显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：包覆至少部分所述侧表面的反光层。本发明专利技术的技术方案能够提高显示基板的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管，简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及显示装置，能够提高显示基板的出光效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：包覆至少部分所述侧表面的反光层。一些实施例中，所述反光层靠近所述发光单元的表面的切线与所述第一电极的远离所述衬底基板的表面的切线之间的角度小于90度。一些实施例中，所述反光层在平行于所述衬底基板的方向上的厚度大于或等于50nm。一些实施例中，所述反光层采用导电材料制作。一些实施例中，所述反光层包括与所述第一电极接触的第一反光图形和与所述第二电极接触的第二反光图形，所述第一反光图形和所述第二反光图形之间间隔有绝缘图形。一些实施例中，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述第一反光图形与所述空穴阻挡层绝缘，所述第二反光图形与所述空穴传输层绝缘。一些实施例中，所述发光层与所述绝缘图形为一体结构。一些实施例中，所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴注入层包覆所述空穴传输层的侧表面，所述空穴传输层与所述第一反光图形不接触；所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴传输层包覆所述发光层的部分侧表面，所述发光层与所述第一反光图形不接触。一些实施例中，所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极包覆所述空穴注入层的侧表面，所述空穴注入层与所述第一反光图形不接触。一些实施例中，所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影内；所述空穴阻挡层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子传输层包覆所述空穴阻挡层的侧表面，所述空穴阻挡层与所述第二反光图形不接触。一些实施例中，所述电子传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述电子注入层包覆所述电子传输层的侧表面，所述电子传输层的侧表面与所述第二反光图形不接触。一些实施例中，所述电子注入层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第二电极包覆所述电子注入层206的侧表面，所述电子注入层的侧表面与所述第二反光图形不接触。一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述发光单元的出光侧的光取出层，所述光取出层的折射率小于所述衬底基板的折射率。一些实施例中，所述光取出层为折射率沿出光方向上呈递减趋势的单层结构，所述出光方向为所述光取出层背离所述有机功能层的方向；或所述光取出层的材质包括球形分子材料；或所述光取出层朝向所述发光单元的一侧表面设置有多个阵列排布的半球状微结构。本专利技术的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，显示基板设置有包覆发光单元的侧表面的反光层，发光单元发出的侧向光照射到反光层后，反光层能够通过反射的方式将该部分光出射向显示侧，从而减少发光单元的侧面光损失，提高显示基板的出光效率。附图说明图1-图2为本专利技术一实施例显示基板的截面示意图；图3为本专利技术实施例显示基板的平面示意图；图4-图11为本专利技术一些实施例显示基板的截面示意图。附图标记100第二电极200有机功能层300第一电极400衬底基板500反光层600绝缘图形700光提取层800发光区域201空穴注入层HIL202空穴传输层HTL203发光层EML204空穴阻挡层HBL205电子传输层ETL206电子注入层EIL501第一反光图形502第二反光图形具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。通常，发光装置可以分为具有由有机材料形成的发光层的有机发光二极管(OLED)装置以及具有由无机材料形成的发光层的无机发光装置。有机发光现象是指使用有机材料将电能转换成光能的现象。当适当的有机材料层位于第一电极和第二电极之间，并且在两个电极之间施加电压时，空穴从第一电极注入到有机材料层中，而电子从第二电极注入到有机材料层中。当注入的空穴和电子相遇时产生激子，并且当激子下降到基态时产生光。OLED显示装置具有一系列优点，诸如驱动电压低、视角宽、分辨率高、响应时间短和自然色彩再现性好等。但是由OLED产生的光仅大约20％从OLED装置出射，显示基板的出光效率有待提高。本专利技术的实施例提供一种显示基板及显示装置，能够提高显示基板的出光效率。本专利技术的实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括：衬底基板400，所述衬底基板400具有驱动电路层；位于所述衬底基板400上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板400的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极300、有机功能层200和第二电极100；所述发光单元包括朝向所述衬底基板400的第一侧、远离所述衬底基板400的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：包覆至少部分所述侧表面的反光层500。本实施例中，显示基板设置有包覆发光单元的侧表面的反光层500，发光单元发出的侧向光照射到反光层500后，反光层500能够通过反射的方式将该部分光出射向显示侧，从而减少发光单元的侧面光损失，提高显示基板的出光效率。本实施例的显示基板可以是OLED显示基板，还可以是QLED(量子点发光二极管)显示基板、MINILED(微发光二极管)显示基板、MICROLED(微有机电致发光二极管)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；/n位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；/n位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；/n所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：/n包覆至少部分所述侧表面的反光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有驱动电路层；
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
位于所述开口区域内的发光单元，沿远离所述衬底基板的方向，所述发光单元包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；
所述发光单元包括朝向所述衬底基板的第一侧、远离所述衬底基板的第二侧以及位于所述第一侧和所述第二侧之间的侧表面，所述显示基板还包括：
包覆至少部分所述侧表面的反光层。


2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层靠近所述发光单元的表面的切线与所述第一电极的远离所述衬底基板的表面的切线之间的角度小于90度。


3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层在平行于所述衬底基板的方向上的厚度大于或等于50nm。


4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述反光层采用导电材料制作。


5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述反光层包括与所述第一电极接触的第一反光图形和与所述第二电极接触的第二反光图形，所述第一反光图形和所述第二反光图形之间间隔有绝缘图形。


6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，沿远离所述衬底基板的方向，所述有机功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述第一反光图形与所述空穴阻挡层绝缘，所述第二反光图形与所述空穴传输层绝缘。


7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述发光层与所述绝缘图形为一体结构。


8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，
所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴注入层在所述衬底基板上的正投影内，所述空穴注入层包覆所述空穴传输层的侧表面，所述空穴传输层与所述第一反光图形不接触；
所述发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述空穴传输层在所述衬底基板上的正投影内...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊名，陈磊，马坤，高荣荣，黎俊聪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11