显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种显示面板以及显示装置，所述显示面板包括：包括反射层的阵列基板以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。本申请实施例能够在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。高微发光二极管的发光效率。高微发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
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LED(Micro Light
‑
Emitting Diode,微型发光二极管)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。相较目前应用的液晶显示器件以及OLED(OrganicLight
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Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势，成为未来显示技术的研究热点之一。
[0003]但是，Micro
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LED发光单元为点光源，其发光具有点光源特征，在使用中其大部分光无法被利用，降低了Micro
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LED显示装置的发光效率。同时，在制造Micro
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LED发光单元的过程中，首先在施主晶圆上形成Micro
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LED发光单元，接着将Micro
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LED发光单元转移到接受衬底上，接受衬底例如是显示屏；而由于需要把巨量的Micro
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LED发光单元从母版转移到目标显示基板，因此，此项精确转移被认为是目前Micro
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LED发光单元主要的制作瓶颈之一，导致使用这种方法转移Micro
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LED发光单元的效率和良率均有较大的问题，大大降低微发光二极管显示面板的良率。
[0004]因此，如何改善现有显示面板及显示装置，由于微发光二极管的发光效率低且转移成功率低的技术问题，是本领域技术人员目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可以在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。
[0006]本申请实施例提供一种显示面板，包括：包括阵列基板的反射层以及连接于所述阵列基板的微发光二极管；
[0007]其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括连接电极层，所述连接电极层包括阳极以及阴极，所述微发光二极管分别与所述阳极和所述阴极电性连接；所述反射层包括两第一反射部，两所述第一反射部设置于所述阳极以及所述阴极上，并电性连接于所述阳极和所述微发光二极管，以及所述阴极和所述微发光二极管。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述微发光二极管包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极和和两所述第一反射部中的一个，以及所述阴极和两所述第一反射部中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板设有开口结构，所述开口结构暴露所述阴极和所述阳极，所述微发光二极管位于所述开口结构内，所述反射层包括两第二反射部，每一所述第二反射部连接于对应的所述第一反射部并位于所述开口结构的侧壁
上。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，每一所述第一反射部与对应的所述第二反射部之间的夹角大于90
°
。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射层包括ITO/Ag/ITO导电层、Al金属层以及Mg金属层中的任意一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层还包括栅极、位于所述栅极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层上的源极金属层以及漏极金属层，所述漏极金属层电连接所述阳极。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极位于所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层之间。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管阵列层还包括位于所述层间绝缘层上的平坦化层，所述开口结构设于所述平坦化层和所述层间绝缘层。
[0016]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
[0017]本申请实施例提供的显示面板及显示装置，在阵列基板上需要绑定微发光二极管的区域挖孔形成开口区域，且在开口区域增设反射层，在提高微发光二极管转移成功率的同时，进一步提高微发光二极管的发光效率。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的显示面板的截面示意图；
[0020]图2是本申请实施例提供的显示面板中微发光二极管的出射光路径示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请实施例提供一种触控显示面板及触控显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本专利技术的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本专利技术范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。
另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0023]本申请实施例针对现有显示面板及显示装置，由微发光二极管的发光效率低且转移成功率低的技术问题，本申请实施例能够解决上述技术问题。
[0024]如图1所示，是本申请实施例提供的显示面板的截面示意图；其中，所述显示面板包括：阵列基板、连接电极层以及微发光二极管50，所述阵列基板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上的薄膜晶体管阵列层20以及连接电极层，所述薄膜晶体管阵列层20具有开口结构281；所述连接电极层设置于所述薄膜晶体管阵列层20的栅极绝缘层25上，所述开口结构281暴露出部分所述连接电极层；所述微发光二极管50设置于所述开口结构281内，所述微发光二极管50经由所述连接电极层连接至所述薄膜晶体管阵列层20；
[0025]其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括：阵列基板，包括反射层；以及微发光二极管，连接于所述阵列基板；其中，所述反射层位于所述微发光二极管的侧部，用于将所述微发光二极管发出的光朝向所述显示面板的显示面进行反射。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括连接电极层，所述连接电极层包括阳极以及阴极，所述微发光二极管分别与所述阳极和所述阴极电性连接；所述反射层包括两第一反射部，两所述第一反射部设置于所述阳极以及所述阴极上，并电性连接于所述阳极和所述微发光二极管，以及所述阴极和所述微发光二极管。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述微发光二极管包括本体和连接于所述本体下方的两个引脚，两所述引脚分别电连接所述阳极和和两所述第一反射部中的一个，以及所述阴极和两所述第一反射部中的另一个，所述显示面位于所述本体的背离所述引脚的一侧。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板设有开口结构，所述开口结构暴露所述阴极和所述阳极，所述微发光二极管位于所述开口结构内，所述反射层包括两第二反射部，每一所述第二反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：