紫外发光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种紫外发光装置，包括：封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；紫外LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；含氟树脂封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，并在该LED芯片对应位置形成光学结构，在所述LED芯片的外周形成曲面，光学结构包括位于LED芯片正上方的第三表面，所述第三表面与所述LED芯片上表面所在平面的夹角为0~40°。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光装置
本技术涉及LED封装
，具体为一种发光装置。
技术介绍
现有的常规深紫外LED封装结构，主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体，具体为通过锡膏或者共晶焊的方式将倒装结构的紫外LED芯片120固晶在封装基板110的碗杯内，并使紫外LED芯片120的芯片电极和碗杯内的基板电极130键合固定，然后在碗杯的开口处固定一石英玻璃板140，以使碗杯内形成密闭的腔室，如图1所示。但是由于空腔，且陶瓷碗杯存有一定的厚度，因此封装结构存在着体积过大，且没有办法调整封装体的发光角及光强空间分布。为了改变发光角度，通常会在出光面上增加一个石英玻璃透镜，如此进一步增加了封装体的厚度，且石英玻璃成本高。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种紫外发光装置，其特征在于，包括：封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；紫外LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；含氟树脂封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，并在该LED芯片对应位置形成光学结构，在所述LED芯片的外周形成曲面，光学结构包括位于LED芯片正上方的第三表面，所述第三表面与所述LED芯片上表面所在平面的夹角为0~40°。上述发光装置的封装层在LED芯片正上方形成的表面与LED芯片上表面所在平面的夹角设置在40°以下，有利于该封装层在LED芯片上表面形成相对平缓的曲面，对LED芯片的包覆性较好，且封装层在LED上方的厚度分布较为均匀，提高出光效率。优选地，所述封装层在所述LED芯片的外周边具有一平面区，所述封装层在该平面区的厚度大于或者等于该封装层在LED芯片正上方的厚度。优选地，所述封装层在该平面区的厚度和该封装层在LED芯片正上方的厚度的差值小于或者等于50μm。优选地，所述封装层的厚度为所述LED芯片的厚度的百分之三十至1.2倍。优选地，所述LED芯片的厚度大于或者等于300μm且小于或者等于600μm，所述封装层的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度的三分之二。优选地，所述LED的厚度大于或者等于150μm且小于或者等于600μm。优选地，所述封装层的厚度大于或者等于100且小于200μm，或者大于或者等于200且小于300μm，或者大于或者等于300且小于400μm。优选地，所述封装层所述LED芯片顶部的侧壁处具有一最小厚度，所述最小厚度大于或者等于100μm。优选地，所述封装层在所述LED芯片的外周边形成一个低部，在所述LED芯片正上形成高部，所述曲面包括第一曲面和第二曲面，其中第一曲面连接所述低部，所述第二曲面连接所述高部。优选地，所述第一曲面位于所述LED芯片的侧壁对应的位置，所述第二曲面的起始端位于所述第一曲面的上方，末端位于所述LED芯片的上表面之上。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明图1显示为现有一种发光装置的结构示意图。图2显示为根据本技术实施的一种发光装置的结构示意图。图3显示了根据本技术实施的一种用于图2所示发光装置的LED芯片的结构示意图。图4显示了图2所示发光装置的剖面示意图。图5显示了图1所示发光装置的配光曲线图。图6显示了图2所示发光装置的配光曲线图。图7显示了根据本技术实施的一种发光装置的俯视图。图8显示了根据本技术实施的一种发光装置的结构示意图。图9显示了根据本技术实施的一种发光装置。图10显示了根据本技术实施的一种发光装置。图11显示了根据本技术实施的一种发光装置。图12显示了图11所示发光装置的俯视图。图13为沿着图12的线A-A切开的剖面结构示意图。图14为沿着图12的线B-B切开的剖面结构示意图。图15显示了根据本技术实施的一种发光装置。图16显示了根据本技术实施的一种发光装置。图17显示了根据本技术实施的一种发光装置。图18显示了图17所示发光装置的俯视图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。实施例一请参看附图2，本实施例公开了一种紫外封装器件，包括：封装基板210，位于基板的上表面之上的图形化导电层230，设置于基板210之上并与导电层230形成电性连接的LED芯片220，以及覆盖基板的上表面及LED芯片220的封装层240，该封装层240在LED芯片220对应的位置形成一个光学结构，该光学结构在LED芯片上方和/或侧壁具有曲面，可以调整器件的发光角及光强空间分布。具体的，基板210包括上表面和下表面，所述基板210可以选择本领域常用的材料制成，例如陶瓷或硅，优选地为陶瓷基板。基板的尺寸可以根据需求选择，例如可以选择3535或者2319或者1313。导电层230形成在基板210的上表面，被图案化，通过一隔离区231至少划分为两个彼此电性隔离的区域2321和2322。在本实施例中，该隔离区231为一凹槽结构，凹槽的深度大于或者等于该导电层230的厚度，如此一方面可以完全隔离区域2321和2322，同时可以用于后续填充封装层240。进一步地，在基板210的背面设置有外部电极251和252，如图4所示。在一个较佳实施例中，该隔离区231包括一个沿基板210的边缘分布且位于上表面的外周的第一隔离区2311，从而将导电层划分为固晶区232和边缘区233，其中固晶区232进一步通过第二隔离区2312分为第一区域2321和第二区域2322，其中第一隔离区2311与基板210的边缘的距离优选为150~400μm，使得封装层240的边缘与基板210的结合力更佳。进一步的，第一隔离区2311优选为闭合结构，一方面将导电层的边缘区与固晶区完全电性隔离，可以提高该封装器件漏电风险，另一方面封装层填充该凹槽，增加了封装层240与基板的粘附力，有效防止封装体在运输或传送过程中出现封装胶体震动脱落等问题。优选地，该凹槽2311的宽度为50~200μm，方便封装层240填充至该凹槽内，加强封装层与基板的结合力。优选的，该第一隔离区2311还可以具有拐角结构2311A，该拐角结构可以为锐角、直接或者钝角，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外发光装置，其特征在于，包括：/n封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；/n紫外LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；/n含氟树脂封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，并在该LED芯片对应位置形成光学结构，在所述LED芯片的外周形成曲面，光学结构包括位于LED芯片正上方的第三表面，所述第三表面与所述LED芯片上表面所在平面的夹角为0~40°。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光装置，其特征在于，包括：
封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；
紫外LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；
含氟树脂封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，并在该LED芯片对应位置形成光学结构，在所述LED芯片的外周形成曲面，光学结构包括位于LED芯片正上方的第三表面，所述第三表面与所述LED芯片上表面所在平面的夹角为0~40°。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层在所述LED芯片的外周边具有一平面区，所述封装层在该平面区的厚度大于或者等于该封装层在LED芯片正上方的厚度。


3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于：所述封装层在该平面区的厚度和该封装层在LED芯片正上方的厚度的差值小于或者等于50μm。


4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层的厚度为所述LED芯片的厚度的百分之三十至1.2倍。

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘健，黄森鹏，林秋霞，余长治，徐宸科，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35