线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构制造技术

本发明专利技术公开了一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体；水平滑动模块，其具有：至少一个第一高度支撑件；第一水平支撑件；第一滑动件；及第二滑动件；线圈支架；以及线圈模块；其中第一滑动件及第二滑动件，使线圈模块在第一电浆反应腔体上方，进行X轴向或Y轴向的移动。借由本发明专利技术的实施，可以动态的完成反应腔室壁体上，各不同部位沉积物的清理。

【技术实现步骤摘要】
线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构
本专利技术涉及一种蚀刻机结构，特别是涉及一种线圈水平位置可动态调整之蚀刻机结构。
技术介绍
对感应耦合电浆(InductivelyCoupledPlasma，ICP)而言，线圈的位置及长度是很重要的。一旦线圈的长度及位置被固定后，就不会再变动，因此电浆浓度的均匀度，电子温度分布，对反应腔体内局部损害的位置与程度都会固定。如图1所示，当蚀刻机被使用一段时间后，在反应腔室的壁体上，就会有电浆反应后的聚合物的沉积(图中深色区域)，又相关聚合物的沉积，将会造成反应腔室内制程参数的失真，此外当聚合物沉积的厚度逐渐增加后，反应腔室内杂质微粒的准位也将随之升高，也因此产生严重影响良率的问题。现有的感应耦合电浆蚀刻机，特别是在使用干式清理(dryclean)的时候，由于线圈的位置是固定在同一个位置，因此聚合物被清除的部位(图中浅色区域)，也受到了限制，造成反应腔室无法被有效的清理。
技术实现思路
本专利技术为一种线圈水平位置可动态调整地蚀刻机结构，其主要是要解决如何借由动态线圈位置的调整，以有效完成反应腔室壁体上，沉积物清理的问题。本专利技术提供一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；水平滑动模块，其具有：至少一个第一高度支撑件，其固设于第一电浆反应腔体的第一侧；第一水平支撑件，其结合于至少一个第一高度支撑件上；第一滑动件，其第一端部水平滑动结合于第一水平支撑件；及第二滑动件，其水平滑动结合于第一滑动件；线圈支架，其结合于第二滑动件，且形成于第一电浆反应腔体的上方处；以及线圈模块，其固设于线圈支架；其中第一滑动件及第二滑动件，使线圈模块在第一电浆反应腔体上方，进行X轴向或Y轴向的移动。在本专利技术一实施例中，第一水平支撑件具有第一水平滑轨，又第一端部具有第一滑套，且第一滑套可滑动的结合于第一水平滑轨。在本专利技术一实施例中，第一滑动件设有第一滑道，又第二滑动件具有第二滑轨，且第二滑轨可滑动的结合于第一滑道。在本专利技术一实施例中，第一水平支撑件与第一滑动件相互垂直设置。在本专利技术一实施例中，水平滑动模块还具有：至少一个第二高度支撑件，其固设于第一电浆反应腔体的第二侧；以及第二水平支撑件，其结合于至少一个第二高度支撑件上；又第一滑动件，其第二端部水平滑动结合于第二水平支撑件。在本专利技术一实施例中，第二水平支撑件具有第二水平滑轨，又第二端部具有第二滑套，且第二滑套可滑动的结合于第二水平滑轨。在本专利技术一实施例中，第一水平支撑件与第二水平支撑件为相互平行的结构。借由本专利技术的实施，至少可以达成下列的进步功效：(一)可以动态的完成反应腔室，不同壁体位置上沉积物的清理；(二)可以降低反应腔室内的杂质微粒的准位。为了使任何本
的技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及图式，任何本
的技术人员可轻易的理解本专利技术相关的目的及优点，因此将在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点。附图说明图1为现有的蚀刻机使用一段时间后其反应腔的内部实况图；图2为本专利技术第一实施例的悬臂式的线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构的示意图；图3为本专利技术第二实施例的悬臂式的线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构的示意图；图4为本专利技术第一实施例的双支撑的线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构的示意图；以及图5为本专利技术第二实施例的双支撑的线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构的示意图。【符号说明】100：线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构10：第一电浆反应腔体110：第一反应腔室20：水平滑动模块211：第一高度支撑件212：第一水平支撑件212a：第一水平滑轨213：第一滑动件213a：第一滑套213c：第一滑道213b：第二滑套214：第二滑动件214a：第二滑轨221：第二高度支撑件222：第二水平支撑件222a：第二水平滑轨30：线圈支架40：线圈模块X：X轴向Y：Y轴向具体实施方式如图2及图3所示，本实施例为一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构100，其包括：第一电浆反应腔体10；水平滑动模块20；线圈支架30；以及线圈模块40。第一电浆反应腔体10，其例如是一可以完成半导体或光电元件蚀刻制程的电浆反应腔体，又第一电浆反应腔体10具有第一反应腔室110。水平滑动模块20，其具有：至少一个第一高度支撑件211；第一水平支撑件212；第一滑动件213；及第二滑动件214。第一高度支撑件211，其固设于第一电浆反应腔体10的第一侧，又第一高度支撑件211支撑线圈模块40及使线圈模块40跨越第一电浆反应腔体10的高度，以便线圈模块40在第一电浆反应腔体10上方移动时，不会与第一电浆反应腔体10互相干涉。第一水平支撑件212，其结合于至少一个第一高度支撑件211上，其主要是提供线圈模块40，在第一电浆反应腔体10上方移动时的水平支撑。第一滑动件213，其第一端部可水平滑动的结合于第一水平支撑件212，借由第一滑动件213的水平滑动，因此使线圈模块40能进行第一轴向的移动。第二滑动件214，其可水平滑动的结合于第一滑动件213，借由第二滑动件214的水平滑动，因此使线圈模块40能进行第二轴向的移动；当第一水平支撑件212与第一滑动件213相互垂直设置，则第一滑动件213的第一轴向可以为Y轴向(Y)，又第二滑动件214的第二轴向可以为X轴向(X)，因此借由第一滑动件213及第二滑动件214的交互作用，就可以使线圈模块40在第一电浆反应腔体10上方，进行X轴向(X)或Y轴向(Y)的任意移动。又为了有效的进行滑动，因此第一水平支撑件212可具有第一水平滑轨212a，又第一滑动件213的第一端部可具有第一滑套213a，且第一滑套213a可滑动的结合于第一水平滑轨212a上。又第一滑动件213也可设有第一滑道213c，又第二滑动件214也可具有第二滑轨214a，且第二滑轨214a可滑动的结合于第一滑道213c。线圈支架30，其结合于第二滑动件214，且形成于第一电浆反应腔体10的上方处，线圈支架30主要配合第一滑动件213及第二滑动件214，因而可以进行X轴向(X)或Y轴向(Y)的任意移动，又线圈支架30主要用以支撑及携带线圈模块40进行移动。线圈模块40，其固设于线圈支架30上，线圈模块40主要提供第一反应腔室110内电浆形成的能量，以便有效的进行反应腔室壁体上沉积物的清除。如图4及图5所示，为了使第一滑动件213能获得更稳固的支撑及更平顺的滑动，水平滑动模块20可进一步具有：至少一个第二高度支撑件221；以及第二水平支撑件222。第二高度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构，其特征在于，包括：/n第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；/n水平滑动模块，其具有：/n至少一个第一高度支撑件，其固设于该第一电浆反应腔体的第一侧；/n第一水平支撑件，其结合于该至少一个第一高度支撑件上；/n第一滑动件，其第一端部水平滑动结合于该第一水平支撑件；及/n第二滑动件，其水平滑动结合于该第一滑动件；/n线圈支架，其结合于该第二滑动件，且形成于该第一电浆反应腔体的上方处；以及/n线圈模块，其固设于该线圈支架；/n其中该第一滑动件及该第二滑动件，使该线圈模块在该第一电浆反应腔体上方，进行X轴向或Y轴向的移动。/n

【技术特征摘要】
1.一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构，其特征在于，包括：
第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；
水平滑动模块，其具有：
至少一个第一高度支撑件，其固设于该第一电浆反应腔体的第一侧；
第一水平支撑件，其结合于该至少一个第一高度支撑件上；
第一滑动件，其第一端部水平滑动结合于该第一水平支撑件；及
第二滑动件，其水平滑动结合于该第一滑动件；
线圈支架，其结合于该第二滑动件，且形成于该第一电浆反应腔体的上方处；以及
线圈模块，其固设于该线圈支架；
其中该第一滑动件及该第二滑动件，使该线圈模块在该第一电浆反应腔体上方，进行X轴向或Y轴向的移动。


2.根据权利要求1所述的蚀刻机结构，其特征在于，该第一水平支撑件具有第一水平滑轨，又该第一端部具有第一滑套，且该第一滑套可滑动的结合于该第一水平滑轨。


3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志隆，蔡兆哲，陈俊龙，
申请(专利权)人：聚昌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71