一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置制造方法及图纸

技术编号:28975071 阅读:17 留言:0更新日期:2021-06-23 09:18
本实用新型专利技术公开了一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件,支架的底部安装有呈竖向设置的气缸,气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆,顶杆的顶端固定连接有定位座,定位座上设有定位槽,支架的顶部分别安装有对顶杆进行导向的第一导向机构和对定位座进行导向的第二导向机构。本实用新型专利技术使得工件在进行表面处理的过程中保持合理的上下运动,能够及时排出气泡,提高了处理效果;并使得反应物能够快速的从工件的表面剥离,保证了处理的彻底性,同时也保证了反应的均匀性和适度性,从而保证了工件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置
本技术涉及TFT-LCD生产加工装置
,具体是一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置。
技术介绍
干式刻蚀工艺中的上部电极及CVD(化学气相反应)工艺中的扩散器,表面均布满孔,这些孔作为气体的均匀分散出口,严格的流量要求使得这些孔的尺寸必须一致,且不能有任何异物粘附。一般上部电极均有孔上千个,扩散器甚至以万来计算,在工艺上这些孔都是采用机加工的方式制作的。这些孔要求精密,不仅要求严格的尺寸,还有粗糙度,不能有加工毛刺。事实上,上部电极和扩散器在加工方面的最大问题就是孔内毛刺,因为孔数量多,很容易检查遗漏,一旦进入加工工艺(干式刻蚀工艺和CVD工艺)流程,在等离子体环境下,毛刺位置会掉落造成微粒不良,尤其是很容易造成电击穿。由于这些TFT-LCD耗材的孔普遍较深,普通的处理方法很难彻底去除。除了在制造端的刀具维护来避免,对于已出现的加工毛刺,普遍采用化学研磨的方式来进行去除,所谓的化学研磨(也称化学抛光)是将零件用浸渍加温的方式,将微观表面的凸起部位通过化学腐蚀的作用首先溶解消除掉,与原来相比,表面凹凸差变小从而使之表面更趋于平滑的过程。大多采用的是碱蚀刻来实现,即使用碱溶液对上部电极和扩散器(铝材)进行蚀刻处理,使表面更均一、光滑,同时去除一些加工的痕迹,比如挤压纹、伤痕以及加工毛刺等。为此,通常设置一个装有碱溶液的处理池,在处理池池口的两侧分别设置支架,两侧支架之间架设一个横杆,将待处理的工件(即上部电极或扩散器,下同)的上部挂装到该横杆上,将工件的下部垂入处理池中,并浸入碱溶液中,通过碱溶液对工件进行蚀刻处理,以去除挤压纹、伤痕以及加工毛刺等。在处理过程中,经过反应,工件表面均布的孔内会产生有气泡,若不及时排出,必然会影响到处理效果;另外,由于工件浸入碱溶液后基本保持静止状态,因此在处理过程中,反应产生的金属氧化物不易从工件的表面剥离,一方面无法得到彻底处理,另一方面会导致处理过程被延长,导致处理过度,从而导致工件报废。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足,提供一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,能够使得工件在处理过程中保持合理的上下运动,来及时排出气泡,提高处理效果;并使得反应物能够快速的从工件的表面剥离,来保证处理的彻底性和反应的均匀性和适度性,以保证工件的使用寿命。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件,其特征在于:所述支架的底部安装有呈竖向设置的气缸,所述气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆,顶杆的顶端固定连接有定位座,所述的定位座上设有定位槽,所述支架的顶部分别安装有对所述顶杆进行导向的第一导向机构和对所述定位座进行导向的第二导向机构;所述的横杆架设在两侧的所述定位座上的定位槽内,所述气缸的活塞杆周期性伸缩,带动所述的工件在所述处理池内周期性升降。进一步的,所述气缸的活塞杆的端部设有外螺纹,所述顶杆的下端设有螺孔,顶杆通过螺纹配合固定连接在所述气缸的活塞杆的端部。进一步的,所述的顶杆均采用不锈钢镀铬轴。进一步的,所述的定位座采用聚丙烯块,所述的定位槽为设于所述定位座上表面的V形槽。进一步的,所述的第一导向机构包括有固定安装在所在支架顶部的导向套,所述的顶杆自下而上穿过所述导向套并延伸出,且顶杆的外壁与所述导向套的内壁滑动配合。进一步的,所述的导向套采用锡青铜套筒。进一步的,所述的第二导向机构包括有固定安装在所述支架的顶部的二个竖向导轨,所述定位座的两侧分别对应固定连接有二个移动座,所述的二个移动座上均安装有对应沿所述二个竖向导轨行走的滚轮组。进一步的,所述的二个竖向导轨均采用不锈钢镜面管,所述的滚轮组包括有二个PE滚轮。进一步的,还包括有控制器和触摸屏,所述气缸的供气回路中安装有电磁阀,所述的控制器分别与所述触摸屏和电磁阀电连接。与现有技术相比,本技术的有益效果是:1、本技术采用气缸(二个),通过气缸的活塞杆周期性伸缩,带动工件在处理池内周期性升降,使得工件在进行表面处理的过程中保持合理的上下运动,一方面能够及时排出孔内反应产生的气泡,提高了处理效果;另一方面使得反应产生的金属氧化物能够快速的从工件的表面剥离,保证了处理的彻底性,同时也保证了碱溶液在孔内反应的均匀性和适度性,从而保证了工件的使用寿命。2、本技术采用第一导向机构(导向套)对顶杆的升降进行导向,防止了在升降过程中因工件较重而产生晃动,导致气缸的活塞杆受到横向减切力的作用,保证了气缸的使用寿命。3、本技术采用第二导向机构(竖向导轨、移动座和滚轮组)对定位座的升降进行导向,防止了工件上升到顶点时因为行程较大而产生过大的附加力矩,对顶杆造成的损伤。附图说明图1为本技术结构示意图,图中箭头方向表示气缸的活塞杆伸出的方向。图2为图1中A部分的结构放大示意图,图中箭头方向表示气缸的活塞杆伸出的方向。图3为本技术中在定位座上行时的结构示意图。图4为图3中B部分的结构放大示意图。图5为本技术中在定位座下行时的结构示意图。图6为本技术的电气控制原理框图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。参见图1-6,一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,包括有处理池1、分别设置于处理池1池口两侧的支架2、横杆3以及上部挂装在横杆3上、下部垂入处理池内的工件(即上部电极或扩散器,下同)4,支架2的底部安装有呈竖向设置的气缸5,气缸5的活塞杆的端部固定连接有顶杆6,顶杆6的顶端固定连接有定位座7,定位座7上设有定位槽10,支架2的顶部分别安装有对顶杆6进行导向的第一导向机构8和对定位座7进行导向的第二导向机构9;横杆3架设在两侧的定位座7上的定位槽10内,气缸5的活塞杆周期性伸缩,带动工件4在处理池1内周期性升降。需要说明的是,支架2有二个,对称设置于处理池1池口两侧;相应的,气缸5、顶杆6、定位座7、第一导向机构8和第二导向机构9均具有二个,分别与二个支架2一一对应。本技术中,气缸5的活塞杆的端部设有外螺纹,顶杆6的下端设有螺孔,顶杆6通过螺纹配合固定连接在气缸5的活塞杆的端部。由此,能够实现顶杆6与气缸5的可靠连接,同时也便于对顶杆6与气缸5的装配。相应的,顶杆6采用不锈钢镀铬轴。由此,能够提高顶杆6的硬度,从而提高了其耐磨性;而且也增加了顶杆6的抗腐蚀性。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件,其特征在于:所述支架的底部安装有呈竖向设置的气缸,所述气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆,顶杆的顶端固定连接有定位座,所述的定位座上设有定位槽,所述支架的顶部分别安装有对所述顶杆进行导向的第一导向机构和对所述定位座进行导向的第二导向机构;所述的横杆架设在两侧的所述定位座上的定位槽内,所述气缸的活塞杆周期性伸缩,带动所述的工件在所述处理池内周期性升降。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,包括有处理池、分别设置于处理池池口两侧的支架、横杆以及上部挂装在横杆上、下部垂入处理池内的工件,其特征在于:所述支架的底部安装有呈竖向设置的气缸,所述气缸的活塞杆的端部固定连接有顶杆,顶杆的顶端固定连接有定位座,所述的定位座上设有定位槽,所述支架的顶部分别安装有对所述顶杆进行导向的第一导向机构和对所述定位座进行导向的第二导向机构;所述的横杆架设在两侧的所述定位座上的定位槽内,所述气缸的活塞杆周期性伸缩,带动所述的工件在所述处理池内周期性升降。


2.根据权利要求1所述的一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,其特征在于:所述气缸的活塞杆的端部设有外螺纹,所述顶杆的下端设有螺孔,顶杆通过螺纹配合固定连接在所述气缸的活塞杆的端部。


3.根据权利要求2所述的一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,其特征在于:所述的顶杆均采用不锈钢镀铬轴。


4.根据权利要求1所述的一种适用于对上部电极和扩散器进行表面处理的升降装置,其特征在于:所述的定位座采用聚丙烯块,所述的定位槽为设于所述定位座上表面的V形槽。

【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓刚刘超许杰
申请(专利权)人:合肥微睿光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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