高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，本发明专利技术在六腔陶瓷波导滤波器中通过共用第二、第五谐振腔以及第二、五谐振腔之间的负耦合盲孔，在不增加腔体数量的条件下组成了两个容性耦合CQ单元，产生两对传输零点，并在CQ单元的对角连接处引入矩形槽，形成对角耦合，有效调整两对传输零点位置，改善传输曲线的对称性，具有小体积、轻质量、高带外抑制特性等特点。

【技术实现步骤摘要】
高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器
本专利技术属于微波通信
，更具体地，涉及一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器。
技术介绍
大规模天线技术的飞速发展和日益紧张的频谱资源对基站滤波器的体积、重量、性能提出了更高的要求。陶瓷波导滤波器凭借其小体积、高性能等独特优势成为了当前5G基站滤波器的主流选择。为了增强滤波器的带外抑制特性，陶瓷波导滤波器通常需要利用谐振腔与腔间的耦合结构共同组成容性耦合CQ单元，在通带外产生一对传输零点。现有技术中四个谐振腔才能够组成一个CQ单元，产生一对传输零点；因此N个谐振腔最多可组成N/4个CQ单元，产生N/2个传输零点。因此六腔陶瓷波导滤波器一般只能产生一对传输零点，不利于实现滤波器通带外近端、远端的同时调控，满足高带外抑制特性；若要提高滤波器的带外抑制特性，只能增加滤波器的腔数，组成双CQ结构的八腔陶瓷波导滤波器。腔体数量的增加却会显著增加滤波器的体积和重量，不利于器件的小型化设计；在另一方面，CQ单元产生的一对传输零点，二者之间相互影响，难以实现独立可调，不利于带外抑制特性的优化调整。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种高带外抑制的六腔四零点陶瓷波导滤波器，旨在解决现有六腔陶瓷波导滤波器的带外抑制较差，带外抑制特性调试较为困难问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种高带外抑制的六腔四零点陶瓷波导滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，其本体由介电材料制成，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，下表面具有输入输出端口。进一步的，陶瓷波导滤波器本体上表面具有六个调谐孔，调谐孔与部分本体独立组成谐振腔，共组成六个谐振腔，调谐孔均为盲孔，用以调整腔体谐振频率。进一步的，耦合槽位于谐振腔的连接处，用以实现感性耦合。进一步的，负耦合盲孔位于第二谐振腔与第五谐振腔的连接处，用以实现容性耦合。进一步的，第一、二、五、六个谐振腔及腔间的耦合结构共同组成第一个容性C耦合Q单元，第二、三、四、五个谐振腔及腔间的耦合结构共同组成第二个容性耦合CQ单元。进一步的，第一谐振腔与第五谐振腔的连接处或第二谐振腔与第六谐振腔的连接处具有矩形槽，用以实现第一个CQ单元的对角耦合。进一步的，第二谐振腔与第四谐振腔的连接处或第三谐振腔与第五谐振腔的连接处具有矩形槽，用以实现第二个CQ单元的对角耦合。进一步的，通过改变CQ单元中对角连接处耦合槽的长度，便能够调整对角耦合的耦合量，实现传输零点位置可调。通过本专利技术所构思的以上技术方案，与现有技术相比，本专利技术提供的六腔四零点陶瓷波导滤波器通过共用第二、第五谐振腔以及第二、五谐振腔之间的负耦合盲孔，在不增加腔体数量的条件下组成了两个容性CQ耦合单元，产生两对传输零点；并在CQ单元的对角连接处引入矩形槽，形成对角耦合，有效调整两对传输零点位置，改善传输曲线的对称性，具有小体积、轻质量、高带外抑制特性等特点。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器的拓扑结构图。图2是本专利技术实施例1提供的一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器的三维结构示意图。图3是本专利技术实施例1提供的一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器的上表面结构示意图。图4是本专利技术实施例1提供的一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器的下表面结构示意图。图5是本专利技术实施例1提供的一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器与现有技术的陶瓷波导滤波器的带外抑制特性对比曲线图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间不构成冲突就可以相互组合。本专利技术提供了一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，其本体由介电材料制成，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，下表面具有输入输出端口。实施例1如图1至图5所示，在本专利技术的其中一种实施方式中提供一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，包括表面具有金属镀层的陶瓷波导滤波器本体1，本体上表面的调谐孔、耦合槽和容性耦合结构。陶瓷滤波器本体的上表面设有六个调谐孔，分别是31、32、33、34、35、36，调谐孔为盲孔，调谐孔与部分本体独立组成谐振腔，共组成六个谐振腔，通过调节盲孔深度可以调整谐振腔的谐振频率。陶瓷波导滤波器本体1上设有贯通的耦合槽，耦合槽为具有设定长宽高的矩形槽，矩形槽位于谐振腔之间的连接处，用以实现腔体之间的感性耦合，分别是21、22、23、24、25、26。第二、五谐振腔之间还设有容性耦合结构41，容性耦合结构41为负耦合盲孔。第一、二、五、六个谐振腔和腔间的耦合结构共同组成第一个容性耦合CQ单元，第二、三、四、五个谐振腔和腔间的耦合结构共同组成第二个容性耦合CQ单元。第一、五个谐振腔的连接处或第二、六个谐振腔的连接处设有耦合槽42,用以实现第一个CQ单元的对角耦合；第二、四个谐振腔或第三、五个谐振腔的连接处还设有耦合槽43，用以实现第二个CQ单元的对角耦合。陶瓷滤波器本体的下表面还设有输入端口51和输出端口52，实现信号的输入与输出。该六腔四零点滤波器与现有技术中单CQ结构的六腔双零点以及双CQ结构的八腔四零点滤波器的传输特性对比曲线如图5所示。作为一种具体实施方式，所述滤波器通过共用第二、五谐振腔和腔间的容性耦合结构，在六腔滤波器中引入两个容性耦合的CQ单元，产生两对传输零点，分别用以调整滤波器的近端、远端带外抑制。作为一种具体实施方式，所述第一、二个CQ单元的对角耦合是用以优化调整两对传输零点的位置，提高滤波曲线的对称性，增强滤波器的带外抑制特性。作为一种具体实施方式，所述的六腔四零点陶瓷波导滤波器与现有单CQ结构的六腔双零点陶瓷波导滤波器相比，拥有更高的带外抑制特性；与现有双CQ结构的八腔四零点陶瓷波导滤波器相比，滤波器的带外抑制特性稍差，却拥有更小的体积、更轻的质量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，其特征在于：外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，其本体由介电材料制成，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，下表面具有输入输出端口。/n

【技术特征摘要】
1.高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，其特征在于：外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，其本体由介电材料制成，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，下表面具有输入输出端口。


2.根据权利要求1所述的高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述陶瓷波导滤波器本体上表面具有六个调谐孔，调谐孔与部分本体独立组成谐振腔，共组成六个谐振腔，调谐孔均为盲孔，用以调整腔体谐振频率。


3.根据权利要求1所述的高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述耦合槽位于谐振腔的连接处，用以实现感性耦合。


4.根据权利要求1所述的高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合盲孔位于第二谐振腔与第五谐振腔的连接处，用以实现容性耦合。


5.根据权利要求1\2\3\4所述的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文中，梁飞，蒙顺良，范桂芬，王晓川，付明，
申请(专利权)人：华中科技大学温州先进制造技术研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33