一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法技术

本发明专利技术提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；对所述研磨机进行保养。所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面产生镜面效果，增加CMP Ring的研磨使用次数。

【技术实现步骤摘要】
一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法
本专利技术属于化学机械抛光领域，涉及一种PPS大平面研磨方法，尤其涉及一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)是一种被普遍使用的平面化方法，在化学机械抛光时，抛光头夹持着晶圆，并将晶圆压紧在抛光垫上。晶圆在抛光时容纳在抛光头上的保持环之中，保持环起着容纳和定位晶圆的作用。在抛光过程中，抛光液和去离子水不断的与保持环接触，因此保持环需要具有一定的耐腐蚀性。CN211103391U公开了一种化学机械研磨环，该化学机械研磨环包含第一环形部与第二环形部，第一环形部的材质可以是不锈钢，第二环形部的材质可以是高阶塑料，例如PPS(聚苯硫醚)。第二环形部包含内环面、外环面与下表面，其中下表面位于内环面与外环面之间。第二环形部还包含多个排水沟槽，各排水沟槽具有内开口、外开口、下开口与槽底面，内开口位于内环面，外开口位于外环面，下开口位于下表面，槽底面相对于下开口，其中各排水沟槽的截面的宽度自下开口朝槽底面渐扩。CN109420969A公开了一种研磨头和化学机械研磨装置，所述研磨头包括限位环，所述限位环与研磨垫相接触的面设置为曲面。该研磨头和化学机械研磨装置，有效改善了化学机械研磨过程中，限位环与研磨垫接触时产生的应力集中，减少了限位环对研磨垫的刮擦损伤，从而改善了半导体晶圆的化学机械研磨质量，有效提升了产品良率，同时也减少了生产成本。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面产生镜面效果，增加CMPRing的研磨使用次数。为达到上述技术效果，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；对所述研磨机进行保养。本专利技术中，通过建立标准化的研磨流程和方法，有效提高了PPS大平面研磨的效率，提升了CMPRing的研磨使用次数。同时通过研磨参数的合理设定，提高了PPS大平面的研磨效果，使其具有优异的镜面效果。作为本专利技术优选的技术方案，所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置。本专利技术中，所述研磨液导管安装包括：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧。本专利技术中，所述研磨机清洗包括：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用DISK打磨至少5min，然后清水冲洗至少5min。本专利技术中，研磨盘表面清洗完成后，将研磨垫安装，研磨垫与研磨盘需同心安装，且粘贴后中间无鼓包产生。作为本专利技术优选的技术方案，所述参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置。作为本专利技术优选的技术方案，所述压力包括工作压力以及主压力。优选地，所述工作压力为0.11～0.13MPa，如0.112MPa、0.115MPa、0.118MPa、0.12MPa、0.122MPa、0.125MPa或0.128MPa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。优选地，所述主压力为0.29～0.31MPa，如0.292MPa、0.295MPa、0.298MPa、0.30MPa、0.302MPa、0.305MPa或0.308MPa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述转速包括压台转速以及载台转速。优选地，所述压台转速为60～70rpm，如61rpm、62rpm、63rpm、64rpm、65rpm、66rpm、67rpm、68rpm或69rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。优选地，所述载台转速为50～60rpm，如51rpm、52rpm、53rpm、54rpm、55rpm、56rpm、57rpm、58rpm或59rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述蠕动泵设置转速为115～125rpm，如116rpm、117rpm、118rpm、119rpm、120rpm、121rpm、122rpm、123rpm或124rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。优选地，所述研磨时间为30～40min，如31min、32min、33min、34min、35min、36min、37min、38min或39min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述研磨液准备包括使用纯水对所述研磨液进行稀释。优选地，所述纯水与所述研磨液的体积比为1～5:1，如1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1或4.5:1等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。本专利技术中，所述研磨液在使用8小时后需进行更换。优选地，所述产品准备包括对所述产品进行外观检查、超声波清洗以及胶带防护。本专利技术中，所述外观检查需确保产品表面没有污迹和磕伤。所述超声波清洗时间不低于1min，且清洗后需用气枪吹干。所述胶带防护，需在螺纹孔面和内侧台阶圆处粘贴特氟龙胶带。作为本专利技术优选的技术方案，所述研磨产品结束后对所述研磨机的研磨垫进行清洗。优选地，所述研磨产品结束后对所述研磨产品进行清洗，防止研磨液在产品表面结晶。作为本专利技术优选的技术方案，所述研磨机在超过10min无产品研磨时，需让机台处于空运行状态，研磨液循环流动，保持机台湿润，防止结晶。作为本专利技术优选的技术方案，所述研磨机的保养包括对研磨液进行冲洗、对研磨垫进行打磨以及对研磨垫和研磨头进行保护。与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术提供一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面产生镜面效果，增加CMPRing的研磨使用次数。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。实施例1本实施例提供一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：(1)对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置；研磨液导管安装：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧；研磨机清洗：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用DISK打磨5min，然后清水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括：/n对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；/n将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；/n对所述研磨机进行保养。/n

【技术特征摘要】
1.一种200mmCMPRingPPS大平面研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括：
对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；
将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；
对所述研磨机进行保养。


2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置。


3.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，所述参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置。


4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述压力包括工作压力以及主压力；
优选地，所述工作压力为0.11～0.13MPa；
优选地，所述主压力为0.29～0.31MPa。


5.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述转速包括压台转速以及载台转速；
优选地，所述压台转速为60～70rpm；
优选地，所述载台转速为50～60rpm。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，章丽娜，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33