【技术实现步骤摘要】
一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法
本专利技术涉及属于高频逆变电源的
，具体涉及一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法。
技术介绍
软磁材料具有低矫顽力、高磁导率等磁特性，是制作电感器、扼流圈、传感器等磁芯的原材料，目前已在电力、电机和电子等行业得到广泛应用，而纳米晶合金软磁材料作为这一领域的新兴材料，因同时具有高饱和磁感应强度、高磁导率、低损耗、高电阻率及高强韧性等优点，吸引了众多科研工作者的关注，从研究初期就已投入生产应用，且其制备工艺简单、节能环保，在少数领域已部分替代了传统的硅钢和铁氧体材料。随着技术发展的成熟，纳米晶磁芯在逆变电源应用越来越广泛，但要降低这种磁芯的剩磁，现有的退火工艺水平即使通过恒张力退火也只能≤10mT，影响电力系统稳定、可靠运行及准确计量、测量。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，具有降低纳米晶磁芯剩磁Br值的优点，提高抗直流特性，提高高频逆变变压器的稳定性，减小互感器电流的角差。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，包括如下步骤：S1、铁基纳米晶带材表面做氧化膜处理；S2、使用恒张力卷绕机，将带材进行卷绕成磁芯；S3、使用气氛退火炉进行预退火处理；S4、复合磁场退火处理；其中，所述S3中，预退火的步骤为：a、经25-35min将气氛退火炉的温度从室温升温至390-410℃；b、在...
【技术保护点】
1.一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：包括如下步骤：/nS1、铁基纳米晶带材表面做氧化膜处理；/nS2、使用恒张力卷绕机，将带材进行卷绕成磁芯；/nS3、使用气氛退火炉进行预退火处理；/nS4、复合磁场退火处理；/n其中，所述S3中，预退火的步骤为：/na、经25-35min将气氛退火炉的温度从室温升温至390-410℃；/nb、在390-410℃保温25-35min后，用25-35min升温至440-460℃；/nc、在440-460℃保温25-35min后，控制气氛退火炉25-35min内降温至190-210℃，打开气氛退火炉的炉门，将纳米晶磁芯取出；/nd、从气氛退火炉取出的纳米晶磁芯，急冷处理至常温；/n其中，所述S4中，退火步骤为：/na、经过55-65min将气氛退火炉的温度从室温升温至510-530℃；/nb、在510-530℃保温45-55min后，通过20-30min升温至550-560℃；/nc、在550-560℃保温115-125min后，控制气氛退火炉降温15-25min后降温至490-510℃；/nd、在此降温过程中，施加纵磁场处理,温度降到490...
【技术特征摘要】
1.一种铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：包括如下步骤：
S1、铁基纳米晶带材表面做氧化膜处理；
S2、使用恒张力卷绕机，将带材进行卷绕成磁芯；
S3、使用气氛退火炉进行预退火处理；
S4、复合磁场退火处理；
其中，所述S3中，预退火的步骤为：
a、经25-35min将气氛退火炉的温度从室温升温至390-410℃；
b、在390-410℃保温25-35min后，用25-35min升温至440-460℃；
c、在440-460℃保温25-35min后，控制气氛退火炉25-35min内降温至190-210℃，打开气氛退火炉的炉门，将纳米晶磁芯取出；
d、从气氛退火炉取出的纳米晶磁芯，急冷处理至常温；
其中，所述S4中，退火步骤为：
a、经过55-65min将气氛退火炉的温度从室温升温至510-530℃；
b、在510-530℃保温45-55min后，通过20-30min升温至550-560℃；
c、在550-560℃保温115-125min后，控制气氛退火炉降温15-25min后降温至490-510℃；
d、在此降温过程中，施加纵磁场处理,温度降到490-510℃后关闭纵磁电流；
e、再打开横磁场，在490-510℃保温85-95min后，控制气氛退火炉经55-65min降温至190-210℃；
f、将纳米晶磁芯取出，急冷处理至常温。
2.根据权利要求1所述的铁基纳米晶磁芯剩磁的热处理方法，其特征是：所述S3中，预退火的步骤为：
a、经30min将气氛退火炉的温度从室温升温至400℃；
b、在400℃保温30min后，用30min升温至450℃；
c、在450℃保温...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐猛，黄旭文，肖育泳，王秀帅，谢双，
申请(专利权)人：佛山市中研非晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。