用于从粘性流体去除气泡的设备制造技术

本公开涉及用于从粘性流体去除气泡的设备。一种去气泡滑块被配置为装配在分配容器中，并利用接收元件将流体流从流体入口捕获到分配容器中。去气泡滑块的接收元件将流体流引导至去气泡滑块的流动表面，溶解在流体流中的气体或流体流中的气泡从该流动表面逸出流体。去气泡滑块的上表面中的开口允许逸出的气体离开去气泡滑块。

【技术实现步骤摘要】
用于从粘性流体去除气泡的设备
本公开总体涉及用于从粘性流体去除气泡的设备。
技术介绍
集成电路制造包括与膜沉积有关的工艺，用于将图案转移到集成电路的下面的层。在一些情况下，所沉积的膜被临时放置在集成电路衬底上，然后在图案转移完成之后被去除。图案转移包括光刻、电子束光刻和其他图案转移方法。当所沉积的图案转移膜具有均匀的组成和厚度时，图案转移得到改善。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种用于分配流体的设备，包括：分配容器，所述分配容器在其上部中具有流体入口；以及去气泡滑块，被配置为装配在所述分配容器中，其中，位于所述去气泡滑块的上端处的接收元件被配置为接收从所述流体入口进入所述分配容器的流体流，并且将所述流体流引导至所述去气泡滑块的流动表面，并且其中，所述去气泡滑块的上表面中具有至少一个开口，所述至少一个开口被配置为允许所述流体流中溶解的气体或所述流体流中的气泡逸出所述去气泡滑块。根据本公开的另一实施例，提供了一种用于分配流体的方法，包括：在第一容器中接收来自第二容器的流体流，其中，通过对所述第二容器中的流体上方的顶部空间加压来产生所述流体流；在所述第一容器中的去气泡滑块的上端处捕获来自所述第二容器的所述流体流；以及沿着所述去气泡滑块的流动表面将所述流体流引导至所述第一容器的下部，使得所述流体中的气泡和溶解的气体在所述去气泡滑块的所述流动表面上离开所述流体。根据本公开的又一实施例，提供了一种用于分配流体的系统，包括：气体源，所述气体源用于将加压气体供应到包含所述流体的第一容器的顶部空间并且产生去往第二容器的流体流；传输线，所述传输线被配置为将所述流体流引导至所述第二容器中；以及去气泡滑块，所述去气泡滑块位于所述第二容器中，并且被配置为在所述去气泡滑块的上端处的流体接收元件处接收所述流体流，并且延迟所述流体流在所述第二容器的下部体积中的收集，其中，所述流体流中的气泡和溶解的气体在沿着所述去气泡滑块移动到所述第二容器的所述下部体积时离开所述流体。附图说明在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。图1是根据一些实施例的流体分配系统的示意图。图2A是根据一些实施例的分配容器的顶视图。图2B是根据一些实施例的图2A的分配容器的截面图。图3A-图3H是根据一些实施例的流体接收元件的视图。图4A-图4D是根据一些实施例的去气泡滑块(de-bubblingslide)的视图。图5是根据一些实施例的用于施加流体的方法的流程图。具体实施方式下面的公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件、值、操作、材料、布置等的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。预期其他组件、值、操作、材料、布置等。例如，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各种示例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，本文中可能使用了空间相关术语(例如，“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。诸如光致抗蚀剂之类的粘性流体的沉积有时由于流体中包含气泡而受到阻碍。在沉积到衬底上之后，气泡破坏了流体均匀性。在半导体制造的情况下，光致抗蚀剂中的气泡导致施加到衬底的顶表面上的材料中的不规则性。气泡在光致抗蚀剂层中产生空隙(这导致与特征之间的短路相关联的图案破坏)，或者在集成电路或半导体器件的随后形成的层中产生空隙。在制造设施处在运输或存储容器中接收光致抗蚀剂或其他流体材料。将光致抗蚀剂或流体材料从运输或存储容器中转移出来，并转移到制造设施内的分配容器中。将流体从存储容器转移到分配容器中的一种方法是通过对容器加压以迫使流体离开存储容器并进入分配容器中。由于加压气体，用于形成图案层或图案膜(例如，光致抗蚀剂层)的流体有时在其中形成气泡。在一些实施例中，在将加压气体施加到流体上时直接形成气泡。在一些实施例中，加压气体溶解在流体中，并且当施加到流体的压力降低时，溶解的气体随后自发地在流体中形成气泡。当流体离开运输或存储容器并进入分配容器时，流体的压力降低。当流体中的气泡保留在流体中并在制造工艺过程中与流体一起移动到集成电路的表面时，气泡在沉积在集成电路的顶部的材料中引入不规则性。气泡不规则性导致对图案被转移到其上的集成电路的层的损坏，或者对在一个或多个后续工艺(例如，蚀刻工艺)期间应被材料保护的集成电路的部分的损坏。图1是根据一些实施例的流体分配系统100的示意图。流体分配系统100包括用于存储流体110的供应容器102、分配容器118、泵124和分配喷嘴126。供应容器102被配置为密封的，使得供应容器的内部容积是气密的并且能加压。当供应容器被加压时，加压气体通过安装在外部加压气体源上的加压线104进入供应容器。加压气体填充供应容器102，并迫使其中的流体通过传输线106离开供应容器进入分配容器118。传输线106从供应容器102的外部延伸到流体110的顶表面108下方。加压气体流112进入供应容器102的顶部空间114，迫使顶表面108在供应容器102内向下。在一些实施例中，加压气体是氮或不与流体反应的另一气体混合物。由于添加到供应容器102的顶部空间的额外的加压气体，流体110被驱动通过传输线106并进入分配容器118。当流体离开传输线106并进入分配容器118时，传输线106内的第一流体流120结束。当流体离开传输线106并进入分配容器118时，第二流体流开始。分配容器118包括去气泡滑块134。流体沿去气泡滑块134向下行进并收集在分配容器118的下部区域中。在一些实施例中，第二流体流取决于第一流体流，使得当第一流为小流动速率时，第二流体流中的流体在去气泡滑块134的流动表面上较薄，并且当第一流为大流动速率时，第二流体流中的流体在去气泡滑块134的流动表面上较厚。当流体离开分配容器118并在被分配到晶圆130的表面128上之前行进通过沉积线122、泵124和分配喷嘴126时，第三流体流开始。沉积线122将分配容器118与泵124流动地连接。在一些实施例中，晶圆130在其中具有集成电路的一部分，并且分配到晶圆130的表面128上的流体被配置为接收图案，该图案将在流体被处理以接收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于分配流体的设备，包括：/n分配容器，所述分配容器在其上部中具有流体入口；以及/n去气泡滑块，被配置为装配在所述分配容器中，其中，位于所述去气泡滑块的上端处的接收元件被配置为接收从所述流体入口进入所述分配容器的流体流，并且将所述流体流引导至所述去气泡滑块的流动表面，并且其中，所述去气泡滑块的上表面中具有至少一个开口，所述至少一个开口被配置为允许所述流体流中溶解的气体或所述流体流中的气泡逸出所述去气泡滑块。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于分配流体的设备，包括：
分配容器，所述分配容器在其上部中具有流体入口；以及
去气泡滑块，被配置为装配在所述分配容器中，其中，位于所述去气泡滑块的上端处的接收元件被配置为接收从所述流体入口进入所述分配容器的流体流，并且将所述流体流引导至所述去气泡滑块的流动表面，并且其中，所述去气泡滑块的上表面中具有至少一个开口，所述至少一个开口被配置为允许所述流体流中溶解的气体或所述流体流中的气泡逸出所述去气泡滑块。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述接收元件中具有开口，所述开口被配置为允许所述流体流从所述接收元件通过去往所述去气泡滑块的所述流动表面。


3.根据权利要求1所述的设备，还包括：至少一个分散元件，位于所述接收元件的着陆表面上，其中，所述分散元件被配置为在所述接收元件的所述着陆表面上扩散所述流体流，而不在所述流体中形成气泡。


4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述去气泡滑块的所述流动表面是管的内表面，并且其中，所述去气泡滑块的所述上表面是管壁的上部。


5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述至少一个开口还包括跨所述去气泡滑块的所述上表面的槽。


6.根据权利要求4所述的设备，其中，所述至少一个开口包括所述上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建良，曹洪泰，蔡宗佐，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，台积电南京有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71