非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品技术

本申请提供一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品。非金属吸收渐变薄膜的制备方法，包括：根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。具膜器件，使用所述的制备方法在所述基材上制备得到。电子产品，包括所述的具膜器件。本申请提供的非金属吸收渐变薄膜的制备方法，可以得到符合要求的黄白渐变色薄膜，同时能够满足手机对薄膜电阻值的要求。

【技术实现步骤摘要】
非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品
本申请涉及电子产品后盖
，尤其涉及一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品。
技术介绍
随着5G时代的到来，智能手机、智能手表等电子产品的广泛普及，消费者对电子产品的要求不仅仅局限于性能、寿命，对视觉效果及外观的要求也越来越高，目前非金属材质的手机后盖已成为多数消费电子产品厂商中高端机型所追求的设计方向之一，采用非金属材料制备符合外观要求的手机后盖薄膜也是研究热点之一。仅采用传统的丝印、或者金属镀膜技术在陶瓷、玻璃或者宝石表面形成的外观效果、抗划伤性等已不能满足其信赖性要求，易对消费者造成审美疲劳的困扰，而且其电阻值也往往不能满足实际需求。因此，具有强抗划伤性、高附着力、满足各严苛性能测试、赏心悦目令人心情愉悦的非金属吸收渐变薄膜制备工艺具有很大的应用价值。有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品，以解决上述问题。为实现以上目的，本申请特采用以下技术方案：一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法，包括：根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。优选地，所述单晶硅层的厚度为10.2-14.66nm，所述氮化硅层的厚度为13.81-19.85nm，所述二氧化硅层的厚度为52.43-75.37nm。各个膜层的厚度均大于10nm，不存在薄层结构，薄膜稳定性好。可选地，所述单晶硅层的厚度可以为10.2nm、11nm、12nm、13nm、14nm、14.66nm以及10.2-14.66nm之间的任一值，所述氮化硅层的厚度可以为13.81nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、19.85nm以及13.81-19.85nm之间的任一值，所述二氧化硅层的厚度可以为52.43nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、75.37nm以及52.43-75.37nm之间的任一值。优选地，所述渐变薄膜的厚度为76.44-109.88nm。膜层可波动范围大，颜色越不敏感，颜色越稳定，批量生产维护更容易，更适合批量生产。因此，此膜系结构不仅满足对颜色外观的需求，还集总膜厚较薄(一般总膜厚不大于300nm的膜系)、无电阻NG风险、颜色稳定于一身。可选地，所述渐变薄膜的厚度可以为76.44nm、80nm、90nm、100nm、109.88nm以及76.44-109.88nm之间的任一值。优选地，镀膜时，所述单晶硅层的镀膜速率为0.03-0.08nm/s，所述氮化硅层的镀膜速率为0.13-0.25nm/s，所述二氧化硅层的镀膜速率为0.08-0.24nm/s。镀膜速率的控制，有利于提升膜层的稳定性，并使得色彩的渐变更加自然。可选地，所述单晶硅层的镀膜速率可以为0.03nm/s、0.04nm/s、0.05nm/s、0.06nm/s、0.07nm/s、0.08nm/s以及0.03-0.08nm/s之间的任一值，所述氮化硅层的镀膜速率可以为0.13nm/s、0.15nm/s、0.20nm/s、0.25nm/s以及0.13-0.25nm/s之间的任一值，所述二氧化硅层的镀膜速率可以为0.08nm/s、0.10nm/s、0.15nm/s、0.20nm/s、0.24nm/s以及0.08-0.24nm/s之间的任一值。优选地，所述镀膜挡板组成按照目标图样颜色由浅至深依次对应包括全遮挡区、长遮挡区和短遮挡区。镀膜挡板的这种配置是为了满足由白色到黄色渐变的外观需求。全遮挡区为白色区域（浅色区），长遮挡区为浅黄色区域，短遮挡区为深黄色区域（深色区）。长遮挡区与全遮挡区交界的地方也会有一点点溅射，所以能制备出白色与很浅的浅白色之间（由于长遮挡区与全遮挡区交界处，存在绕镀，所以交界处的白不是纯白，而是掺杂一点淡黄的白，所以称之为浅白）的渐变。需要说明的是，镀膜挡板的上述配置是为了达到颜色由浅至深的变化需求。对于不同的变化趋势，是可以对镀膜挡板的设计进行调整的。优选地，所述“根据目标图样设计膜系组成”包括：根据所述目标图样的颜色选择成膜材料，然后得到波长-反射率设计曲线；依据所述波长-反射率设计曲线判断成膜材料的选择是否合适，然后确定所述膜系组成。波长-反射率设计曲线的获得，实际上是从理论上证明所选择的成膜材料是否能够得到目标图样的颜色；获得能够得到目标图样颜色的成膜材料之后，还需要验证和修正其镀膜参数，最终得到膜系组成。优选地，镀膜之后还包括：在所述非金属吸收渐变薄膜的表面喷涂或者丝印白色油墨。优选地，所述基材包括陶瓷、玻璃、宝石、PET中的任一种。本申请还提供一种具膜器件，使用所述的制备方法在基材上制备得到。该具膜器件可以是手机后盖、玩具壳、家用电器外壳等在其表面设置上述非金属吸收渐变薄膜的产品。本申请还提供一种电子产品，包括所述的具膜器件。本申请所指的电子产品，是指具有上述具膜器件的产品，例如手机、电动玩具、电脑、电子手表等相关产品。与现有技术相比，本申请的有益效果包括：本申请提供的非金属吸收渐变薄膜的制备方法，使用单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层配合作为膜系组成，利用其折射率、消光系数等特性，获得符合外观要求的颜色；并进一步通过与镀膜挡板组成进行配合，获得从白到黄的符合目标图样色彩的非金属吸收渐变薄膜；所得非金属吸收渐变薄膜，稳定性好，耐热、耐冲击、耐紫外照射，而且基于膜系组成的选择，使用非金属材料制得的薄膜，其产品的电阻值符合手机后盖使用要求。本申请提供的具膜器件和电子产品，具有黄白渐变色（类似于牛奶咖啡色），具有强抗划伤性、高附着力、信赖性好、外观赏心悦目，具有很好的市场前景。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对本申请范围的限定。图1为实施例的目标图样；图2为实施例1提供的波长-反射率设计曲线；图3为实施例1提供的镀膜挡板组成和颜色效果图；图4为常规的镀膜挡板组成和颜色效果图；图5为实施例1得到的产品的外观示意图；图6为对比例3提供的波长-反射率设计曲线；图7为对比例3得到的产品的外观示意图；图8为对比例4提供的波长-反射率设计曲线；图9为对比例4得到的产品的外观示意图。具体实施方式如本文所用之术语：“由……制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；/n所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；
所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单晶硅层的厚度为10.2-14.66nm，所述氮化硅层的厚度为13.81-19.85nm，所述二氧化硅层的厚度为52.43-75.37nm。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述渐变薄膜的厚度为76.44-109.88nm。


4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，镀膜时，所述单晶硅层的镀膜速率为0.03-0.08nm/s，所述氮化硅层的镀膜速率为0.13-0.25nm/s，所述二氧化硅层的镀膜速率为0.08-0.24nm/s。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：田兴波，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43