【技术实现步骤摘要】
发光器件封装材料及其合成方法、封装胶
本专利技术涉及封装材料领域,尤其涉及一种发光器件封装材料及其合成方法、封装胶。
技术介绍
发光器件封装是指发光芯片的封装。在此处,发光器件可以是LED(半导体发光二极管)器件。发光器件的封装对封装材料有特殊的要求。发光器件封装要求封装材料具有良好的光学性能,如透光率和折射率;而且还要求封装材料具有良好的密封性。良好的密封性能够有效保护灯芯,防止芯片在潮湿空气中暴露而失效。现有技术中,用于封装发光器件的封装材料存在粘结强度不高、折射率低、防潮性能差的问题。
技术实现思路
针对现有技术中的封装材料存在粘结强度不高、折射率低、防潮性能差的问题,本专利技术提供了一种发光器件封装材料及其合成方法、封装胶,以提高封装材料的粘结强度、折射率和防潮性能。本专利技术提供的一种发光器件封装材料,具有如下结构:(PhSiO3/2)a(R1R2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c(R4MeSiO3/2)d(R5SiO3/2)e(R6MeSiO3/2)f(Vi-Me2SiO1/2)g;其中,R1为甲基、苯基中的一种,R2为甲基、苯基、乙烯基中的一种,R3为γ-缩水甘油醚氧丙基、β-(3,4-环氧环己基)乙基、γ-甲基丙烯酰氧基丙基中的一种,R4为γ-缩水甘油醚氧丙基、γ-甲基丙烯酰氧基丙基中的一种,R5为三氟丙基、全氟辛基、全氟癸基的一种,R6为三氟丙基;a、b、c、d、e、f和g为非负数,a、b、g不为零,c和d不同时为零,e和f不同 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件封装材料,具有如下结构:/n(PhSiO
【技术特征摘要】
1.一种发光器件封装材料,具有如下结构:
(PhSiO3/2)a(R1R2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c(R4MeSiO3/2)d(R5SiO3/2)e(R6MeSiO3/2)f(Vi-Me2SiO1/2)g;
其中,R1为甲基、苯基中的一种,R2为甲基、苯基、乙烯基中的一种,R3为γ-缩水甘油醚氧丙基、β-(3,4-环氧环己基)乙基、γ-甲基丙烯酰氧基丙基中的一种,R4为γ-缩水甘油醚氧丙基、γ-甲基丙烯酰氧基丙基中的一种,R5为三氟丙基、全氟辛基、全氟癸基的一种,R6为三氟丙基;
a、b、c、d、e、f和g为非负数,a、b、g不为零,c和d不同时为零,e和f不同时为零,且a+b+c+d+e+f+g=1。
2.一种发光器件封装材料的合成方法,其特征在于,包括:
以三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和乙烯基封端剂为原料,在混合溶剂体系下发生第一反应,反应完毕后得到第一反应液,通过第一净化程序处理所述第一反应液,获得第一产物;
将所述第一产物与硅烷偶联剂、含氟硅氧烷发生第二反应,反应完毕后得到第二反应液,通过第二净化程序处理所述第二反应液,获得第二产物;
所述硅烷偶联剂为环氧烃基硅烷和/或(甲基)丙烯酰氧基硅烷,所述第二产物为苯基乙烯基氟硅树脂。
3.如权利要求2所述的发光器件封装材料的合成方法,其特征在于,所述含氟硅氧烷选自三氟丙基三甲氧基硅烷、三氟丙基三乙氧基硅烷、甲基三氟丙基二甲氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷中的至少一种;
所述含氟硅氧烷的摩尔数为所述原料总摩尔数的2%~5%。
4.如权利要求2所述的发光器件封装材料的合成方法,其特征在于,所述混合溶剂体系包括水和水溶性溶剂,所述水溶性溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇中的至少一种;
水溶性溶剂的质量为原料总质量的0.3~0.8倍;
水的摩尔数为原料的可水解基团的摩尔数的1~3倍。
5.如权利要求4所述的发光器件封装材料的合成方法,其特征在于,所述第一反应的催化剂为酸催化剂,所述酸催化剂选自盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、三氟甲烷磺酸、乙酸、草酸、对甲苯磺酸和酸性白土中的至少一种;所述酸催化剂与水的质量比为0.5:99.5~5:95;
所述第二反应的催化剂为碱催化剂,所述碱催化剂选自氢氧化钠、氢氧化钾、乙醇钠、乙醇钾中的至少一种;所述碱催化剂的质量为参与所述第二反应的反应物和溶剂总质量的2~8ppm。
6.如权利要求2所述的发光器件封装材料的合成方法,其特征在于,所述三烷氧基硅烷为苯基三甲氧基硅烷和/或苯基三乙氧基硅烷,所述三烷氧基硅烷的摩尔数...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵大成,王育才,张燕,
申请(专利权)人:深圳新宙邦科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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