覆晶薄膜封装体用散热体制造技术

本实用新型专利技术涉及通过提高芯片与散热罩的紧密性来以能够提高散热性能的方式形成排气孔的覆晶薄膜封装体用散热体及设置有覆晶薄膜封装体用散热体的覆晶薄膜封装体以及覆晶薄膜封装体的制备方法，根据本实用新型专利技术的一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；以及粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜。

【技术实现步骤摘要】
覆晶薄膜封装体用散热体
本技术涉及覆晶薄膜封装体用散热体，更详细地，涉及通过提高芯片与散热罩的紧密性来以提高散热性能的方式形成排气孔的覆晶薄膜封装体用散热体。
技术介绍
随着节减液晶显示装置的生产成本且大型化及高性能化的倾向，带状配线基板的使用增加。带状配线基板为如下的结构：在由聚酰亚胺树脂等的绝缘材料构成的薄且具有可挠性的薄膜形成配线图案及与之相连接的引线，在这种薄膜安装驱动液晶显示装置所需的各种器件等。另一方面，近来，随着液晶显示装置的急速大型化、薄型化，将在这种带状配线基板安装芯片的形态采用为覆晶薄膜(COF，ChiponFilm)封装体的驱动器集成电路(IC)的比率增加。另一方面，在这种覆晶薄膜封装体中也具有器件发热的问题，这种发热采用如下的结构：在器件的外侧面附着金属材质的散热罩，并通过热传导进行散热。图1为示出以往的散热结构的图。如图1所示，在安装于基板的芯片的上部面附着金属等的散热罩来通过传导向外部释放在芯片生成的热量。上述散热罩以片形态形成，通过粘结剂等附着在上述芯片的上部面及基板，通过附着时按压的压力弯曲变形并附着于芯片及基板。在此情况下，在上述金属材质散热罩的刚性大的情况下，上述散热罩不易变形，这可导致粘结不良。因此，需要利用延伸率优秀的材质薄薄地形成等，无法自由选择散热罩40的材质和厚度，在散热罩40的刚性过于低的情况下，由于意外的外力，结构崩坏，从而具有发生不良的概率增加的问题。并且，金属材质的散热罩40的厚度越厚，热容量越大，由此提高散热性，结构稳定性变好，但是，由于如上所述的理由，无法增加散热罩40的厚度，使得散热性的提高受限。现有技术文献专利文献韩国授权专利10-1370445号技术的内容本技术用于解决如上所述的问题，其目的在于，提供可提高散热性及组装性的覆晶薄膜封装体。本技术的目的并不局限于以上所提及的目的，普通技术人员可通过以下记载明确理解未提及的其他目的。为了实现如上所述的目的，根据本技术的一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜；以及一个以上的排气孔，形成于与上述散热罩的芯片收容部相对应的区域或与以薄膜形态形成的上述粘结层的芯片收容部相对应的区域。上述散热罩的厚度可在上述芯片的厚度的5％至40％以内。上述散热罩可包括：粘结区域，属于通过与基膜相接触来与上述基膜相粘结的区域；收容区域，与上述粘结区域形成高度差，用于收容安装于上述基膜的芯片；以及倾斜区域，设置于上述粘结区域与收容区域之间，用于连接上述粘结区域与收容区域。上述散热罩由铝、铜或不锈钢中的一种金属材质形成，在上述散热罩的材质为铝的情况下，上述铝可由合金牌号在A1000～A8000之间的H18以上的硬质铝材质形成，上述散热罩的厚度可以为30微米以上，在上述散热罩的材质为铜的情况下，上述散热罩的厚度可以为20微米以上，在上述散热罩的材质为不锈钢的情况下，上述散热罩的厚度可以为10微米以上。上述收容区域的面积大于上述芯片的上侧面的面积，上述收容区域的任意一边的长度可大于与上述芯片的上部面相对应的边的长度。上述倾斜区域的至少一部分可与上述芯片相接触。另一方面，根据本技术的另一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：金属散热层，位于在一侧面安装有芯片的基膜的另一侧面；绝缘层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的一侧面或其另一侧面中的一个；以及粘结层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的面或其另一侧面中的一个。上述金属散热层可由铝、铜或不锈钢中的一个金属材质形成。上述金属散热层的厚度可以为20～30μm。根据本技术的覆晶薄膜封装体用散热体，具有如下的效果。事先凹陷形成芯片收容部，因此，可提高可操作性。通过第一排气孔或第二排气孔向外部排出芯片收容部的空气，因此，排出起到绝热层的作用的空气，可使芯片与散热罩紧贴，从而可提高散热性。并且，由于空气被排出，当附着金属材质的散热罩时，无需变形，由此，可提高材质的自由度，可使散热罩的厚度形成得更厚，从而可提高散热性。并且，可增加散热罩的刚性，当组装或保管散热罩时，发生不良的情况减少，可适用于更多种尺寸的芯片。本技术的效果并不局限于以上所提及的效果，普通技术人员可通过技术要求保护范围的记载明确理解未提及的其他效果。附图说明可通过附图更好地理解以下所说明的本申请的优选实施例的详细说明以及以上所说明的摘要。以例示本技术的目的，在附图示出优选实施例。但是，需要理解的是，本申请并不限定于所示的准确配置和单元。图1为示出设置有以往的散热罩的覆晶薄膜封装体。图2为示出本技术第一实施例的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图3为示出附着图2的散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图4为示出本技术第二实施例的覆晶薄膜封装体的立体图。图5为示出作为图4的剖视图的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图6为示出作为图4的剖视图的附着散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图7为作为本技术第三实施例的覆晶薄膜封装体的剖视图的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图8为作为本技术第三实施例的覆晶薄膜封装体的剖视图的附着散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。图9为示出本技术的按照各个实施例制备覆晶薄膜封装体用散热体的状态的图。图10为示出本技术第四实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的立体图。图11为图10的剖视图。图12为示出本技术第五实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。图13为比较本技术的覆晶薄膜封装体用散热体的散热罩的芯片收容部的长度与芯片的长度的图。图14为示出本技术第六实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。图15为示出本技术第七实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。图16为示出本技术的覆晶薄膜封装体制备方法的第一实施例的流程图。图17为示出本技术的覆晶薄膜封装体制备方法的第二实施例的流程图；图18为示出本技术的覆晶薄膜封装体制备方法的第三实施例的流程图。附图标记的说明100：覆晶薄膜封装体120：基膜130：芯片140：散热罩142：芯片收容部144：第一排气孔146：突出部150：粘结层152：第二排气孔154：喷射粘结层S110：罩穿孔步骤S120：粘结层穿孔步骤S130：接合步骤S140：芯片附着步骤具体实施方式以下，参照附图说明可具体实现本技术的目的的本技术的优选实施例。在说明本实施例的过程中，对于相同构成，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，包括：/n散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；/n粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜；以及/n一个以上的排气孔，形成于与上述散热罩的芯片收容部相对应的区域或与以薄膜形态形成的上述粘结层的芯片收容部相对应的区域。/n

【技术特征摘要】
20191126 KR 10-2019-0153656;20200429 KR 10-2020-001.一种覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，包括：
散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；
粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜；以及
一个以上的排气孔，形成于与上述散热罩的芯片收容部相对应的区域或与以薄膜形态形成的上述粘结层的芯片收容部相对应的区域。


2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述散热罩的厚度在上述芯片的厚度的5％至40％以内。


3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述散热罩包括：
粘结区域，属于通过与基膜相接触来与上述基膜相粘结的区域；
收容区域，与上述粘结区域形成高度差，用于收容安装于上述基膜的芯片；以及
倾斜区域，设置于上述粘结区域与收容区域之间，用于连接上述粘结区域与收容区域。


4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，
上述散热罩由铝、铜或不锈钢中的一种金属材质形成，
在上述散热罩的材质为铝的情况下，上述铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔珍唤，姜东锡，李玄喆，金宗亿，李济德，
申请(专利权)人：NEPES株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国;KR