一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构，采用特定的在芳胺的对位引入萘环结构，使分子共轭体系增大，有利于加强电荷的传输，提高分子的电荷迁移率；同时，在芳胺的邻位引入特定结构的稠芳香环，首先可以增加整个分子的共轭水平，提升空穴的注入和传输能力；其次可以增加分子的空间位阻，防止分子过度平面化而在高温时形成结晶。式I化合物表现出良好的空穴注入和迁移性能，将其用作有机电致发光器件中的空穴传输材料或者电子阻挡材料时，可抑制器件的效率滚降，有效提升器件中的空穴注入和迁移效率，从而确保器件获得低启动电压的优异效果，并延长器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
OLED(organiclight-emittingdiode)是指有机功能材料在电场作用下，受到电流电压的激发而产生发光的现象，是一种直接将电能转化成光能的过程。1979年，“OLED之父”邓青云博士在实验室偶然发现了有机薄膜器件的电致发光特性，从而拉开了OLED器件的研究序幕，并为OLED技术的实用化做出巨大的贡献。OLED器件是一种全固态自发光型器件，具有响应速度快，视角宽，工作温区范围广的特点。而有机发光材料可依据使用的要求进行结构设计和改进，理论上可以实现全色彩的输出。OLED器件相对于液晶显示技术来说，其结构更加简单，可以实现超薄的大面积平板显示，更加具有轻便、可挠曲、可折叠特性，使其有更加广泛的使用范围。随着5G超高速网络通信时代的来临，人类对信息的需求会呈爆炸式的增长，对信息获取的随机性和及时性的要求也会越来越高。便携的、大尺寸的显示技术是满足这一需求的必要条件。而以目前的技术发展来看，以有机半导体为功能材料的有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)，是最具有潜力的，这归结于OLED技术具有视角宽、响应速度快、驱动电压低、可适应的显示温区宽、可实现蓝光到红光光谱区域的全彩色显示等优点，特别的可以在柔性基板制作器件，使得大面积显示便携成为可能。但是目前OLED显示技术还存在有一些问题，如器件的驱动电压高、发光效率低，显示寿命短等等，严重影响该技术在实用领域的进一步发展。因此，持续的开发能够提升器件效率，寿命及降低驱动电压的优异性能材料，需要不断的努力。在有机发光器件中，用作有机物层的材料，按照功能，大体上可分为发光材料、空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料等。按照发光机理来分，可分为通过电子的单重激发态发光的荧光材料和通过电子的三重态激发态发光的磷光材料。为有效缓解发光材料和三重态激子的聚集，避免浓度淬灭，通常采用主体材料中掺杂发光材料的主客体掺杂体系，主体产生的激子向掺杂剂传输，从而发出高效率的光。有机空穴材料担当着将从阳极注入的空穴传递到发光层的重要角色，具有优秀空穴迁移率的空穴传输材料有利于器件中载流子的注入平衡，从而实现降低器件驱动电压。另一方面，为了防止发光层中生成的激子会向空穴传输层扩散，导致出现偏色及发光效率降低，还需要电子阻挡层能够阻挡激子向外扩散，防止效率滚降和提升器件的稳定性。因此，本领域亟待开发更高性能的OLED材料，以提高器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种化合物，所述化合物具有优秀的空穴迁移能力及电子阻挡能力。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I所示的结构；式I中，所述X选自CR4R5或SiR6R7；所述R4和R5各自独立地选自取代或未取代的C1～C18(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)链状烷基、取代或未取代的C3～C18(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)环烷基、取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烷氧基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳氧基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳氧基中的一种；所述R6和R7各自独立地选自取代或未取代的C1～C18(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)链状烷基、取代或未取代的C3～C18(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)环烷基、取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烷氧基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳氧基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳氧基中的一种；所述R4和R5通过化学键连接成环或不连接成环，所述R6和R7通过化学键连接成环或不连接成环；式I中，所述L1和L2各自独立选自单键、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)亚芳基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)亚杂芳基中的一种；式I中，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基；式I中，所述R1、R2和R3各自独立地选自取代或未取代的C1～C18(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)链状烷基、取代或未取代的C3～C18(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)环烷基、取代或未取代的C1～C18(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11等)烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C18(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17等)硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基氨基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基氨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；



式I中，所述X选自CR4R5或SiR6R7；
所述R4和R5各自独立地选自取代或未取代的C1～C18链状烷基、取代或未取代的C3～C18环烷基、取代或未取代的C1～C12烷氧基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳氧基或者取代或未取代的C3～C30杂芳氧基中的一种；
所述R6和R7各自独立地选自取代或未取代的C1～C18链状烷基、取代或未取代的C3～C18环烷基、取代或未取代的C1～C12烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳氧基或者取代或未取代的C3～C30杂芳氧基中的一种；
所述R4和R5通过化学键连接成环或不连接成环，所述R6和R7通过化学键连接成环或不连接成环；
式I中，所述L1和L2各自独立选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
式I中，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基或者取代或未取代的C3～C30杂芳基；
式I中，所述R1、R2和R3各自独立地选自取代或未取代的C1～C18链状烷基、取代或未取代的C3～C18环烷基、取代或未取代的C1～C18烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C18硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基或者取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
式I中，所述a为0～7的整数，所述m为0～3的整数，所述n为0～4的整数；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、C1～C12链状烷基、C3～C12环烷基、C1～C6烷氧基、C1～C6硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30单环芳基、C10～C30稠环芳基、C3～C30单环杂芳基、C6～C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(2-1)或式(2-2)所示的结构；



所述X、L1、L2、Ar1、Ar2、R1、R2、R3、a、m和n均具有与权利要求1相同的限定范围。


3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述a、m和n中至少有一项为0；
优选地，所述a为0；
优选地，所述a、m和n均为0。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(3-1)或式(3-2)所示的结构；



所述X、L1、L2、Ar1和Ar2均具有与权利要求1相同的限定范围。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，其特征在于，所述X为CR4R5，所述R4和R5均具有与权利要求1相同的限定范围。


6.根据权利要求1～5任一项所述的化合物，其特征在于，所述R4和R5各自独立地选自取代或未取代的C1～C6链状烷基、取代或未取代的C3～C8环烷基或者取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
优选地，所述R4和R5各自独立地选自取代或未取代的C1～C6链状烷基；
优选地，所述R4和R5均为甲基；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、C1～C12链状烷基、C3～C12环烷基、C1～C6烷氧基、C1～C6硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30单环芳基、C10～C30稠环芳基、C3～C30单环杂芳基、C6～C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志鹏，黄金华，张维宏，曾礼昌，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11