【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
微型LED元件被期待为例如AR(AugmentedReality)用眼镜型终端及平视显示器(HUD)用的显示元件。具备多个这样的微型LED元件的图像显示元件例如成为在光源中的放射光源光的一侧的面配置有使作为光源光的蓝色光透射的带通滤波器以及波长转换层的结构。波长转换层可考虑将对蓝色光的波长进行波长转换的荧光体与滤色器层叠的结构。此外,在波长转换层的光放射面上,以往为了防止液晶显示元件、光源光的泄漏,配置有反射光源光,并且配置有透射波长转换后的光的带通滤波器。作为上述现有的具备图像显示元件的图像显示装置,例如,专利文献1中公开了一种关于荧光体和滤色器的组,将彼此相邻的两个组用黑色矩阵划分的显示装置。该黑矩阵作为遮挡上述两个组间的光的进入的遮光材料发挥功能。此外,在专利文献1的显示装置中,在滤色器中的放射光的一侧的面设置有对置基板。该显示面板使用直视型比较大的显示元件。此外,例如,专利文献2中公开了在红色着色层、绿色着色层以及蓝色着色层的放射光的一侧的面上设置有基板主体与外光滤波器的层叠体的显示装置。此外,在专利文献3中公开了在红色转换层、绿色转换层以及蓝色转换层的放射光的一侧的面设置有第三基板的显示装置。专利文献2的层叠体及专利文献3的第三基板都是为了防止光源光的泄漏而反射该光源光,且透射从着色层(转换层)放射的光。先行技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2010/143461号公报专利文献2:日本特开2013-2139 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置,其具有多个像素,所述像素由三个以上的子像素构成,所述显示装置的特征在于,/n作为所述三个以上的子像素包括:/n第一子像素,其具有放射第一波长的光的第一光源;/n第二子像素,其具有:第二光源,其放射第一波长的光;以及第一波长转换部,其将从所述第二光源放射的所述第一波长的光转换成第二波长的光,并且所述第二子像素与所述第一子像素相邻地配置;/n第三子像素,其具有:第三光源,其放射第一波长的光;以及第二波长转换部,其将从所述第三光源放射的所述第一波长的光转换成第三波长的光,并且所述第三子像素与所述第二子像素相邻地配置,/n所述显示装置还具备第一层,所述第一层反射所述第一波长的光,且透射所述第二波长的光和所述第三波长的光,/n所述第一层覆盖所述第一波长转换部中的放射所述第二波长的光的一侧的表面和所述第二波长转换部中的放射所述第三波长的光的一侧的表面,且所述第一层最大为与所述第一光源的一部分相对的大小。/n
【技术特征摘要】
20191217 JP 2019-2275201.一种显示装置,其具有多个像素,所述像素由三个以上的子像素构成,所述显示装置的特征在于,
作为所述三个以上的子像素包括:
第一子像素,其具有放射第一波长的光的第一光源;
第二子像素,其具有:第二光源,其放射第一波长的光;以及第一波长转换部,其将从所述第二光源放射的所述第一波长的光转换成第二波长的光,并且所述第二子像素与所述第一子像素相邻地配置;
第三子像素,其具有:第三光源,其放射第一波长的光;以及第二波长转换部,其将从所述第三光源放射的所述第一波长的光转换成第三波长的光,并且所述第三子像素与所述第二子像素相邻地配置,
所述显示装置还具备第一层,所述第一层反射所述第一波长的光,且透射所述第二波长的光和所述第三波长的光,
所述第一层覆盖所述第一波长转换部中的放射所述第二波长的光的一侧的表面和所述第二波长转换部中的放射所述第三波长的光的一侧的表面,且所述第一层最大为与所述第一光源的一部分相对的大小。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
在所述第一层中的比另一侧面更靠近所述第一子像素配置的两个接近侧面中,至少一个所述接近侧面朝向配置在最靠近所述一个所述接近侧面的所述第二子像素或配置在最靠近所述一个所述接近侧面的所述第三子像素倾斜。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第一层的至少一部分形成为层叠有两种以上的功能层的结构,所述两种以上的功能层相对于所述第一波长的光的折射率各自不同。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述第一层具有:
第一部分,其在垂直于所述第一层中的与背面相反的一侧的表面的方向上层叠有所述两种以上的功能层,所述背面与所述第一波长转换部及所述第二波长转换部相对;以及
第二部分,其在垂直于倾斜侧面的倾斜方向的方向上层叠有反射所述第一波长的光且透射所述第二波长的光及所述第三波长的光的两种以上的功能层,所述倾斜侧面是朝向所述第二子像素或所述第三子像素倾斜的所述接近侧面。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述第一层中的包括倾斜侧面的端部与所述第一光源的一部分相对,且构成为层叠有两种以上的功能层的结构,所述两种以上的功能层反...
【专利技术属性】
技术研发人员:前川真澄,井口胜次,高桥幸司,
申请(专利权)人:夏普福山半导体株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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