一种基于二维平面的共耦通信信道结构制造技术

本实用新型专利技术涉及GPF传感器芯片通信技术领域，具体是一种基于二维平面的共耦通信信道结构，在第一陶瓷板上设置有MEMS1芯片，所述MEMS1芯片的外围通过第一陶瓷围挡套设；在第二陶瓷板上设置有MEMS2芯片，所述MEMS2芯片的外围通过第二陶瓷围挡套设；第一陶瓷围挡内有两端分别设置有脉冲激励源的X1氮化镓通道，所述脉冲激励源分别通过P1、P2信号传输通道与MEMS1芯片连接；所述第二陶瓷围挡内有两端分别设置有所述脉冲激励源的X2氮化镓通道，所述脉冲激励源分别通过P3、P4信号传输通道与MEMS2芯片连接；X3氮化镓通道的两端分别与所述X1、X2氮化镓通道连通构成H型的RING环通交换道。本结构可大大降低信号的延迟和损失，不会对电性能造成影响。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二维平面的共耦通信信道结构
本技术涉及GPF传感器芯片通信
，尤其涉及一种基于二维平面的共耦通信信道结构。
技术介绍
在集成IC芯片的应用中，多IC的并行共耦通信一直是一个难以圆满解决的问题。并行共耦通信是指多个集成IC芯片将输入，输出以及内部计算的数据进行在一个特定形状的信号通道上进行互相交换，现在的大型集成IC上面，普遍使用了三维结构的共耦芯信道设计。虽然三维机构具有很高的立体空间利用率，但也存在着体积庞大，结构复杂等问题，复杂的结构设计反而带来的是信号传输延迟以及被过度反射和衰减等一系列问题。在传感器领域，三维结构也无法将其庞大的体积封装在SSOP8芯片内部，反而阻碍了传感器电路模块的集成化。因此，急需一种新的改进来解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的问题，提供了一种基于二维平面的共耦通信信道结构，将它用在了GPF产品上面，根据香农信道定理：二维平面的共耦通信信道比其他传统的3维立体架构速度快了87％，可将传感器压力信号的延迟控制在80μS，最终使GPF产品达到了汽车级AEC-Q200的标准。本结构可大大降低信号的延迟和损失，且由于信号的传输过程中都会经过H型RING环交换道，减少了中间的积热过程，两个MEMES的发热量都控制在了一定的水平内，不会对电性能造成影响。上述目的是通过以下技术方案来实现：一种基于二维平面的共耦通信信道结构，包括第一陶瓷板和第二陶瓷板，所述第一陶瓷板上设置有MEMS1芯片，所述MEMS1芯片的外围通过与所述第一陶瓷板粘接的第一陶瓷围挡套设；所述第二陶瓷板上设置有MEMS2芯片，所述MEMS2芯片的外围通过与所述第二陶瓷板粘接的第二陶瓷围挡套设；所述第一陶瓷围挡内还设置有X1氮化镓通道，所述X1氮化镓通道的两端分别设置有脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P1信号传输通道和P2信号传输通道与所述MEMS1芯片连接；所述第二陶瓷围挡内还设置有X2氮化镓通道，所述X2氮化镓通道的两端分别设置有所述脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P3信号传输通道和P4信号传输通道与所述MEMS2芯片连接；还包括贯穿所述第一陶瓷围挡和所述第二陶瓷围挡侧壁的X3氮化镓通道，所述X3氮化镓通道的两端分别与所述X1氮化镓通道和所述X2氮化镓通道连通，构成H型的RING环通交换道。优选的，所述P1信号传输通道和所述P3信号传输通道用于传输模拟量和其有关的算值，包括温度、输出压力等。优选的，所述P2信号传输通道和所述P4信号传输通道用于传输数字量和其有关的计算值。优选的，所述P1信号传输通道、所述P2信号传输通道、所述P3信号传输通道和所述P4信号传输通道位于同一平面内。优选的，所述X1氮化镓通道、所述X2氮化镓通道和所述X3氮化镓通道为管状，内部相互连通，且内壁表面光滑。有益效果本技术所提供的一种基于二维平面的共耦通信信道结构，将它用在了GPF产品上面，根据香农信道定理：二维平面的共耦通信信道比其他传统的3维立体架构速度快了87％，可将传感器压力信号的延迟控制在80μS，最终使GPF产品达到了汽车级AEC-Q200的标准。本结构可大大降低信号的延迟和损失，且由于信号的传输过程中都会经过H型RING环交换道，减少了中间的积热过程，两个MEMES的发热量都控制在了一定的水平内，不会对电性能造成影响。附图说明图1为本技术所述一种基于二维平面的共耦通信信道结构的结构示意图。具体实施方式下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。如图1所示，一种基于二维平面的共耦通信信道结构，包括第一陶瓷板1和第二陶瓷板2，所述第一陶瓷板1上设置有MEMS1芯片3，所述MEMS1芯片3的外围通过与所述第一陶瓷板1粘接的第一陶瓷围挡5套设；所述第二陶瓷板2上设置有MEMS2芯片4，所述MEMS2芯片4的外围通过与所述第二陶瓷板2粘接的第二陶瓷围挡6套设；所述第一陶瓷围挡1内还设置有X1氮化镓通道7，所述X1氮化镓通道7的两端分别设置有脉冲激励源14，所述脉冲激励源14分别通过P1信号传输通道10和P2信号传输通道11与所述MEMS1芯片3连接；所述第二陶瓷围挡6内还设置有X2氮化镓通道8，所述X2氮化镓通道8的两端分别设置有所述脉冲激励源14，所述脉冲激励源14分别通过P3信号传输通道12和P4信号传输通道13与所述MEMS2芯片4连接；还包括贯穿所述第一陶瓷围挡5和所述第二陶瓷围挡6侧壁的X3氮化镓通道9，所述X3氮化镓通道9的两端分别与所述X1氮化镓通道7和所述X2氮化镓通道8连通，构成H型的RING环通交换道。本结构中，所述P1信号传输通道10和所述P3信号传输通道12为上通道，用于传输模拟量和其有关的算值，包括温度、输出压力等；所述P2信号传输通道和所述P4信号传输通道为下通道，用于传输数字量和其有关的计算值；且所述P1信号传输通道10、所述P2信号传输通道11、所述P3信号传输通道12和所述P4信号传输通道13位于同一平面内。作为本结构的进一步优化，所述X1氮化镓通道7、所述X2氮化镓通道8和所述X3氮化镓通道9为管状，内部相互连通，且内壁表面光滑。工作流程如下：传感器开始时，两颗MEMS芯片同时向对方传输各自的数据，MEMS1芯片1从P1信号传输通道10和P2信号传输通道11端输出数据，MEMS2芯片2从P3信号传输通道12和P4信号传输通道13端输出，当MEMS1芯片1的数据到达X1氮化镓通道7时，X1氮化镓通道7两侧的脉冲激励源14会发出一个高脉冲，此时P1信号传输通道10和P2信号传输通道11内的数据会分别被脉冲激励源14改变了方向，共同在X1氮化镓通道7内传输，并在X1氮化镓通道7和X3氮化镓通道9的交叉口处通过识别各自尾部的报文代码而汇总到一起，共同在X3氮化镓通道9内传输，并最终在X2氮化镓通道8自然分流，传输到P3信号传输通道12和P4信号传输通道13。另一边，从MEMS2芯片2传输出来的P3信号传输通道12和P4信号传输通道13端的数据，正常在上下两通道内传输，当后面经过X1氮化镓通道7的两边时，X1氮化镓通道7两侧的脉冲激励源14会发根据X3氮化镓通道9内的数据传输情况，发出一个信号周期占空比特定的一个低脉冲信号，依次来加速或减速MEMS2芯片2传输过来的数据的流速，最终使一次交换循环内两边的信号能同时到达终端，同时整个速度比一般的三维架构提升了87％，并且大大降低了信号的延迟和损失。此外，由于信号的传输过程中都会经过H型RING环交换道，减少了中间的积热过程，两个MEMS芯片的发热量都控制在了一定的水平内，不会对电性能造成影响。以上所述仅为说明本技术的实施方式，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二维平面的共耦通信信道结构，其特征在于：包括第一陶瓷板和第二陶瓷板，所述第一陶瓷板上设置有MEMS1芯片，所述MEMS1芯片的外围通过与所述第一陶瓷板粘接的第一陶瓷围挡套设；所述第二陶瓷板上设置有MEMS2芯片，所述MEMS2芯片的外围通过与所述第二陶瓷板粘接的第二陶瓷围挡套设；所述第一陶瓷围挡内还设置有X1氮化镓通道，所述X1氮化镓通道的两端分别设置有脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P1信号传输通道和P2信号传输通道与所述MEMS1芯片连接；所述第二陶瓷围挡内还设置有X2氮化镓通道，所述X2氮化镓通道的两端分别设置有所述脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P3信号传输通道和P4信号传输通道与所述MEMS2芯片连接；还包括贯穿所述第一陶瓷围挡和所述第二陶瓷围挡侧壁的X3氮化镓通道，所述X3氮化镓通道的两端分别与所述X1氮化镓通道和所述X2氮化镓通道连通，构成H型的RING环通交换道。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于二维平面的共耦通信信道结构，其特征在于：包括第一陶瓷板和第二陶瓷板，所述第一陶瓷板上设置有MEMS1芯片，所述MEMS1芯片的外围通过与所述第一陶瓷板粘接的第一陶瓷围挡套设；所述第二陶瓷板上设置有MEMS2芯片，所述MEMS2芯片的外围通过与所述第二陶瓷板粘接的第二陶瓷围挡套设；所述第一陶瓷围挡内还设置有X1氮化镓通道，所述X1氮化镓通道的两端分别设置有脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P1信号传输通道和P2信号传输通道与所述MEMS1芯片连接；所述第二陶瓷围挡内还设置有X2氮化镓通道，所述X2氮化镓通道的两端分别设置有所述脉冲激励源，所述脉冲激励源分别通过P3信号传输通道和P4信号传输通道与所述MEMS2芯片连接；还包括贯穿所述第一陶瓷围挡和所述第二陶瓷围挡侧壁的X3氮化镓通道，所述X3氮化镓通道的两端分别与所述X1氮化镓通道和所述X2氮化镓通道连通，构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旖雯，
申请(专利权)人：无锡永阳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32