平整度要求较低，可以减少模组132的数量。可以理解的是，模组132的数量越多，能够更为精确的调整从上电极130流出的等离子体的运动方向。多个模组132在水平方向上排布，参考图3所示，图3为上电极130的俯视结构示意图以及模组132的剖面结构示意图，为了便于描述，可以将水平方向称为X方向和Y方向，X方向垂直于Y方向，多个模组132可以在X方向上排布，也可以在Y方向上排布，也可以同时在X方向和Y方向上排布。每个模组132的下表面包括曲面和/或平面，平面包括平行于水平方向的面和倾斜于水平方向的面。具体的，每个模组的下表面可以包括曲面，可以包括平面，平面包括平行于水平方向的面和倾斜于水平方向的面，也可以包括曲面和平面，此处倾斜于水平方向的面可以是与水平方向具有一定夹角的面，夹角的度数可以大于0度且小于180度。多个模组132的下表面可以相同，也可以不同，例如可以为相同的曲面，或者相同的平面，或者相同的曲面和平面的组合。多个模组132中的部分模组132的下表面可以相同，例如为相同的曲面，或者相同的平面，或者相同的曲面和平面的组合。每一模组132的下表面可以包括一个或多个曲面，可以包括一个或多个平面，也可以包括一个曲面和多个平面，也可以包括一个平面和多个曲面，也可以包括多个平面和多个曲面，显然，本申请中的曲面为曲率不为0的面。本实施例中，多个模组132的下表面可以包括曲面，参考图5所示，图5为上电极的剖面结构示意图，则多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种上电极，其特征在于，包括：/n在水平方向上排布的多个模组，所述多个模组的数量大于或等于2个；/n每个所述模组的下表面包括曲面和/或平面，所述平面包括平行于水平方向的面以及倾斜于水平方向的面。/n

【技术特征摘要】
1.一种上电极，其特征在于，包括：
在水平方向上排布的多个模组，所述多个模组的数量大于或等于2个；
每个所述模组的下表面包括曲面和/或平面，所述平面包括平行于水平方向的面以及倾斜于水平方向的面。


2.根据权利要求1所述的上电极，其特征在于，所述多个模组在水平方向上阵列排布。


3.根据权利要求1所述的上电极，其特征在于，所述多个模组在水平方向上呈环状套嵌排布。


4.根据权利要求1所述的上电极，其特征在于，所述多个模组依次排布且上表面齐平，每个所述模组的下表面均与相邻模组的下表面连续。


5.根据权利要求1所述的上电极，其特征在于，所述多个模组中最外围的模组相对于与所述最外围的模...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，李明，刘隆冬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42