使用先进先出存储器的RAM数据传送装置及其方法制造方法及图纸

一种ＲＡＭ数据传送装置，包括ＲＡＭ；含有预置存储区的先进先出存储器，响应写启动信号依次写入ＲＡＭ中的ＲＡＭ数据，和如ＲＡＭ数据写入比存储区要小的第一区时，产生第一标记，如写入比存储区要小和比第一区要大的第二区时，产生第二标记和如果没有ＲＡＭ数据写入时，产生第三标记；控制器，用于如产生第一标记时，产生写启动信号直到产生第二标记；数据存取电路，用于如产生第二标记时，连续存取写入在ＦＩＦＯ存储器中的ＲＡＭ数据直到产生第三标记时为止。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于传送存储在RAM(只读存储器)中数据的装置，并特别涉及在将数据瞬时写入到FIFO(先进先出)存储器之后传送存储在RAM中数据的装置及其方法。本申请是以韩国的申请号为39610/1995、专利技术名称为使用FIFO存储器的RAM数据传送装置的申请为基础而提出的，在此引入作为参考。通常，如密集盘(compact disk)-ROM解码器这样的装置具有外部连接的RAM。对连接到CD-ROM解码器的RAM，通常称为动态RAM，当需要操作时，将外部所加的数据(从密集盘读出的数据)进行瞬时写入和读出处理。也就是，CO-ROM解码器通过从外部读出写在RAM上的数据执行所需的动作，例如纠错，然后再将其写在RAM上。纠错以后写入RAM的数据由主计算机进行存取及处理。在由主计算机存取写在RAM上的数据(后面称为RAM数据)时，通常插入先进先出存储器(后面称FIFO)。换言之，当主计算机需要存取时，传送写在FIFO上并从FIFO中读出的RAM数据。该传送动作由表示FIFO状态的空标记和全标记来控制。控制FIFO的操作的控制器用这些标记来确定FIFO的状态，并把RAM数据的传送请求施加到RAM控制器，以便控制RAM的操作。然后根据RAM数据传送请求，RAM控制器把RAM数据写在FIFO上。主计算机使用空标记读出写在FIFO上的RAM数据。当出现上述空标记时，根据产生的RAM数据传送请求，RAM控制器具有写在FIFO上的RAM数据。当在FIFO的所有区域内写上RAM数据时，产生全标记并停止RAM数据传送请求。此时，当主计算机读出写在FIFO上的数据时，消除产生的全标记，以致于再次产生RAM数据传送请求。每当FIFO全满(FU11)时，主计算机存取写在FIFO上的RAM数据，RAM数据传送请求的频率通常与存取次数成比例产生。然而，由于RAM需要用于许多方面，频繁的RAM数据传送请求使其无能力给其它方面提供少的使用机会。当FIFO变空时请求RAM数据的传送而每当FIFO变空时中断主计算机的数据存取操作。因此，连续存取数据是困难的。因此，本专利技术的目的是提供一种RAM数据传送装置及其方法，由此当RAM数据传输期间RAM可用作其它用途。本专利技术的另一个目的是提供一种主计算机能够连续存取RAM数据的RAM数据传送装置及其方法。本专利技术的又一个目的是提供一种通过减少RAM数据传输请求的发生以改进系统性能的RAM数据传送装置及其方法。本专利技术另一个目的是提供一种当所需量的RAM数据被写在FIFO上时产生RAM数据传送请求的RAM数据传送装置及其方法。为实现本专利技术的上述目的，提供了一种先进先出存储器(FIFO)，它具有预置存储区，当RAM数据写入比存储区要小的第一区时产生第一标记，同时响应于写启动信号的产生依次写入存储在RAM中的RAM数据。当RAM数据写入比存储区要小和比第一区要大的第二区时FIFO存储器产生第二标记，和当没有保留的RAM数据时还产生第三标记。然后，当产生第一标记直到产生第二标记为止时，RAM数据传送装置把RAM数据写入FIFO，当产生第二标记时连续存取存储在FIFO的RAM数据到预定的数据存取，直到产生第三标记为止。因此，RAM能用作另一种用途。为实现本专利技术的上述目的，提供了一种具有RAM的RAM(只读存储器)数据传送装置，它具有预置存储区的先进先出存储器，用于响应于写启动信号的产生依次写入存储在RAM中的数据，如果RAM数据写入比存储区要小的第一区时，产生第一标记，如果RAM数据写入比存储区要小和比第一区要大的第二区时，产生第二标记以及如果没有写入RAM数据时，产生第三标记；控制器，用于如果产生第一标记时，产生写启动信号直到产生第二标记为止，由此将存储在RAM中的RAM数据写入先进先出存储器；和数据存取电路，用于如果产生第二标记时连续存取写入先进先出存储器的数据直到产生第三标记为止。下面将参照附图对本专利技术的优选实施例进行详细描述，其中附图说明图1是根据本专利技术的RAM数据传送装置的方框图；和图2是根据本专利技术的操作波形图。下面参照附图讨论本专利技术的优选实施例。在对本专利技术所作的描述中，公知的功能和结构的详细描述将被省略，可使本专利技术的要点更为请楚。应该注意，后面所用的术语是考虑它们在本专利技术中的作用来定义的，并根据使用者或电路设计者的意图或实践可作各种变化。参照图1，本专利技术由主计算机100、FIFO200、控制器300、RAM控制器400和RAM500组成。本专利技术的特征在于，FIFO200还产生与一般FIFO相对照的REmpty和RFU11。该REmpty是当存储的RAM数据写入具有预置存储区的FIFO200的第一区中时产生的标记，而RFU11是当RAM数据写到FIFO200的第二区时产生的标记。如通常的FIFO，FIFO200产生Empty，它是表示数据没有写入FIFO200的任一区域的标记。FIFO200的第二区的大小设置成比第一区要大但比FIFO200的存储区要小。最好是第二区比存储区小1个字节，和第一区的大小可由设置值Set来设置。图2A-2E是表示根据本专利技术的操作波形。图2A表示从图1的控制器300产生的RAM数据传送请求REQ；图2B表示从RAM控制器400产生的写启动信号WEN；图2C表示被写在FIFO200的RAM数据WDATA；图2D表示输入到FIFO200的写时钟WCLK；和图2E表示从通常FIFO产生的RAM数据发送请求REQ’。当RAM数据传送装置变成运行时，如图2A所示，控制器300响应于从FIFO200产生的Empty标记使RAM数据传送请求REQ起动。此时，由于没有RAM数据写在FIFO200(是空的)，主计算机100就不执行数据存取动作。响应该启动的REQ，RAM控制器400产生RAS信号和CAS信号，为存储在RAM500的数据能够写到FIFO200作准备。在RAM500中选择一个区，在该区通过一个地址、RAS信号和CAS信号存储将要写入的RAM数据。在图2B中的时间“T4”是在产生REQ以后选择RAM数据所需的时间。在时间“T4”过去以后，RAM控制器400产生写启动信号WEN。然后，提供所选的将要写到FIFO200中的RAM数据WDATA。此时，如图2D所示，在产生WEN的段中连续进行与写时钟WCLK同步的写入动作。当由这种写入动作把RAM数据写到FIFO200的第二区时，FIFO200产生RFU11标记。响应于RFU11标记的产生，控制器300使REQ禁止，以停止RAM数据写入动作。此时，在将REQ变成禁止后，由于RAM500的数据延迟，写入的RAM数据是有效的。于是，在经过时间“T5”以后，RAM控制器400使WEN禁止，如图2B所示。如果Empty不利用REmpty设置，主计算机100能连续读出。也就是，在产生Empty以前，当产生REmpty时，主计算机100从RAM500读出数据。因此，通过适当地调节第一区，主计算机100就能连续读出数据，而没有产生Empty。写入FIFO200的RAM数据是通过REN的产生存取的。这种存取动作在利用读出的RAM数据将RAM数据写入对应于FIFO200的第一区的情况时被停止。由于FIFO200在RAM数据仅写入在FIFO200的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＲＡＭ数据传送装置，包括：一个ＲＡＭ；先进先出存储器，其具有预置存储区，用于响应写启动信号的产生依次写入存储在所述ＲＡＭ中的ＲＡＭ数据，以及如果所述ＲＡＭ数据写入比所述存储区要小的第一区时，产生第一标记，如果所述的ＲＡＭ数据写入 比所述的存储区要小而比所述的第一区要大的第二区时，产生第二标记以及如果没有写入ＲＡＭ数据时，产生第三标记；控制装置，用于如果产生了所述的第一标记时，产生所述的写启动信号直到产生所述的第二标记为止，由此存储在所述的ＲＡＭ中的所述ＲＡＭ数据 被写入在所述先进先出存储器；和数据存取装置，用于如果产生了所述的第二标记时，连续存取写入先进先出存储器的所述ＲＡＭ数据直到产生所述的第三标记时为止。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金起弘，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]