一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及阵列基板技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层，在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二蚀刻阻挡层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与栅极金属层的材质相同，第三电极层的材质与源漏极金属层的材质相同，从而进一步增大了电容容量，同时也能减小电容的占用面积。小电容的占用面积。小电容的占用面积。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及阵列基板
，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。
[0003]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20
‑
30倍，可以大大提高TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0004]氧化物半导体迁移率(10
‑
30 cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的Ioff，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZO TFT驱动电路的高分辨率OLED显示器市场前景很好，为目前国内外主要面板制造厂研发热点。
[0005]GOA技术(GOA：Gate Driver IC on Array)是近年面板发展的一种新类型，其把驱动Gate信号的IC直接刻蚀在面板上，省去了Gate Driver IC的成本和把IC绑定在面板上的工序，更重要的是由于Gate Driver IC与显示面板为一个整体，使得产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好。目前，GOA技术已经成为移动终端业的主流，智能手机几乎都使用这种液晶面板。
[0006]在阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量电容，这就造成驱动电路的占用面积较大无法进一步缩小显示面板边框尺寸，以及画素大小。

技术实现思路

[0007]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种能够提高电容容量的阵列基板及其制备方法。
[0008]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第一种技术方案为：
[0009]一种阵列基板，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；
[0010]所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二蚀刻阻挡层、源漏极金属层和第二钝化层，所述源漏极金属层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二钝化层；
[0011]所述第一电极层的材质与栅极金属层的材质相同；
[0012]所述第二电极层的材质与有源层的材质相同；
[0013]所述第三电极层的材质与源漏极金属层的材质相同。
[0014]本专利技术采用的第二种技术方案为：
[0015]一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
[0016]S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；
[0017]S2、形成第一电极层和栅极金属层，所述第一电极层填充于凹槽内，所述栅极金属层覆盖于缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上；
[0018]S3、形成第一绝缘层和栅极绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于第一电极层表面，所述栅极绝缘层覆盖于栅极金属层表面；
[0019]S4、形成第二电极层和有源层，所述第二电极层覆盖于第一绝缘层表面，所述有源层覆盖于栅极绝缘层表面；
[0020]S5、形成第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层覆盖于第二电极层表面，所述第二蚀刻阻挡层覆盖于有源层表面；
[0021]S6、形成第三电极层和源漏极金属层，所述第三电极层覆盖于第一蚀刻阻挡层表面，所述源漏极金属层覆盖于第二蚀刻阻挡层表面；在所述源漏极金属层中形成第一过孔；
[0022]S7、形成第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层覆盖于第三电极层表面，所述第二钝化层覆盖于源漏极金属层表面，且所述第一过孔中均填充有第二钝化层。
[0023]本专利技术的有益效果在于：
[0024]通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层，第一电极层、第二电极层和第三电极层分别作为电容的电极层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，第二电极层、第一蚀刻阻挡层和第三电极层构成一个电容，以形成两个并联的电容，从而进一步增大了电容容量；在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二蚀刻阻挡层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与栅极金属层的材质相同，第三电极层的材质与源漏极金属层的材质相同，第一电极层采用与栅极金属层相同的材质，第三电极层采用与源漏极金属层相同的材质，这样在节省光罩的同时还能够进一步提高电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
附图说明
[0025]图1为根据本专利技术的一种阵列基板的结构示意图；
[0026]图2为根据本专利技术的一种阵列基板的制备方法的步骤流程图；
[0027]标号说明：
[0028]1、玻璃基板；
[0029]2、缓冲层；
[0030]3、电容区域；31、第一电极层；32、第一绝缘层；33、第二电极层；34、第一蚀刻阻挡层；35、第三电极层；36、第一钝化层；
[0031]4、TFT区域；41、栅极金属层；42、栅极绝缘层；43、有源层；44、第二蚀刻阻挡层；45、源漏极金属层；46、第二钝化层。
具体实施方式
[0032]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0033]请参照图1，本专利技术提供的一种技术方案：
[0034]一种阵列基板，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；
[0035]所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二蚀刻阻挡层、源漏极金属层和第二钝化层，所述源漏极金属层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二钝化层；
[0036]所述第一电极层的材质与栅极金属层的材质相同；
[0037]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二蚀刻阻挡层、源漏极金属层和第二钝化层，所述源漏极金属层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二钝化层；所述第一电极层的材质与栅极金属层的材质相同；所述第二电极层的材质与有源层的材质相同；所述第三电极层的材质与源漏极金属层的材质相同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的厚度范围为3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的竖直截面形状为方形。5.一种权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳华琦，陈宇怀，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：