显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置。该显示装置包括设置在衬底上的像素电路和位于像素电路上的显示元件。像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极；第二薄膜晶体管，包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极，第二半导体层连接到第一半导体层和第一栅电极；第一屏蔽层，与第二半导体层重叠；以及第二屏蔽层，与第二半导体层重叠并且堆叠在第一屏蔽层上。体层重叠并且堆叠在第一屏蔽层上。体层重叠并且堆叠在第一屏蔽层上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月4日向韩国知识产权局提交的第10-2019-0160007号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括具有屏蔽层的薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

[0004]通常，显示装置包括显示元件和用于控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条信号线。
[0005]为了精确地控制显示元件是否发射光以及显示元件的发射程度，已增加了电连接到一个显示元件的TFT的数量。因此，正在积极地研究解决与显示装置的高集成度和功耗有关的问题的方法。

技术实现思路

[0006]一个或多个实施例包括具有增强的显示品质的显示装置。然而，这个目的仅是示例，并且本公开的范围不由此限制。
[0007]额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。
[0008]根据本专利技术的示例性实施例，显示装置包括设置在衬底上的像素电路以及像素电路上的显示元件。像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极；第二薄膜晶体管，包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极，第二半导体层的第一端与第一半导体层的第一端连接并且第二半导体层的第二端与第一栅电极连接；第一屏蔽层，与第二半导体层重叠；以及第二屏蔽层，与第二半导体层重叠并且堆叠在第一屏蔽层上。
[0009]第二栅电极包括第一子栅电极和第二子栅电极。第二半导体层包括第一沟道区域和第二沟道区域。第二栅电极包括与第一沟道区域重叠的第一子栅电极和与第二沟道区域重叠的第二子栅电极。第二屏蔽层与第一沟道区域和第二沟道区域之间的一部分重叠。
[0010]第一子栅电极和第二子栅电极位于相同的层上。
[0011]第一屏蔽层和第二屏蔽层包括相同的材料。
[0012]第一屏蔽层和第二屏蔽层包括彼此不同的材料。
[0013]像素电路还包括：电容器，包括上部电极和第一栅电极的作为下部电极的一部分；以及电源电压线，连接到上部电极。上部电极与第一栅电极的该一部分重叠。
[0014]第一屏蔽层、第二屏蔽层和上部电极包括相同的材料。第二屏蔽层是电源电压线的一部分。第一屏蔽层连接到电源电压线。
[0015]第一屏蔽层和上部电极包括相同的材料。第二屏蔽层和电源电压线包括相同的材料。
[0016]像素电路还包括：电容器，包括上部电极和第一栅电极的作为下部电极的一部分；电源电压线，连接到上部电极；以及第三屏蔽层，堆叠在第二屏蔽层上。第二屏蔽层介于第一屏蔽层和第三屏蔽层之间。上部电极和第一屏蔽层位于相同的层上。上部电极与第一栅电极的该一部分重叠。电源电压线和第二屏蔽层位于相同的层上。第三屏蔽层与第二半导体层重叠。
[0017]显示装置还包括连接到像素电路的数据线。数据线和第三屏蔽层位于相同的层上。
[0018]第一屏蔽层和上部电极包括相同的材料。第二屏蔽层和电源电压线包括相同的材料。第三屏蔽层和数据线包括相同的材料。
[0019]第三屏蔽层连接到电源电压线。
[0020]根据本专利技术的示例性实施例，显示装置包括：设置在衬底上的像素电路以及像素电路上的显示元件。像素电路包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：包含第一沟道区域和第二沟道区域的半导体层、与第一沟道区域重叠的第一子栅电极和与第二沟道区域重叠的第二子栅电极。像素电路还包括：第一屏蔽层，与第一沟道区域和第二沟道区域之间的一部分重叠；以及第二屏蔽层，堆叠在第一屏蔽层上。
[0021]第一屏蔽层和第二屏蔽层包括相同的材料。
[0022]第一屏蔽层和第二屏蔽层包括彼此不同的材料。
[0023]像素电路还包括：包括下部电极和上部电极的电容器，以及电连接到电容器的上部电极的电源电压线。下部电极、第一子栅电极和第二子栅电极位于相同的层上。上部电极与下部电极重叠。第一屏蔽层和电容器的上部电极包括相同的材料。第二屏蔽层和电源电压线包括相同的材料。
[0024]第二屏蔽层是电源电压线的一部分。第一屏蔽层连接到电源电压线。
[0025]像素电路还包括位于第二屏蔽层上的第三屏蔽层。第三屏蔽层与第一沟道区域和第二沟道区域之间的一部分重叠。
[0026]像素电路还包括连接到像素电路的数据线。数据线与第三屏蔽层位于相同的层上。
附图说明
[0027]通过结合附图而作出的以下描述，本公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明白易懂，在附图中：
[0028]图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示装置的透视图；
[0029]图2是示意性地示出根据示例性实施例的显示装置的截面图；
[0030]图3是示意性地示出根据示例性实施例的显示面板的平面图；
[0031]图4是示意性地示出根据示例性实施例的显示面板的一个像素的截面图；
[0032]图5是根据示例性实施例的显示装置的多个像素的示意性布局图；
[0033]图6是示意性地示出根据示例性实施例的显示面板的一个像素的像素电路的等效电路图；
[0034]图7A至图7D是示意性地示出根据示例性实施例的薄膜晶体管的截面图；
[0035]图8是示出根据示例性实施例的在显示装置的像素电路中布置的多个薄膜晶体管和电容器的位置的布局图；
[0036]图9A和图9B是根据示例性实施例的图8的包括第三薄膜晶体管的区的放大图；
[0037]图10是根据示例性实施例的沿图8的线II-II'截取的显示装置的示意性截面图；以及
[0038]图11是根据示例性实施例的沿图8的线III-III'截取的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
[0039]现在将详细参照其示例在附图中示出的实施例，其中，相似的附图标记始终指代相似的元件。就这一点而言，本实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面通过参照图仅描述实施例，以解释本描述的多个方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
[0040]在下文中，将在下面参照附图更详细地描述本公开的实施例。与图号无关，相同或相应的那些元件被赋予相同的附图标记，并且省略对其的冗余描述。
[0041]将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
[0042]如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，但上下文另外明确指示的除外。
[0043]还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：像素电路，设置在衬底上；以及显示元件，位于所述像素电路上，其中，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极；第二薄膜晶体管，包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，所述第二半导体层连接至所述第一半导体层和所述第一栅电极；第一屏蔽层，与所述第二半导体层重叠；以及第二屏蔽层，与所述第二半导体层重叠并且堆叠在所述第一屏蔽层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层包括第一沟道区域和第二沟道区域，其中，所述第二栅电极包括与所述第一沟道区域重叠的第一子栅电极和与所述第二沟道区域重叠的第二子栅电极，并且其中，所述第二屏蔽层与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的一部分重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子栅电极和所述第二子栅电极位于相同的层上。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层包括相同的材料。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层包括彼此不同的材料。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括：电容器，包括上部电极和所述第一栅电极的作为下部电极的一部分；以及电源电压线，连接到所述上部电极，其中，所述上部电极与所述第一栅电极的所述一部分重叠。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层和所述上部电极包括相同的材料。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二屏蔽层是所述电源电压线的一部分，并且其中，所述第一屏蔽层连接到所述电源电压线。9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽层和所述上部电极包括相同的材料，并且其中，所述第二屏蔽层和所述电源电压线包括相同的材料。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括：电容器，包括上部电极和所述第一栅电极的作为下部电极的一部分；电源电压线，连接到所述上部电极；以及第三屏蔽层，堆叠在所述第二屏蔽层上，其中，所述第二屏蔽层介于所述第一屏蔽层和所述第三屏蔽层之间，
其中，所述上部电极和所述第一屏蔽层位于相同的层上，其中，所述上部电极与所述第一栅电极的所述一部分重叠，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭娜赟，姜哲圭，金大石，尹一求，李东鲜，李昭英，李知恩，赵准永，崔敏姬，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：