镀膜装置的进气系统制造方法及图纸

技术编号:28721276 阅读:12 留言:0更新日期:2021-06-06 03:56
本发明专利技术提供种镀膜装置的进气系统,用于一类金刚石涂层的镀膜装置为至少一待镀膜产品进行布气镀膜,所述镀膜装置的进气系统包括至少一进气单元和一布气单元,其中所述布气单元被设置于所述待镀膜产品的顶部,所述进气单元的一端与所述镀膜装置中的一气源装置连通,所述进气单元的另一端与所述布气单元连通,从而使经过所述进气单元进入所述布气单元的气体能够由所述待镀膜产品的顶部到达所述待镀膜产品的表面。产品的表面。产品的表面。

【技术实现步骤摘要】
镀膜装置的进气系统


[0001]本专利技术涉及一种镀膜装置的进气系统和进气方法,具体而言,本专利技术涉及一种能提高镀膜均匀性的进气系统。

技术介绍

[0002]类金刚石膜(DLC膜)是一类性质类似于金刚石具有高电阻率、高硬度、热稳定性、高电阻、低介电常数、优秀的光学性能、及良好的生物相容性等多项优良性能的非晶体碳膜,其性质可以赋予全屏或者全屏曲面手机、柔性屏手机等电子产品,这是合乎需要的。
[0003]类金刚石薄膜镀膜工艺通常采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-PECVD)技术。其基本原理是,工件放入真空室后,将真空室抽到较低的气压,而后将气体充入真空室使气压达到一预定值。当在工件上加载脉冲负偏压,整个真空室就产生脉冲辉光放电等离子体,同时,脉冲电压牵引等离子体中的正离子向工件表面加速沉积。依据离子种类(气源和能量)的不同,比如使用惰性气体在高能离化状态可以进行离子溅射清洗,使用碳氢气体作为反应原料,可以在工件表面沉积形成DLC膜。这两种操作通常在不破坏真空的情况下,只需要简单的切换气体就可以实现。
[0004]近年来,经过长期的努力,人们在类金刚石薄膜的研究方面已经取得了较大的进步,通过脉冲直流等离子体技术进行类金刚石薄膜制备的方式受到了人们越来越多的重视,由于脉冲直流等离子体增强化学气相沉积技术具有许多优点,因此已经成为脉冲直流等离子体增强化学气相沉积技术的主流方向。与常规直流等离子体增强化学气相沉积技术相比,脉冲直流等离子体增强化学气相沉积技术具有以下优点:
[0005]1、制备的薄膜残余应力较低;
[0006]由于薄膜和基体性能差异很大,薄膜形成后,有较大的残留应力,这是影响薄膜和基体间结合强度的重要原因之一。
[0007]2、可以有效控制薄膜的生产速度;
[0008]3、可以在夹缝、深孔等不均匀工件表面获得均匀的薄膜;
[0009]4、提高灭弧速度,有效降低成膜时的表面温度。
[0010]在现有的类金刚石涂层镀膜技术中,例如申请号为201820031773.X名称为单腔循环连续式类金刚石涂层装置的技术专利。在该技术方案中,公开了通过单一进料口直接向进料腔体供料的进料系统,进料口设置于主腔体顶部并与进料腔室相连通,进料口设置有可开启的封闭门板及将封闭门板锁定的锁定机构。目前的进气系统和进气方法存在以下弊端:(1)工件表面涂层厚度不均匀,不同位置上的产品镀膜颜色不一致,甚至同一批次的镀膜产品色差明显,工艺稳定性差。(2)无法针对不同数量、类型工件,精准控制进气量和进气速率,造成原料气体损耗大,经济成本大幅上升。(3)同一批次不同类型的工件,不能进行分类单独镀膜,加工灵活性差。

技术实现思路

[0011]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够为待镀膜产品提供相对均匀的气体供应,从而提高待镀膜产品在加工过程中的工艺稳定性。
[0012]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够提供稳定的气体输出,从而便于在所述待镀膜产品在加工过程中对进气原料的管控,以便于实现对成本的稳定管控。
[0013]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够根据不同形状的待镀膜产品确定相应的进气量和进气速度,从而提高对所述待镀膜产品的加工稳定性。
[0014]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够根据所述待镀膜产品的不同数量确定不同的进气量,从而提高对进气原料的管控精度,进一步实现对成本的管控精度。
[0015]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够将充入的气体均匀地喷洒于所述待镀膜产品的表面,从而提高所述待镀膜产品的膜厚的均匀性。
[0016]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统结构简单,不会影响所述镀膜装置的镀膜腔内的空间,因此不会降低所述镀膜装置的单次镀膜效率。
[0017]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够对镀膜气体进行充分混合,并使镀膜气体能够均匀到达待镀膜产品的表面,以此进一步提高所述镀膜装置的镀膜品质。
[0018]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统与所述镀膜装置的支架重合设置,从而降低所述镀膜装置的生产成本并减少所述进气系统在所述镀膜装置的镀膜腔内的占用空间。
[0019]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够对所述待镀膜产品进行分类单独控制或对所有的待镀膜产品进行整体控制,从而提高所述待镀膜产品的加工灵活性。
[0020]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统能够利用所述镀膜装置的镀膜腔内的支架单元,从而降低所述镀膜装置的制造成本和镀膜腔内的空间占用率。
[0021]本专利技术的一个目的在于提供一种镀膜装置的进气系统,其中所述镀膜装置的进气系统用于DLC镀膜,从而提高DLC镀膜在镀膜过程中的涂层厚度的稳定性,并提高所述DLC镀膜的生产效率。
[0022]为完成上述至少一目的,本专利技术主要提供一种镀膜装置的进气系统,用于一类金刚石涂层的镀膜装置为至少一待镀膜产品进行布气镀膜,所述镀膜装置的进气系统包括至少一进气单元和一布气单元,其中所述布气单元被设置于所述待镀膜产品的顶部,所述进气单元的一端与所述镀膜装置中的一气源装置连通,所述进气单元的另一端与所述布气单元连通,从而使经过所述进气单元进入所述布气单元的气体能够由所述待镀膜产品的顶部
到达所述待镀膜产品的表面。
[0023]在其中一些实施例中,所述进气单元包括多个进气组件,任一所述进气组件的一端与所述气源装置连通,所述进气组件的另一端与所述布气单元连通。
[0024]在其中一些实施例中,所述进气单元包括与所述进气组件数量一致的连通元件,各个所述进气组件分别与其连通的所述连通元件与所述气源和所述布气单元相连通。
[0025]在其中一些实施例中,所述进气组件被实施为一进气管。
[0026]在其中一些实施例中,所述进气单元包括一进气组件和至少一连通元件,其中所述连通元件的数量与所述布气单元的数量一致,且多个所述连通元件分别与所述进气组件连通,以使从所述进气组件通过的气体能够分别被输送至所述布气单元。
[0027]在其中一些实施例中,所述布气单元包括至少一布气通道,所述布气通道与所述进气单元连通并能够将气体传送至所述待镀膜产品的表面。
[0028]在其中一些实施例中,各个所述布气通道形成于所述镀膜装置的一电极单元,所述电极单元被电性设置于所述镀膜装置并位于所述待镀膜产品的顶部。
[0029]在其中一些实施例中,所述电极单元包括一第一电极板本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置的进气系统,用于一类金刚石涂层的镀膜装置为至少一待镀膜产品进行布气镀膜,其特征在于,所述镀膜装置的进气系统包括至少一进气单元和一布气单元,其中所述布气单元被设置于该待镀膜产品的顶部,所述进气单元的一端与所述镀膜装置中的一气源装置连通,所述进气单元的另一端与所述布气单元连通,从而使经过所述进气单元进入所述布气单元的气体能够由该待镀膜产品的顶部向该该待镀膜产品的表面喷洒。2.根据权利要求1所述的镀膜装置的进气系统,其中所述进气单元包括多个进气组件,各个所述进气组件的一端与所述气源装置连通,所述进气组件的另一端与所述布气单元连通。3.根据权利要求2所述的镀膜装置的进气系统,其中所述进气单元包括与所述进气组件数量一致的连通元件,各个所述进气组件分别与其连通的所述连通元件与所述气源和所述布气单元相连通。4.根据权利要求3所述的镀膜装置的进气系统,其中所述进气组件被实施为一进气管。5.根据权利要求1所述的镀膜装置的进气系统,其中所述进气单元包括一进气组件和至少一连通元件,其中所述连通元件的数量与所述布气单元的数量一致,且多个所述连通元件分别与所述进气组件连通,以使从所述进气组件通过的气体能够分别被输送至所述布气单元。6.根据权利要求4所述的镀膜装置的进气系统,其中所述布气单元包括至少一布气通道,所述布气通道与所述进气单元连通并能够将气体传送至该待镀膜产品的表面。7.根据权利要求6所述的镀膜装置的进气系统,其中各个所述布气通道形成于所述镀膜装置的一电极单元,所述电极单元位于该待镀膜产品的顶部。8.根据权利要求7所述的镀膜装置的进气系统,其中所述电极单元包括一第一电极板和一第二电极板,其中所述第一电极板被设置于所述第二电极板的上方,所述第二电极板位于靠近该待镀膜产品的一侧,以使所述布气通道位于该待镀膜产品的顶部。9.根据权利要求8所述的镀膜装置的进气系统,其中所述第二电极板上设置有一个或多个第二布气孔,以使所述布气通道内的气体能够通过所述第二布气孔到达该待镀膜产品的表面。10.根据权利要求8所述的镀膜装置的进气系统,其中所述电极单元电连接于一脉冲电源的负极。11.根据权利要求9或10所述的镀膜装置的进气系统,其中所述布气单元进一步包括至少一挡板,各个所述挡板被固定设置于所述电极单元的上方并与所述电极单元之间形成一过渡布气空间,且所述过渡布气空间分别与所述进气单元及所述布气通道连通。12.根据权利要求11所述的镀膜装置的进气系统,其中所述第一电极板上设置有一个或多个第一布气孔,所述气体通过所述第一布气孔由所述过渡布气空间进入所述布气通道。13.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:宗坚
申请(专利权)人:江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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