一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法技术

本发明专利技术涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法
本专利技术属于显示器领域，特别涉及一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法。
技术介绍
Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。Micro-LED最大的优势来自于微米等级的间距，每一点像素(pixel)都能定址控制及单点驱动发光、寿命长、应用范畴广。量子点QDs是一种由II-VI或III-V族元素组成的半导体纳米颗粒，其尺寸一般为几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在，原本连续的能带变成分立的能级结构，受外界激发后可发射可见光。量子点材料由于其发光峰具有较小的半高宽且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行调节，应用在Micro-LED显示领域将会提升颜色的饱和度和色域。量子点材料由于其特性，作为发光晶粒常应用于Micro-LED中。在Micro-LED中，封装红、绿、蓝三种颜色对应的量子点时一般采用相同大小的储液槽(凹槽)，但是不同颜色对应的量子点胶体封装的量不同，导致对储液槽进行封胶时，封胶厚度也不同，进一步导致不同颜色子像素的发光亮度不均衡，显示效果变差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，所述Micro-LED包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，每个子像素包括一个储液槽，每个储液槽中填充量子点胶体，每个储液槽下方设置一个UV-LED；所述方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；其中，所述阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括所述红色子像素、所述绿色子像素以及所述蓝色子像素；调整掩膜版，使所述掩膜版的透光区对应至每个所述显示像素；维持所述掩膜版与所述阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过所述掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对所述阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。进一步地，所述方法还包括：根据所述三组光源的入射方向、所述子像素的曝光宽度以及同一个显示像素中两个相邻子像素的间隙，获得所述掩膜版与阵列基板之间的距离，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离d满足d＝(p+q)×|cotθ1|的关系；其中，p为所述子像素的曝光宽度，q为同一个显示像素中两个相邻子像素的间隙，θ1为第一入射角，θ2为第二入射角，θ3为第三入射角，所述第一入射角θ1、所述第二入射角θ2和所述第三入射角θ3分别为所述三组光源的入射方向与所述阵列基板法线的夹角，且有θ2＝-θ1，θ3＝0。进一步地，所述方法还包括：控制所述掩膜版，使所述掩膜版与阵列基板之间的距离d保持不变；调整所述第一入射角θ1和所述第二入射角θ2使三组所述光源对不同组别的子像素进行曝光。进一步地，所述方法还包括：控制所述光源，使所述第一入射角θ1和所述第二入射角θ2保持不变；调整所述掩膜版，改变所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离d使三组所述光源对不同组别的子像素进行曝光。进一步地，所述显示像素包括的三个子像素为等大的矩形，且所述子像素和透光区大小相同。进一步地，多个所述显示像素构成一列像素组，所述一列像素组分为红色子像素组、绿色子像素组和蓝色子像素组，且所述红色子像素组、绿色子像素组、蓝色子像素组以及透光区为等宽矩形。进一步地，所述方法还包括：往所述储液槽中加入与所述储液槽的深度对应体积的量子点胶体。进一步地，所述方法还包括：在加入量子点胶体后，对所述储液槽进行封胶，形成厚度一致的封胶层。进一步地，所述光刻胶为正性光刻胶。相较于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：1、本专利技术调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素。这样可以保证在同一时间对显示像素中的三个子像素进行曝光。2、本专利技术维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光。本专利技术维持掩膜版和阵列基板相对位置不变就可以完成全部子像素的曝光，不用进行对位，避免了对位误差导致的曝光不完全，而且本专利技术只进行一次曝光，减少了曝光次数，提高生产效率。3、本专利技术中每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间是根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。光刻胶由于光照强度和光照时间的不同，在显影液中的溶解度也不同，这样的特点可以保证不同组光源对应的储液槽在刻蚀时形成的深度也不同。综上，本专利技术通过同一时间采用三组光照强度和光照时间不同的光源对三个子像素进行曝光，然后显影刻蚀形成三种深度不同的储液槽，这样可以使不同颜色子像素的储液槽封装相对应体积的量子点胶体，进而可以保证每一个储液槽的封胶厚度一致，提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。附图说明图1是本专利技术实施例的方法实现流程示意图。图2是本专利技术实施例中Micro-LED的结构示意图。图3是本专利技术实施例中第一具体情况的曝光光路示意图。图4是本专利技术实施例中第二具体情况的曝光光路示意图。图5是本专利技术实施例中子像素与透光区的关系示意图。图6是本专利技术实施例中显示像素组与透光区的关系示意图。图7是现有技术中Micro-LED的结构示意图。具体实施方式本专利技术公开了一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进技术细节实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都被视为包括在本专利技术。本专利技术的方法及应用已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本
技术实现思路
、精神和范围内对本文所述的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本专利技术技术。不同颜色子像素对应的量子点产生相同亮度的光吸收的能量不同，这导致要使不同颜色子像素发光均衡就要采用不同体型的量子点胶体。然而一般Micro-LED阵列基板的每个储液槽的大小一致，这使得不同颜色子像素的储液槽封胶时的厚度也不一致可以如图7所示。图7中，701为封胶层，702为储液槽，703为UV-LED。封胶厚度不同导致量子点发光透过封胶层后的亮度也不同，这样不同颜色子像素的发光亮度不均衡，显示效果变差。有鉴于此，如图1-6所示，本专利技术实施例提供了一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，Micro-LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述Micro-LED包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，每个子像素包括一个储液槽，每个储液槽中填充量子点胶体，每个储液槽下方设置一个UV-LED；所述方法包括：/n在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；其中，所述阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括所述红色子像素、所述绿色子像素以及所述蓝色子像素；/n调整掩膜版，使所述掩膜版的透光区对应至每个所述显示像素；/n维持所述掩膜版与所述阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过所述掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；/n使用显影液对所述阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；/n烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述Micro-LED包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，每个子像素包括一个储液槽，每个储液槽中填充量子点胶体，每个储液槽下方设置一个UV-LED；所述方法包括：
在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；其中，所述阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括所述红色子像素、所述绿色子像素以及所述蓝色子像素；
调整掩膜版，使所述掩膜版的透光区对应至每个所述显示像素；
维持所述掩膜版与所述阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过所述掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；
使用显影液对所述阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；
烘干所述阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。


2.根据权利要求1所述的一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述三组光源的入射方向、所述子像素的曝光宽度以及同一个显示像素中两个相邻子像素的间隙，获得所述掩膜版与阵列基板之间的距离，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离d满足d＝(p+q)×|cotθ1|的关系；
其中，p为所述子像素的曝光宽度，q为同一个显示像素中两个相邻子像素的间隙，θ1为第一入射角，θ2为第二入射角，θ3为第三入射角，所述第一入射角θ1、所述第二入射角θ2和所述第三入射角θ3分别为所述三组光源的入射方向与所述阵列基板法线的夹角，且有θ2＝-θ1，θ3＝0。


3.根据权利要求2所述的一种提...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永爱，缪志辉，周雄图，吴朝兴，郭太良，林坚普，林志贤，
申请(专利权)人：福州大学，闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：福建;35