成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。抑制向静电吸盘的吸附时产生褶皱。成膜装置，其特征在于，包含：第一基板支撑部，配置在腔室内，支撑基板的第一边的周缘部；第二基板支撑部，配置在腔室内，支撑基板的与第一边相向的第二边的周缘部；基板吸附部件，配置在腔室内的第一及第二基板支撑部的上方并用于吸附基板；以及控制部，独立地控制第一及第二基板支撑部向基板吸附部件的升降，控制部在利用基板吸附部件吸附基板时，将第一基板支撑部移动到距基板吸附部件第一距离的第一位置，将第二基板支撑部移动到距基板吸附部件比第一距离远的第二距离的第二位置，通过基板吸附部件吸附基板，基板从位于第二位置的第二基板支撑部分离。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
本专利技术涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。
技术介绍
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件：OLED)时，通过将从成膜装置的蒸发源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模而蒸镀于基板，从而形成有机物层或金属层。在向上蒸镀方式(向上沉积)的成膜装置中，蒸发源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，并向基板的下表面进行蒸镀。在这种向上蒸镀方式的成膜装置中，为了不给形成在基板的作为成膜面的下表面的有机物层/电极层带来损伤，利用基板支架的支撑部支撑下表面的周缘。在该情况下，随着基板的尺寸变大，没有由基板支架的支撑部支撑的基板的中央部由于基板的自重而挠曲，这成为使蒸镀精度降低的一个主要原因。另外，在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能产生由基板的自重引起的挠曲。作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。也就是说，通过在基板的上部设置静电吸盘，并使静电吸盘吸附由基板支架的支撑部支撑的基板的上表面，从而基板的中央部由静电吸盘的静电引力拉拽，能够降低基板的挠曲。
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在这样使用静电吸盘从上方吸附基板的方式中，当想要同时吸附基板的整个面时，有时基板无法由静电吸盘平坦地吸附，特别是在中央部会产生褶皱。也就是说，在使利用基板支撑部支撑的基板向静电吸盘上升(或使静电吸盘向基板下降)而使基板与静电吸盘相互接近或接触的状态下向静电吸盘的整个面施加吸附电压时，由支撑部支撑的基板的周缘部比挠曲的中央部先被静电吸盘吸附，由此，基板中央部的挠曲无法充分逃逸而残留褶皱。作为用于抑制向该静电吸盘的吸附时产生褶皱的技术，研究了使支撑基板的相向的两侧的周缘部的基板支撑部依次上升并使基板与静电吸盘接触，但依然存在不能充分地抑制褶皱的产生的课题。例如，如图7所示，在使相向的左右的基板支撑部220中的一方先上升并使由该支撑部支撑的基板S的一侧周缘部与静电吸盘240接触，接着使相反侧的另一方支撑部上升并使基板S的另一侧周缘部与静电吸盘240接触的情况下，可能无法充分消除基板S的中央部的挠曲，依然在中央区域残留褶皱的状态下被吸附。因此，本专利技术鉴于上述课题，其目的在于更有效地抑制向静电吸盘的吸附时产生褶皱。用于解决课题的手段本专利技术的一实施方式的成膜装置是一种成膜装置，其经由掩模将成膜材料成膜于基板，其特征在于，包含：第一基板支撑部，所述第一基板支撑部配置在腔室内，并支撑所述基板的第一边的周缘部；第二基板支撑部，所述第二基板支撑部配置在所述腔室内，并支撑所述基板的与所述第一边相向的第二边的周缘部；基板吸附部件，所述基板吸附部件配置在所述腔室内的所述第一基板支撑部及第二基板支撑部的上方并用于吸附所述基板；以及控制部，所述控制部独立地控制所述第一基板支撑部及第二基板支撑部向所述基板吸附部件的升降，所述控制部在利用所述基板吸附部件进行的所述基板的吸附时，将所述第一基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为第一距离的第一位置，将所述第二基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为比所述第一距离远的第二距离的第二位置，通过所述基板吸附部件吸附所述基板，从而所述基板从位于所述第二位置的所述第二基板支撑部分离。本专利技术的一实施方式的成膜方法是一种成膜方法，在成膜装置的腔室内经由掩模将成膜材料成膜在基板的成膜面，其特征在于，所述成膜方法包含：用第一基板支撑部支撑被搬入腔室内的所述基板的第一边的周缘部并用第二基板支撑部支撑与所述第一边相向的第二边的周缘部的工序；使配置在所述腔室内的所述第一基板支撑部及第二基板支撑部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的与成膜面相反一侧的面的吸附工序；以及经由所述掩模将成膜材料成膜于所述基板的所述成膜面的工序，所述吸附工序包含：将所述第一基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为第一距离的第一位置，并将所述第二基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为比所述第一距离远的第二距离的第二位置的工序；以及通过将所述基板吸附于所述基板吸附部件从而使所述基板从位于所述第二位置的所述第二基板支撑部分离的工序。本专利技术的一实施方式的电子器件的制造方法的特征在于，使用所述成膜方法制造电子器件。专利技术的效果根据本专利技术，能够更有效地抑制向静电吸盘的吸附时产生褶皱。此外，并不限定在此记载的效果，可以是在本公开中记载的任意的效果。附图说明图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。图2是本专利技术的一实施方式的成膜装置的示意图。图3是从铅垂方向(Z方向)上方观察本专利技术的一实施方式的基板支撑单元得到的俯视图。图4a是说明本专利技术的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。图4b是说明本专利技术的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。图4c是说明本专利技术的一实施方式的静电吸盘的吸附部的结构的图。图5是示出向静电吸盘的基板吸附工序的图。图6是示出电子器件的示意图。图7是示出以往的向静电吸盘的基板吸附工序的图。附图标记的说明11：成膜装置，22：基板支撑单元，221、222：支撑部，23：掩模支撑单元，24：静电吸盘，241～249：副电极部。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的优选实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例仅例示性地示出本专利技术的优选结构，并不将本专利技术的范围限定于这些结构。另外，对于以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别确定的记载，就不将本专利技术的范围仅限定于此。本专利技术能够应用于在基板的表面堆积各种材料而进行成膜的装置，能够优选应用于通过真空蒸镀形成期望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的薄膜、金属等任意材料，基板例如可以是在玻璃基板上层叠聚酰亚胺等的薄膜而成的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。此外，除了在以下的说明中说明的真空蒸镀装置以外，也能够将本专利技术应用于包含溅射装置、CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)装置在内的成膜装置。具体而言，本专利技术的技术能够应用于有机电子器件(例如有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发并经由掩模蒸镀于基板从而形成有机发光元件的有机发光元件制造装置是本专利技术的优选应用例之一。<电子器件的制造装置>图1是示意地示出电子器件的制造装置的一部分的结构的俯视图。图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在第4.5代的基板(约700mm×约900mm)或第6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板，进行用于形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其经由掩模将成膜材料成膜于基板，其特征在于，所述成膜装置包含：/n第一基板支撑部，所述第一基板支撑部配置在腔室内，并支撑所述基板的第一边的周缘部；/n第二基板支撑部，所述第二基板支撑部配置在所述腔室内，并支撑所述基板的与所述第一边相向的第二边的周缘部；/n基板吸附部件，所述基板吸附部件配置在所述腔室内的所述第一基板支撑部及第二基板支撑部的上方并用于吸附所述基板；以及/n控制部，所述控制部独立地控制所述第一基板支撑部及第二基板支撑部向所述基板吸附部件的升降，/n所述控制部在利用所述基板吸附部件进行的所述基板的吸附时，将所述第一基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为第一距离的第一位置，并将所述第二基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为比所述第一距离远的第二距离的第二位置，/n通过所述基板吸附部件吸附所述基板，从而所述基板从位于所述第二位置的所述第二基板支撑部分离。/n

【技术特征摘要】
20201124 JP 2020-194550;20191220 KR 10-2019-0172441.一种成膜装置，其经由掩模将成膜材料成膜于基板，其特征在于，所述成膜装置包含：
第一基板支撑部，所述第一基板支撑部配置在腔室内，并支撑所述基板的第一边的周缘部；
第二基板支撑部，所述第二基板支撑部配置在所述腔室内，并支撑所述基板的与所述第一边相向的第二边的周缘部；
基板吸附部件，所述基板吸附部件配置在所述腔室内的所述第一基板支撑部及第二基板支撑部的上方并用于吸附所述基板；以及
控制部，所述控制部独立地控制所述第一基板支撑部及第二基板支撑部向所述基板吸附部件的升降，
所述控制部在利用所述基板吸附部件进行的所述基板的吸附时，将所述第一基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为第一距离的第一位置，并将所述第二基板支撑部移动到距所述基板吸附部件成为比所述第一距离远的第二距离的第二位置，
通过所述基板吸附部件吸附所述基板，从而所述基板从位于所述第二位置的所述第二基板支撑部分离。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件具有吸附所述基板的所述第一边的周缘部的第一吸附区域和吸附所述基板的所述第二边的周缘部的第二吸附区域，
所述基板吸附部件将所述第一吸附区域和所述第二吸附区域独立地控制为吸附状态及非吸附状态，
在所述第一基板支撑部移动到所述第一位置且所述第二基板支撑部移动到所述第二位置的状态下，所述基板吸附部件将所述第一吸附区域设为所述吸附状态，并将所述第二吸附区域控制为所述非吸附状态。


3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述第一基板支撑部移动到所述第一位置且所述第二基板支撑部移动到所述第二位置的状态下，所述基板吸附部件在将所述第一吸附区域设为所述吸附状态后，将所述第二吸附区域从所述非吸附状态控制为所述吸附状态。


4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在利用所述基板吸附部件进行的所述基板的吸附时，利用所述控制部控制成通过上升驱动从而使所述第二基板支撑部移动到所述第二位置。


5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二位置是载置于所述第二基板支撑部的所述基板的一部分不与所述基板吸附部件接触的位置。


6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在利用所述基板吸附部件进行的所述基板的吸附时，所述第二基板支撑部不从所述第二位置被上升驱动。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井博，柏仓一史，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP