本发明专利技术涉及一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备,其中,所述激光拼接方法应用于导电膜,包括:将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。
【技术实现步骤摘要】
激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备
本专利技术涉及触控
,具体地,涉及一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备。
技术介绍
电容式触控屏因其具有触摸点击灵敏和响应快的特点,现已广泛应用于手机、平板电脑等电子产品中,为了更好地将电容式触控屏应用在企业会议、商业广告、教育教学、会展展示中,需要大尺寸的电容式触控屏,相应地,则需要制作大尺寸的应用于电容式触控屏的导电膜。目前大多数的激光蚀刻机采用振镜和平台的组合对导电膜进行激光蚀刻,而常规振镜的加工幅面为170mm*170mm,因此,在制作大尺寸的导电膜时,如图1所示,需要先将导电膜划分为多个分步蚀刻区域,然后在分步蚀刻区域内根据需要蚀刻的导电膜图案通过激光蚀刻在导电膜上形成多条蚀刻线,多条蚀刻线共同形成蚀刻图案,在完成一个分步蚀刻区域的蚀刻即完成振镜的一个幅面加工后,移动振镜来完成其他分步蚀刻区域的激光蚀刻;然而,振镜在进行激光蚀刻时容易发生偏移,这就导致位于相邻两个分步蚀刻区域内的蚀刻图案的拼接处容易发生偏移,从而造成导电膜的短路,进而使得导电膜无法实现触控功能。
技术实现思路
本专利技术旨在解决上述现有技术中至少一种缺陷(不足),提供一种激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备,已解决现有技术中导电膜激光拼接处容易错位导致导电膜短路的问题。一方面,提供一种激光拼接方法,所述方法应用于导电膜,包括:将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。通过将第一拼接线设置在相邻两个单元图案相交处,相邻两个单元图案的轮廓线相交且与第一拼接线成锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。进一步地,所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在相邻两个所述单元图案组之间的区域上。通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域上,相邻两个单元图案组之间的区域没有单元图案,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。进一步地,所述单元图案为具有斜线网格的多边形轴对称图案,其至少具有沿所述第二方向的对称轴;所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在所述单元图案组沿所述第二方向的对称轴上,所述斜线与所述第二拼接线之间的夹角为锐角。通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域或设置在单元图案组沿第二方向的对称轴上,斜线与第二拼接线之间的夹角为锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,从而避免了两个分步蚀刻区域在第二方向上的拼接错位问题,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。进一步地,所述依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案,具体包括:将需要蚀刻在导电膜上的所述非导电图案输入激光机;根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域,以使所述激光机根据所述非导电图案、所述第一拼接线和所述第二拼接线对所述导电膜进行蚀刻。通过根据分步蚀刻区域设定激光机的运动区域,从而即使激光机在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在激光机进行激光蚀刻时发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度。进一步地,在所述根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域之前,还包括:设定所述激光机在所述导电膜上蚀刻所述非导电图案的基本参数,以使所述激光机根据所述基本参数对所述导电膜进行蚀刻。进一步地,还包括:将所述导电膜固定在所述激光机的激光头的下方,并对所述导电膜进行定位。通过对导电膜进行定位,从而提高了激光机在导电膜上进行激光蚀刻形成拼接的非导电图案激光蚀刻的精度。进一步地,所述将所述导电膜固定在所述激光机的下方具体包括:在所述导电膜的底部采用吸风的方式将所述导电膜进行固定。通过采用吸风的方式将所述导电膜进行固定,从而避免了在进行激光蚀刻时因导电膜移动导致蚀刻错误的问题,提高了非导电图案激光蚀刻的精度。进一步地,所述基本参数包括所述激光机的移动方向,所述激光机根据所述移动方向依次在各个分步蚀刻区域上进行蚀刻,以形成拼接的所述非导电图案。一方面,提供一种导电膜,包括导电膜本体和采用如上所述的激光拼接方法在所述导电膜本体上蚀刻形成的非导电图案。一方面,提供一种触控模组,包括基板和如上所述的导电膜。一方面,提供一种电容屏,包括保护盖板、显示模组和如上所述的触控模组,所述保护盖板、所述触控模组和所述显示模组从上至下依次设置。另一方面,提供一种电子设备,包括采用如上所述激光拼接方法加工而成的导电膜。与现有技术相比,本专利技术的有益效果为:通过将第一拼接线设置在相邻两个单元图案相交处,相邻两个单元图案的轮廓线相交且与第一拼接线成锐角,从而即使在完成一个分步蚀刻区域后移动到下一个分步蚀刻区域进行激光蚀刻时发生了偏移,在第一方向上相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,解决了在进行激光蚀刻时在第一方向上发生偏移导致位于相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处有拼接错位,从而导致导电膜短路的问题,提高了对激光偏移的容忍度;通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域上,相邻两个单元图案组之间的区域没有单元图案,或者,通过将第二拼接线设置在相邻两个单元图案组之间的区域或设置在单元图案组沿第二方向的对称轴上,即使在进行激光蚀刻时在第二方向上发生了偏移,在第二方向上相邻两个分步蚀刻区域的单元图案在拼接处依旧相交,有效地避免了因拼接错位导致导电膜短路的问题。附图说明图1为本专利技术中分步蚀刻区域的示意图。图2为现有技术中相邻两个分步蚀刻区域拼接处的局部示意图。图3为现有技术中相邻两个分步蚀刻区域拼接处激光蚀刻后的示意图。图4本专利技术中第一方向上相邻两个分本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种激光拼接方法,所述方法应用于导电膜,包括:/n将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;/n依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;/n其特征在于,所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。/n
【技术特征摘要】
1.一种激光拼接方法,所述方法应用于导电膜,包括:
将导电膜划分为多个相拼接的分步蚀刻区域;
依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案;
其特征在于,所述分步蚀刻区域由沿第一方向设置在相邻两个所述单元图案相交处的第一拼接线和沿第二方向设置的第二拼接线围绕而成,相邻两个所述单元图案的轮廓线相交且与所述第一拼接线成锐角,其中,所述第一方向与所述第二方向互成一定角度。
2.根据权利要求1所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在相邻两个所述单元图案组之间的区域上。
3.根据权利要求1所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述单元图案为具有斜线网格的多边形轴对称图案,其至少具有沿所述第二方向的对称轴;所述非导电图案包括若干个沿第一方向平行间隔排布的单元图案组,所述单元图案组由若干个所述单元图案沿第二方向依次连接形成;所述第二拼接线设置在所述单元图案组沿所述第二方向的对称轴上,所述斜线与所述第二拼接线之间的夹角为锐角。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种激光拼接方法,其特征在于,所述依次在各个所述分步蚀刻区域内通过激光进行蚀刻,以形成拼接的非导电图案,所述非导电图案包括若干个呈多边形的单元图案,具体包括:
将需要蚀刻在导电膜上的所述非导电图案输入激光机;
根据所述分步蚀刻区域设定所述激光机的运动区域,以使所...
【专利技术属性】
技术研发人员:马正,黄俊辉,陈钟辉,
申请(专利权)人:广州视源电子科技股份有限公司,广州视睿电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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