压控振荡器制造技术

提供了压控振荡器。所述压控振荡器包括第一晶体管、第二晶体管、电感性阻抗元件、第一可变电容性阻抗元件和第二可变电容性阻抗元件。第一晶体管的源极结合到第一电源。第二晶体管的源极结合到第一电源。第二晶体管的漏极结合到第一晶体管的栅极。第二晶体管的栅极结合到第一晶体管的漏极。电感性阻抗元件的一端结合到第一晶体管的漏极，其另一个端结合到第二晶体管的漏极。第一可变电容性阻抗元件的第一端结合到第一晶体管的漏极。频率控制电压被施加到第一可变电容性阻抗元件的第二端。到第一可变电容性阻抗元件的第二端。到第一可变电容性阻抗元件的第二端。

【技术实现步骤摘要】
压控振荡器
[0001]本申请要求于2019年12月3日在日本专利局提交的第2019
‑
219023号日本专利申请和于2020年8月12日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0101033号韩国专利申请的权益，该日本专利申请和该韩国专利申请的全部公开出于所有目的通过引用包含于此。


[0002]下面的描述涉及一种电子电路，更具体地，涉及一种压控振荡器。

技术介绍

[0003]无线通信网络可以包括能够支持用于若干移动站的通信的若干基站。移动站可以通过上行链路和下行链路与基站通信。各种无线通信装置用于无线通信。这样的无线通信装置包括智能电话、移动电话、平板计算机、膝上型计算机、智能车辆、可穿戴装置等。
[0004]用于这样的无线通信装置的重要组件之一是压控振荡器(VCO)。压控振荡器是用于在无线通信装置中生成本地振荡信号的装置，并且可以通过电压来改变本地振荡信号的频率。

技术实现思路

[0005]提供本
技术实现思路
以简化的形式介绍下面在具体实施方式中进一步描述的构思的选择。本
技术实现思路
既不意图确定要求权利的主题的关键特征或必要特征，也不意图用于帮助确定要求权利的主题的范围。
[0006]在一个总体方面，一种压控振荡器(VCO)包括第一晶体管、第二晶体管、电感性阻抗元件、第一可变电容性阻抗元件和第二可变电容性阻抗元件。
[0007]第一晶体管的源极结合到第一电源。第一晶体管的漏极结合到第一节点，第一晶体管的栅极结合到第二节点。第二晶体管的源极结合到第一电源。第一电源可以提供电源电压VDD。
[0008]第二晶体管的漏极结合到第二节点。第二晶体管的栅极结合到第一节点。电感性阻抗元件的第一端结合到第一节点。电感性阻抗元件的公共连接端结合到第二电源。第二电源可以提供地电压。电感性阻抗元件的第二端结合到第二节点。第一可变电容性阻抗元件的第一端结合到第一节点。第一可变电容性阻抗元件的第二端结合到第三节点。第二可变电容性阻抗元件的第一端结合到第二节点。第二可变电容性阻抗元件的第二端结合到第三节点。频率控制电压VCTRL可以被施加到第三节点。
[0009]VCO还可以包括结合在第一晶体管的漏极与第一节点之间的第一电阻器。VCO还可以包括结合在第二晶体管的漏极与第二节点之间的第二电阻器。
[0010]第一可变电容性阻抗元件包括第三晶体管和第一电容器。第一电容器结合在第三晶体管的栅极与第三晶体管的漏极之间。第二可变电容性阻抗元件可以包括第四晶体管和第三电容器。第三电容器结合在第四晶体管的栅极与第四晶体管的漏极之间。第三晶体管的源极和第四晶体管的源极结合到第二电源。第二电源可以提供地电压。
[0011]第三晶体管和第四晶体管可以具有寄生电容。为了便于描述，第三晶体管和第四晶体管可以分别被称为第一电容性晶体管和第二电容性晶体管。
[0012]第一可变电容性阻抗元件还可以包括结合在第三晶体管的栅极与第一节点之间的第二电容器。第二可变电容性阻抗元件还可以包括结合在第四晶体管的栅极与第二节点之间的第四电容器。
[0013]第一可变电容性阻抗元件还包括结合在第三晶体管的栅极与第三节点之间的第三电阻器。第二可变电容性阻抗元件还包括结合在第四晶体管的栅极与第三节点之间的第四电阻器。
[0014]VCO还包括被配置为将偏置电流提供给第三晶体管的漏极的第一偏置电路。VCO还包括被配置为将偏置电流提供给第四晶体管的漏极的第二偏置电路。
[0015]第一偏置电路可以包括第五晶体管和第六晶体管。第五晶体管和第六晶体管可以分别被称为第一镜像晶体管和第二镜像晶体管。偏置电压被施加第一镜像晶体管的源极。第一镜像晶体管的栅极结合到第一镜像晶体管的漏极。偏置电压被施加到第二镜像晶体管的源极。第二镜像晶体管的栅极结合到第一镜像晶体管的栅极。第二镜像晶体管的漏极结合到第三晶体管的漏极。
[0016]第二偏置电路可以包括第七晶体管和第八晶体管。第七晶体管和第八晶体管可以分别被称为第三镜像晶体管和第四镜像晶体管。偏置电压被施加到第三镜像晶体管的源极。第三镜像晶体管的栅极结合到第三镜像晶体管的漏极。偏置电压被施加到第四镜像晶体管的源极。第四镜像晶体管的栅极结合到第三镜像晶体管的栅极。第四镜像晶体管的漏极结合到第四晶体管的漏极。
[0017]第一偏置电路还可以包括结合在第一镜像晶体管的漏极与第二电源之间的第五电阻器。第五电阻器可以被称为第一镜像电阻器。第二偏置电路还可以包括结合在第三镜像体管的漏极与第二电源之间的第六电阻器。第六电阻器可以被称为第二镜像电阻器。第二电源可以提供地电压。
[0018]第三晶体管和第四晶体管可以是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
[0019]第二电容器、第一电容器、第四电容器和第三电容器可以使用布线间电容来形成。
[0020]在另一总体方面，一种压控振荡器(VCO)包括第一晶体管、第二晶体管、电感性阻抗元件、第一可变电容性阻抗元件和第二可变电容性阻抗元件。第一晶体管的源极结合到第一电源。第二晶体管的源极结合到第一电源，第二晶体管的漏极结合到第一晶体管的栅极，第二晶体管的栅极结合到第一晶体管的漏极。电感性阻抗元件的一端结合到第一晶体管的漏极，电感性阻抗元件的另一端结合到第二晶体管的漏极。第一可变电容性阻抗元件的第一端结合到第一晶体管的漏极，频率控制电压被施加到第一可变电容性阻抗元件的第二端。第二可变电容性阻抗元件的第一端结合到第二晶体管的漏极，频率控制电压被施加到第二可变电容性阻抗元件的第二端。
[0021]第一可变电容性阻抗元件包括第三晶体管、第二电容器和第一电容器。第二电容器结合在第三晶体管的栅极与第一可变电容性阻抗元件的第一端之间。第一电容器结合在第三晶体管的栅极与第三晶体管的漏极之间。第二可变电容性阻抗元件包括第四晶体管、第四电容器和第三电容器。第四电容器结合在第四晶体管的栅极与第二可变电容性阻抗元件的第一端之间。第三电容器结合在第四晶体管的栅极与第四晶体管的漏极之间。
[0022]第一可变电容性阻抗元件还可以包括结合在第三晶体管的栅极与第一可变电容性阻抗元件的第二端之间的第三电阻器。第二可变电容性阻抗元件还可以包括结合在第四晶体管的栅极与第二可变电容性阻抗元件的第二端之间的第四电阻器。
[0023]在另一总体方面，一种压控振荡器(VCO)包括两个交叉耦合的晶体管以及电容性阻抗元件。电容性阻抗元件中的每个电容性阻抗元件结合在所述两个交叉耦接的晶体管中的每个晶体管与频率控制电压之间。
[0024]电容性阻抗元件可以均包括晶体管和电容器。电容器可以结合在所述晶体管的栅极与漏极之间。电容性阻抗元件均还可以包括附加电容器。附加电容器可以结合在所述两个交叉耦合的晶体管中的每个晶体管与所述晶体管的栅极之间。电容性阻抗元件均还可以包括结合在所述晶体管的栅极与频率控制电压之间的电阻器。
[0025]VCO还可以包括被配置为将偏置电流提供给包括在电容性阻抗元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压控振荡器，包括：第一晶体管；第二晶体管；电感性阻抗元件；第一可变电容性阻抗元件；以及第二可变电容性阻抗元件，其中，第一晶体管的源极结合到第一电源，第一晶体管的漏极结合到第一节点，第一晶体管的栅极结合到第二节点，第二晶体管的源极结合到第一电源，第二晶体管的漏极结合到第二节点，第二晶体管的栅极结合到第一节点，电感性阻抗元件的第一端结合到第一节点，电感性阻抗元件的第二端结合到第二节点，第一可变电容性阻抗元件的第一端结合到第一节点，第一可变电容性阻抗元件的第二端结合到第三节点，第二可变电容性阻抗元件的第一端结合到第二节点，并且第二可变电容性阻抗元件的第二端结合到第三节点。2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其中，频率控制电压被施加到第三节点。3.根据权利要求1或2所述的压控振荡器，其中，第一可变电容性阻抗元件包括：第三晶体管；以及第一电容器，结合在第三晶体管的栅极与第三晶体管的漏极之间，并且第二可变电容性阻抗元件包括：第四晶体管；以及第三电容器，结合在第四晶体管的栅极与第四晶体管的漏极之间。4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其中，第一可变电容性阻抗元件还包括：第二电容器，结合在第三晶体管的栅极与第一节点之间，并且第二可变电容性阻抗元件还包括：第四电容器，结合在第四晶体管的栅极与第二节点之间。5.根据权利要求3所述的压控振荡器，其中，第一可变电容性阻抗元件还包括：第三电阻器，结合在第三晶体管的栅极与第三节点之间，并且第二可变电容性阻抗元件还包括：第四电阻器，结合在第四晶体管的栅极与第三节点之间。6.根据权利要求3所述的压控振荡器，其中，第三晶体管的源极和第四晶体管的源极结合到第二电源。7.根据权利要求1或2所述的压控振荡器，其中，电感性阻抗元件的公共连接端结合到第二电源。8.根据权利要求3所述的压控振荡器，还包括：第一偏置电路，被配置为将第一偏置电流提供给第三晶体管的漏极；以及
第二偏置电路，被配置为将第二偏置电流提供给第四晶体管的漏极。9.根据权利要求8所述的压控振荡器，其中，第一偏置电路包括：第五晶体管；以及第六晶体管，其中，偏置电压被施加到第五晶体管的源极，第五晶体管的栅极结合到第五晶体管的漏极，偏置电压被施加到第六晶体管的源极，第六晶体管的栅极结合到第五晶体管的栅极，并且第六晶体管的漏极结合...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉増敏彦，丹治康纪，杉浦毅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：