板上芯片型光电器件制造技术

本发明专利技术实施例公开一种板上芯片型光电器件，包括：金属基板，包括：光电元件固定区域；围坝，设置在所述金属基板上，并环绕所述光电元件固定区域；多个第一光电元件，设置在所述金属基板上，且位于所述光电元件固定区域内；KSF荧光层，设置在所述多个第一光电元件上，且不与所述金属基板接触，其中所述KSF荧光层包括KSF荧光粉；以及隔离层，设置在所述围坝内，且覆盖所述KSF荧光层。本发明专利技术实施例公开的板上芯片型光电器件可以充分利用KSF的高光效性能，提高板上芯片型光电器件的光效，且保持KSF稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
板上芯片型光电器件


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种板上芯片型光电器件。

技术介绍

[0002]现如今LED光源由于其高亮度、低功耗、使用寿命长以及安装简便等特点被广泛应用于显示、照明、广告宣传指示标志等场所，随着LED光源技术的逐渐成熟，其应用范围更加广泛。目前市场主流的LED光源之一为COB光源，现有的COB光源在封装制造时，会在内部添加KSF(K2SiF6:Mn
4+
)荧光粉，KSF具有较高的发光效率，其应用在COB光源中可以提高COB光源的光效，然而由于KSF材料具有较强的金属腐蚀性，会腐蚀COB光源中金属基板和芯片电极等金属结构，同时也会与水和空气反应导致分解，稳定性不好。
[0003]因此，提供一种可以提高光效、且保持KSF稳定性同时避免KSF金属腐蚀性的COB光源，是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例公开一种板上芯片型光电器件，可以充分利用KSF的高光效性能，提高COB光源的光效，且保持KSF稳定性。
[0005]具体地，本专利技术实施例公开一种板上芯片型光电器件，包括：金属基板，包括：光电元件固定区域；围坝，设置在所述金属基板上，并环绕所述光电元件固定区域；多个第一光电元件，设置在所述金属基板上，且位于所述光电元件固定区域内；KSF荧光层，设置在所述多个第一光电元件上，且不与所述金属基板接触，其中所述KSF荧光层包括KSF荧光粉；以及隔离层，设置在所述围坝内，且覆盖所述KSF荧光层。
[0006]在本专利技术的一个实施例中，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉。
[0007]在本专利技术的一个实施例中，所述KSF荧光结构在垂直于所述金属基板的方向上的截面为矩形或者圆弧形。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，并从所述上表面向所述第一光电元件的侧表面延伸以覆盖所述第一光电元件的侧表面；其中，所述隔离层还填充在每个所述KSF荧光结构与所述金属基板之间。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，所述隔离层，包括：第一隔离层，设置在所述金属基板上，且在垂直于所述金属基板的方向上，所述第一隔离层的高度不高于所述第一光电元件的高度；以及第二隔离层，设置在所述KSF荧光层上。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉；其中，所述第二隔离层设置
在所述第一隔离层和所述多个KSF荧光结构上。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，并从所述上表面向所述第一光电元件的侧表面延伸以覆盖所述第一光电元件的侧表面，其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉；其中，所述第二隔离层设置在所述第一隔离层和所述多个KSF荧光结构上。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述第一隔离层的高度与所述第一光电元件的高度相同，所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层和所述多个第一光电元件上。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，所述第一隔离层的高度小于所述第一光电元件的高度，所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层和所述多个第一光电元件上，且所述KSF荧光层覆盖在所述第一隔离层的高度大于覆盖在所述第一光电元件的高度，且所述KSF荧光层远离所述金属基板的上表面为水平面。
[0014]在本专利技术的一个实施例中，还包括：多个第二光电元件，设置在所述金属基板上，且位于所述光电元件固定区域内，与所述多个第一光电元件按照设计需求排列；其中，所述隔离层还覆盖所述多个第二光电元件，且包括：除所述KSF荧光粉之外的其他荧光粉；所述隔离层包括的所述其他荧光粉对所述多个第二光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温高于所述KSF荧光层对所述多个第一光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，还包括：多个第二光电元件，设置在所述金属基板上，且位于所述光电元件固定区域内，与所述多个第一光电元件按照设计需求排列；其中，所述第一隔离层填充在相邻的所述第一光电元件和所述第二光电元件之间，且在垂直于所述金属基板的方向上，所述第一隔离层的高度还不高于所述第二光电元件的高度；所述第二隔离层还设置在所述第一隔离层和所述多个第二光电元件上，且包括：除所述KSF荧光粉之外的其他荧光粉；所述第二隔离层包括的所述其他荧光粉对所述多个第二光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温高于所述KSF荧光层对所述多个第一光电元件发出的光进行波长转换后输出的光的色温。
[0016]本专利技术上述技术方案可以有如下的一个或者多个有益效果：本专利技术实施例公开的板上芯片型光电器件通过将包括KSF荧光粉的KSF荧光层设置在多个第一光电元件上，不与金属基板接触，且将隔离层设置在KSF荧光层上，可以充分利用KSF的高光效性能，提高COB光源的光效，且避免KSF与水和空气接触发生反应以及腐蚀COB光源中金属基板，保持KSF稳定性；进一步地，通过将KSF荧光层包括与多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，KSF荧光结构覆盖对应的第一光电元件远离金属基板的上表面，且从上表面向第一光电元件的侧表面延伸以覆盖第一光电元件的侧表面，从而降低了蓝光泄露的概率；以及进一步地，通过在光电元件固定区域中还设置多个第二光电元件，隔离层包括不同于KSF荧光粉的其他荧光粉覆盖多个第二光电元件，实现了COB调光调色功能。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普
通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术第一实施例公开的板上芯片型光电器件的一种部分结构示意图。
[0019]图2为本专利技术第一实施例公开的板上芯片型光电器件的另一种部分结构示意图。
[0020]图3为本专利技术第二实施例公开的板上芯片型光电器件的一种部分结构示意图。
[0021]图4为本专利技术第二实施例公开的板上芯片型光电器件的另一种部分结构示意图。
[0022]图5为本专利技术第三实施例公开的板上芯片型光电器件的部分结构示意图。
[0023]图6为本专利技术第三实施例公开的板上芯片型光电器件的另一种部分结构示意图。
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种板上芯片型光电器件，其特征在于，包括：金属基板，包括：光电元件固定区域；围坝，设置在所述金属基板上，并环绕所述光电元件固定区域；多个第一光电元件，设置在所述金属基板上，且位于所述光电元件固定区域内；KSF荧光层，设置在所述多个第一光电元件上，且不与所述金属基板接触，其中所述KSF荧光层包括KSF荧光粉；以及隔离层，设置在所述围坝内，且覆盖所述KSF荧光层。2.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉。3.根据权利要求2所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述KSF荧光结构在垂直于所述金属基板的方向上的截面为矩形或者圆弧形。4.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，并从所述上表面向所述第一光电元件的侧表面延伸以覆盖所述第一光电元件的侧表面；其中，所述隔离层还填充在每个所述KSF荧光结构与所述金属基板之间。5.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述隔离层，包括：第一隔离层，设置在所述金属基板上，且在垂直于所述金属基板的方向上，所述第一隔离层的高度不高于所述第一光电元件的高度；以及第二隔离层，设置在所述KSF荧光层上。6.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述金属基板的上表面，其中每个所述KSF荧光结构包括所述KSF荧光粉；其中，所述第二隔离层设置在所述第一隔离层和所述多个KSF荧光结构上。7.根据权利要求5所述的板上芯片型光电器件，其特征在于，所述KSF荧光层包括：与所述多个第一光电元件一一对应的多个KSF荧光结构，每个所述KSF荧光结构覆盖对应的所述第一光电元件远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄德冰，沈志坤，李逸群，王刚，袁湘龙，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：