一种三相星接可调控的电抗器制造技术

一种三相星接可调控的电抗器，包括A相线圈、B相线圈、C相线圈和第一外部控制电路，A相线圈包括并联连接的线圈A1和线圈A2，B相线圈包括并联连接的线圈B1和线圈B2，C相线圈包括并联连接的线圈C1和线圈C2，其中，线圈A1、线圈B1和线圈C1的尾端星接在一起后通过第一外部控制电路接到线圈A2、线圈B2和线圈C2的尾端星接点。本发明专利技术的三相星接可调控的电抗器每相两线圈并联，中部不交叉，采用三只可控硅和一只二极管，励磁方式更加简洁可靠，简化了线圈结构，减少了故障隐患，降低了材料消耗，其具有结构简单、接线简洁、可靠性高和制造成本低等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种三相星接可调控的电抗器
本专利技术涉及一种电抗器，特别涉及一种三相星接可调控的电抗器。
技术介绍
电力系统用可调电抗器，传统的磁控电抗器结构原理参见说明书附图中图2所示，此连接结构的电抗器线圈抽头多，结构复杂，故障隐患多，材料消耗大，成本高。因此，有必要做进一步改进。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种线圈结构简单、接线简洁、可靠性高、材料消耗少和实用性强的三相星接可调控的电抗器，以克服现有技术中的不足之处。按此目的设计的一种三相星接可调控的电抗器，包括A相线圈、B相线圈和C相线圈，其特征在于：还包括第一外部控制电路，所述A相线圈包括并联连接的线圈A1和线圈A2，所述B相线圈包括并联连接的线圈B1和线圈B2，所述C相线圈包括并联连接的线圈C1和线圈C2，其中，线圈A1、线圈B1和线圈C1的尾端星接在一起后通过第一外部控制电路接到线圈A2、线圈B2和线圈C2的尾端星接点。所述三相星接可调控的电抗器还包括第二外部控制电路，所述第二外部控制电路包括接晶闸管SCRA、接晶闸管SCRB和接晶闸管SCRC，所述第一外部控制电路包括二极管D，线圈A2的首端和线圈A1的首端并接，线圈A1的尾端与二极管D的阳极连接。所述线圈A1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRA的阳极连接，晶闸管SCRA的阴极与线圈A2的尾端连接，线圈A2的尾端与二极管D的阴极连接。所述线圈B2的首端和线圈B1的首端并接，线圈B1的尾端与二极管D的阳极连接。所述线圈B1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRB的阳极连接，晶闸管SCRB的阴极与线圈B2的尾端连接，线圈B2的尾端与二极管D的阴极连接。所述线圈C2的首端和线圈C1的首端并接，线圈C1的尾端与二极管D的阳极连接。所述线圈C1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRC的阳极连接，晶闸管SCRC的阴极与线圈C2的尾端连接，线圈C2的尾端与二极管D的阴极连接。所述A相线圈、B相线圈和C相线圈上设置有双性磁路，所述双性磁路的其中一路为带间隙线性磁路、另外一路为非线性铁心磁路。本专利技术采用三相星接可调控的电抗器每相两线圈并联，中部不交叉，星形接线为双星形各自独立中性点，采用三只可控硅和一只二极管，中性点用二极管隔开续流，可控硅侧星形对另一个无可控硅星形中性点供电，简化了线圈结构，励磁方式更加简洁可靠，减少了故障隐患，降低了材料消耗。其具有结构简单、接线简洁、可靠性高、制造成本低和实用性强的特点。附图说明图1为本专利技术一实施例中电抗器的接线原理图。图2为传统电抗器的接线原理图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述。参见图1所示，本三相星接可调控的电抗器，包括A相线圈1、B相线圈2、C相线圈3和第一外部控制电路，A相线圈1包括并联连接的线圈A1和线圈A2，B相线圈2包括并联连接的线圈B1和线圈B2，C相线圈3包括并联连接的线圈C1和线圈C2，其中，线圈A1、线圈B1和线圈C1的尾端星接在一起后通过第一外部控制电路接到线圈A2、线圈B2和线圈C2的尾端星接点。本电抗器由A相线圈1、B相线圈2、B相线圈3三相星接构成，每相采用两绕组直并联，中部不交叉，星形接线为双星形各自独立中性点，简化了线圈结构，励磁方式更加简洁可靠，减少了故障隐患，降低了材料消耗。三相星接可调控的电抗器还包括第二外部控制电路，第二外部控制电路包括接晶闸管SCRA、接晶闸管SCRB和接晶闸管SCRC，第一外部控制电路包括二极管D，线圈A2的首端和线圈A1的首端并接，线圈A1的尾端与二极管D的阳极连接。线圈A1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRA的阳极连接，晶闸管SCRA的阴极与线圈A2的尾端连接，线圈A2的尾端与二极管D的阴极连接。线圈B2的首端和线圈B1的首端并接，线圈B1的尾端与二极管D的阳极连接。线圈B1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRB的阳极连接，晶闸管SCRB的阴极与线圈B2的尾端连接，线圈B2的尾端与二极管D的阴极连接。线圈C2的首端和线圈C1的首端并接，线圈C1的尾端与二极管D的阳极连接。线圈C1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRC的阳极连接，晶闸管SCRC的阴极与线圈C2的尾端连接，线圈C2的尾端与二极管D的阴极连接。A相线圈1、B相线圈2和C相线圈3上设置有双性磁路，双性磁路的其中一路为带间隙线性磁路、另外一路为非线性铁心磁路。上述为本专利技术的优选方案，显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本领域的技术人员应该了解本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三相星接可调控的电抗器，包括A相线圈(1)、B相线圈(2)和C相线圈(3)，其特征在于：还包括第一外部控制电路，所述A相线圈(1)包括并联连接的线圈A1和线圈A2，所述B相线圈(2)包括并联连接的线圈B1和线圈B2，所述C相线圈(3)包括并联连接的线圈C1和线圈C2，其中，线圈A1、线圈B1和线圈C1的尾端星接在一起后通过第一外部控制电路接到线圈A2、线圈B2和线圈C2的尾端星接点。/n

【技术特征摘要】
1.一种三相星接可调控的电抗器，包括A相线圈(1)、B相线圈(2)和C相线圈(3)，其特征在于：还包括第一外部控制电路，所述A相线圈(1)包括并联连接的线圈A1和线圈A2，所述B相线圈(2)包括并联连接的线圈B1和线圈B2，所述C相线圈(3)包括并联连接的线圈C1和线圈C2，其中，线圈A1、线圈B1和线圈C1的尾端星接在一起后通过第一外部控制电路接到线圈A2、线圈B2和线圈C2的尾端星接点。


2.根据权利要求1所述三相星接可调控的电抗器，其特征在于：还包括第二外部控制电路，所述第二外部控制电路包括接晶闸管SCRA、接晶闸管SCRB和接晶闸管SCRC，所述第一外部控制电路包括二极管D，线圈A2的首端和线圈A1的首端并接，线圈A1的尾端与二极管D的阳极连接。


3.根据权利要求2所述三相星接可调控的电抗器，其特征在于：所述线圈A1靠近尾端的位置抽头与晶闸管SCRA的阳极连接，晶闸管SCRA的阴极与线圈A2的尾端连接，线圈A2的尾端与二极管D的阴极连接。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李霞，李昊，周扬，胥军，潘根亮，廖军红，朱振彪，梁海峰，易吉良，
申请(专利权)人：顺特电气设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44