裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器技术

本申请提供了一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器。该裸片裂纹损伤检测电路，包括：测试电路、裂纹检测环路、中继驱动单元。其中，测试电路位于裸片的保护环内，用于输出脉冲检测信号；裂纹检测环路位于保护环内，和/或，保护环外，其输入端与测试电路的输出端连接，其输出端与裸片的输出管脚连接；中继驱动单元，设置于裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强脉冲检测信号的传输能力；保护环环绕整个裸片，用于保护裸片；测试电路在进入测试模式时，向裂纹检测环路输出脉冲检测信号，测试机台通过读取裸片的输出管脚上的信号来判断裸片是否被裂纹所损伤。通过中继驱动单元使得裂缝检测的速度和灵敏度得到大幅提升。提升。提升。

【技术实现步骤摘要】
裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器。

技术介绍

[0002]半导体集成芯片是先在一张圆形硅片上同时制作几十甚至上百个集成电路单元，然后对硅片进行切割，将集成电路单元切割下来，形成裸片，然后经过测试、挑选、封装，成为我们看到的芯片。
[0003]目前硅片切割有刀片锯切和激光切割两种方式。但是无论哪一种方式在切割的时候，都无法避免地会使得硅片产生裂缝，当裂缝蔓延到裸片上，就有可能破坏内部的集成电路，导致裸片报废。
[0004]因此需要在裸片上增加裂缝检测电路来快速识别出受到裂缝损伤的裸片。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路、裂纹检测方法以及存储器，以解决在裸片检测和挑选时，快速识别出受到裂缝损伤的裸片的技术问题。
[0006]第一个方面，本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路，包括：
[0007]测试电路，位于所述裸片的保护环内，用于输出脉冲检测信号；
[0008]裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环外，其输入端与所述测试电路的输出端连接，其输出端与所述裸片的输出管脚连接；
[0009]中继驱动单元，设置于所述裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；
[0010]其中，所述保护环环绕整个所述裸片，用于保护所述裸片；
[0011]所述测试电路在进入测试模式时，向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号，测试机台通过读取所述裸片的输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。
[0012]在一种可能的设计中，所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。
[0013]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元包括：
[0014]缓冲电路，所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号，并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。
[0015]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元还包括：
[0016]可控下拉电阻，所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接，所述可控下拉电阻的第二端接地。
[0017]在一种可能的设计中，所述缓冲电路包括反相器，所述可控下拉电阻用于防止所述反相器的输入端悬空。
[0018]在一种可能的设计中，所述反相器的数量为至少两个。
[0019]可选的，所述可控下拉电阻包括：
[0020]MOS电阻，所述MOS电阻为导通状态下的MOS管；
[0021]开关元件，所述开关元件连接在所述MOS管的源极S和漏极D之间，所述开关元件用于控制所述MOS电阻是否短接，以改变所述可控下拉电阻的阻值。
[0022]可选的，所述裂纹检测环路与所述保护环在所述裸片的基体衬底上的投影形状相同。
[0023]在一种可能的设计中，所述裂纹检测环路的拐角为直角，所述保护环的拐角进行了倒角处理。
[0024]第二个方面，本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路，包括：
[0025]测试电路，位于所述裸片的内部处理电路的边界环线内，用于输出脉冲检测信号；
[0026]裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环与所述内部边界环线之间，其输入端与所述测试电路的输出端连接，其输出端与所述裸片的输出管脚连接；
[0027]中继驱动单元，设置于所述裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；
[0028]其中，所述保护环环绕整个所述裸片，用于保护所述裸片；
[0029]所述测试电路在进入测试模式时，向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号，测试机台通过读取所述裸片的输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。
[0030]在一种可能的设计中，所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。
[0031]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元包括：
[0032]缓冲电路，所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号，并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。
[0033]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元还包括：
[0034]可控下拉电阻，所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接，所述可控下拉电阻的第二端接地。
[0035]在一种可能的设计中，所述缓冲电路包括反相器，所述可控下拉电阻用于防止所述反相器的输入端悬空。
[0036]可选的，所述反相器的数量为至少两个。
[0037]在一种可能的设计中，所述可控下拉电阻包括：
[0038]MOS电阻，所述MOS电阻为导通状态下的MOS管；
[0039]开关元件，所述开关元件连接在所述MOS管的源极S和漏极D之间，所述开关元件用于控制所述MOS电阻是否短接，以改变所述可控下拉电阻的阻值。
[0040]可选的，所述裂纹检测环路与所述保护环在所述裸片的基体衬底上的投影形状相同。
[0041]可选的，所述裂纹检测环路的拐角为直角，所述保护环的拐角进行了倒角处理。
[0042]第三个方面，本申请提供一种裸片裂纹损伤检测电路，包括：
[0043]测试电路，位于所述裸片的内部处理电路的边界环线内，用于通过第一输出端，和/或，第二输出端输出脉冲检测信号；
[0044]第一裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环外，其输入端与所述测试电路
的第一输出端连接，其输出端与所述裸片的第一输出管脚连接；
[0045]第二裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环与所述内部边界环线之间，其输入端与所述测试电路的第二输出端连接，其输出端与所述裸片的第二输出管脚连接；
[0046]第一中继驱动单元，设置于所述第一裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；
[0047]第二中继驱动单元，设置于所述第二裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；
[0048]其中，所述保护环环绕整个所述裸片，用于保护所述裸片；
[0049]所述测试电路在进入测试模式时，向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号，测试机台通过读取所述裸片的第一输出管脚或所述裸片的第二输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。
[0050]在一种可能的设计中，所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。
[0051]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元包括：
[0052]缓冲电路，所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号，并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。
[0053]在一种可能的设计中，所述中继驱动单元还包括：
[0054]可控下拉电阻，所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接，所述可控下拉电阻的第二端接地。
[0055]在一种可能的设计中，所述缓冲电路包括反相器，所述可控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，包括：测试电路，位于所述裸片的保护环内，用于输出脉冲检测信号；裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环外，其输入端与所述测试电路的输出端连接，其输出端与所述裸片的输出管脚连接；中继驱动单元，设置于所述裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；其中，所述保护环环绕整个所述裸片，用于保护所述裸片；所述测试电路在进入测试模式时，向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号，测试机台通过读取所述裸片的输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。2.根据权利要求1所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。3.根据权利要求2所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述中继驱动单元包括：缓冲电路，所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号，并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。4.根据权利要求3所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述中继驱动单元还包括：可控下拉电阻，所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接，所述可控下拉电阻的第二端接地。5.根据权利要求4所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述缓冲电路包括反相器，所述可控下拉电阻用于防止所述反相器的输入端悬空。6.根据权利要求5所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述反相器的数量为至少两个。7.根据权利要求3
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6中任意一项所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述可控下拉电阻包括：MOS电阻，所述MOS电阻为导通状态下的MOS管；开关元件，所述开关元件连接在所述MOS管的源极S和漏极D之间，所述开关元件用于控制所述MOS电阻是否短接，以改变所述可控下拉电阻的阻值。8.根据权利要求1所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路与所述保护环在所述裸片的基体衬底上的投影形状相同。9.根据权利要求1所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路的拐角为直角，所述保护环的拐角进行了倒角处理。10.一种裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，包括：测试电路，位于所述裸片的内部处理电路的边界环线内，用于输出脉冲检测信号；裂纹检测环路，环绕设置于所述裸片的保护环与所述边界环线之间，其输入端与所述测试电路的输出端连接，其输出端与所述裸片的输出管脚连接；中继驱动单元，设置于所述裂纹检测环路的输入端和输出端之间，用于增强所述脉冲检测信号的传输能力；其中，所述保护环环绕整个所述裸片，用于保护所述裸片；
所述测试电路在进入测试模式时，向所述裂纹检测环路输出所述脉冲检测信号，测试机台通过读取所述裸片的输出管脚上的信号来判断所述裸片是否被裂纹所损伤。11.根据权利要求10所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路位于所述待测裸片所在基体的顶层金属层上。12.根据权利要求11所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述中继驱动单元包括：缓冲电路，所述缓冲电路用于增强所述脉冲检测信号，并驱动所述脉冲检测信号向所述裂纹检测环路的输出端传输。13.根据权利要求12所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述中继驱动单元还包括：可控下拉电阻，所述可控下拉电阻的第一端与所述缓冲电路的输入端连接，所述可控下拉电阻的第二端接地。14.根据权利要求13所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述缓冲电路包括反相器，所述可控下拉电阻用于防止所述反相器的输入端悬空。15.根据权利要求14所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述反相器的数量为至少两个。16.根据权利要求12
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15中任意一项所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述可控下拉电阻包括：MOS电阻，所述MOS电阻为导通状态下的MOS管；开关元件，所述开关元件连接在所述MOS管的源极S和漏极D之间，所述开关元件用于控制所述MOS电阻是否短接，以改变所述可控下拉电阻的阻值。17.根据权利要求10所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路与所述保护环在所述裸片的基体衬底上的投影形状相同。18.根据权利要求10所述的裸片裂纹损伤检测电路，其特征在于，所述裂纹检测环路的拐角为直角，所述保护环的拐角进行了倒角处理。19.一种裸片裂纹损伤检测电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玲玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：