本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：基体(10)、在基体(10)的上表面配置的半导体芯片(40)、覆盖半导体芯片(40)的密封树脂(80)、在密封树脂(80)的上部的一部分中埋入且上表面向密封树脂(80)的外部露出的环状栓(70)、以及具有贯通环状栓(70)并在与基体(10)的上表面垂直的方向上延伸的垂直部分、且下端在密封树脂(80)的内部与半导体芯片(40)的电极电连接、上端向密封树脂(80)的外侧露出的立起端子(61)。在立起端子(61)的垂直部分的侧面的周围固着有密封栓(70)。分的侧面的周围固着有密封栓(70)。分的侧面的周围固着有密封栓(70)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
[0001]本专利技术涉及被树脂密封的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]为了对向半导体装置的机械性碰撞进行保护及防止表面污染等，进行由树脂类绝缘物对半导体装置的表面进行密封的树脂密封。在树脂密封后的半导体装置中，与半导体装置中包含的半导体芯片的电极电连接的端子的端部向覆盖半导体装置表面的密封树脂的外部露出。例如，与搭载半导体芯片的基体的主面大致垂直地延伸的端子(下面称为“立起端子”)贯通密封树脂而配置(参照专利文献1。)。
[0003]在专利文献1中，已经公开一种向收纳有半导体装置的模具的空腔注入密封树脂材料的传递模制成型。而且，在直棒状的立起端子的、向密封树脂的外侧露出的外部露出侧端部与被密封树脂覆盖的元件侧连接端部的边界部设有在水平方向上伸出的密封树脂泄漏阻止阀。利用密封树脂泄漏阻止阀，在向模具的空腔注入密封树脂材料时，防止该材料向外部露出侧端部的周围泄漏。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：(日本)专利第5082687号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的技术问题
[0008]然而，在专利文献1所述的方法中，准备通过膨出加工而使密封树脂泄漏阻止阀水平地伸出的立起端子，通过焊接等将该立起端子安装在基体。因此，在将立起端子接近而配置的情况下，会由于邻接的立起端子的密封树脂泄漏阻止阀相互接触而发生电短路。另外，在将传递模制成型中使用的模具安装在半导体装置时，存在密封树脂泄漏阻止阀与模具抵接而折断或弯曲、使立起端子损坏的问题。这样，难以成品率较高地对具有立起端子的半导体装置进行树脂密封。
[0009]本专利技术的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有立起端子，且能够抑制因树脂密封而引起的成品率降低。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]本专利技术的一个方式的半导体装置及其制造方法旨在将与基体对准的环状栓在立起端子的侧面的周围固着，使环状栓的上表面向密封树脂的上部露出地将密封树脂成型。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本专利技术，能够提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有立起端子，且能够抑制因树脂密封而引起的成品率降低。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术第一实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图。
[0015]图2是沿着图1的II
‑
II方向的剖视图。
[0016]图3是沿着图1的III
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III方向的剖视图。
[0017]图4是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性俯视图(之一)。
[0018]图5是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性俯视图(之二)。
[0019]图6是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性俯视图(之三)。
[0020]图7是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性俯视图(之四)。
[0021]图8是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性俯视图(之五)。
[0022]图9是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之一)。
[0023]图10是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之二)。
[0024]图11是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之三)。
[0025]图12是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之四)。
[0026]图13是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的传递模制成型的示意性剖视图(之一)。
[0027]图14是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的传递模制成型的示意性剖视图(之二)。
[0028]图15是用于说明本专利技术第一实施方式的半导体装置的传递模制成型的示意性剖视图(之三)。
[0029]图16是表示比较例的半导体装置的结构的示意性剖视图。
[0030]图17是用于说明比较例的半导体装置的传递模制成型的示意性剖视图。
[0031]图18是表示本专利技术第一实施方式的第一变形例的半导体装置的结构的示意性俯视图。
[0032]图19是沿着图18的XIX
‑
XIX方向的剖视图。
[0033]图20是沿着图18的XX
‑
XX方向的剖视图。
[0034]图21是表示本专利技术第一实施方式的第二变形例的半导体装置的结构的示意性剖视图。
[0035]图22是用于说明本专利技术第一实施方式的第三变形例的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之一)。
[0036]图23是用于说明本专利技术第一实施方式的第三变形例的半导体装置的环状栓的形
成方法的示意性剖视图(之二)。
[0037]图24是用于说明本专利技术第一实施方式的第三变形例的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之三)。
[0038]图25是用于说明本专利技术第一实施方式的第三变形例的半导体装置的环状栓的形成方法的示意性剖视图(之四)。
[0039]图26是表示本专利技术第二实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之一)。
[0040]图27是表示本专利技术第二实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之二)。
[0041]图28是表示本专利技术第二实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之三)。
[0042]图29是沿着图27的XXIX
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XXIX方向的剖视图。
[0043]图30是沿着图27的XXX
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XXX方向的剖视图。
[0044]图31是沿着图27的XXXI
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XXXI方向的剖视图。
[0045]图32是表示本专利技术第三实施方式的半导体装置的结构的电路图。
[0046]图33是表示本专利技术第三实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之一)。
[0047]图34是表示本专利技术第三实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之二)。
[0048]图35是表示本专利技术第三实施方式的半导体装置的结构的示意性俯视图(之三)。
[0049]图36是沿着图34的XXXVI
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XXXVI方向的剖视图。
[0050]图37是沿着图34的XXXVII
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XXXVII方向的剖视图。
[0051]图38是沿着图34的XXXVIII
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XXXVIII方向的剖视图。
具体实施方式
[0052]下面，参照附图，说明实施方式及其变形例。但是，在如下的附图中，为了方便理解，厚度与平面尺寸的关系及各层的厚度的比率等进行了夸张描述。另外，原则上对于相同的部件使用相同的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基体；半导体芯片，其配置在所述基体的上表面；密封树脂，其覆盖所述半导体芯片；绝缘性的环状栓，其在所述密封树脂的上部的一部分中埋入，且上表面向所述密封树脂的外部露出；立起端子，其具有贯通所述环状栓并在与所述基体的上表面垂直的方向上延伸的垂直部分，且下端在所述密封树脂的内部与所述半导体芯片的电极电连接，上端向所述密封树脂的外侧露出；在所述立起端子的所述垂直部分的侧面的周围固着有所述环状栓。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述环状栓是在所述立起端子的侧面的周围固化的粘接剂。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述立起端子为平板状，将在主面配置有所述立起端子的所述垂直部分的绝缘板与所述立起端子组合，构成端子组件，在所述端子组件的周围固着有所述环状栓。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有半导体元件，所述半导体元件在所述半导体芯片的表面配置的表面电极与在所述半导体芯片的背面配置的背面电极之间流动有主电流，所述基体具有在绝缘基板的主面配置有第一端子导体片和第二端子导体片的电路基板，所述第一端子导体片与所述背面电极电连接，所述第二端子导体片与所述表面电极电连接，下端与所述第一端子导体片连接的第一所述立起端子的所述垂直部分和下端与所述第二端子导体片连接的第二所述立起端子的所述垂直部分隔着所述绝缘板对置地配置在所述绝缘板。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片具有半导体元件，所述半导体元件具有在所述半导体芯片的表面配置的表面电极与在背面配置的背面电极、以及对在所述表面电极与所述背面电极之间流动的主电流的接通、断开进行控制的控制电极，所述基体具有在绝缘基板的主面配置有第一端子导体片、第二端子导体片及控制信号导体片的电路基板，所述第一端子导体片与所述背面电极电连接，所述第二端子导体片与所述表面电极电连接，所述控制信号导体片与所述控制电极电连接，下端与所述第一端子导体片连接的第一所述立起端子的所述垂直部分和下端与所述第二端子导体片连接的第二所述立起端子的所述垂直部分隔着所述绝缘板对置地配置在所述绝缘板。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，下端与所述控制信号导体片连接并传输有控制信号的所述立起端子的所述垂直部分在配置有第一所述立起端子及第二所述立起端子的所述绝缘板上配置。7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，具有分别具有所述半导体元件的两个所述半导体芯片，在所述半导体芯片的一方形成的所述半导体元件与在所述半导体芯片的另一方形成的所述半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷本智，山下真理，
申请(专利权)人：株式会社日产ARC，
类型：发明
国别省市：
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