【技术实现步骤摘要】
技术介绍
计算机系统中的存储器可以设置成包括不同速度和大小的存储装置的存储器层次。存储器装置的类型和大小及其与处理器核心的邻近度是存储器装置的速度的因素。一般来说,较小的硬件较快,最靠近处理器核心的存储装置访问最快。由于快速存储器昂贵和处理器核心附近的空间有限,存储层次可组织成几级,每级比下一级更小、更快、每字节成本更贵。这种存储器层次的目的是提供一种其成本几乎与存储器的最便宜级一样低且其速度几乎与存储器的最快级一样快的存储器系统。许多处理器在高速缓存中储存最常用数据和指令的拷贝,以改进访问速度和总体的处理速度。高速缓冲存储器也称为高速缓存器或RAM(随机访问存储器)超高速缓冲存储器,是存储器的一部分,可由高速静态RAM(SRAM)构成,以替代通常用于主存储器中较慢的动态RAM(DRAM)。存储器高速缓存可以包括在如处理器那样的同一集成电路上。这种内部存储器高速缓存也称为局部或一级(L1)高速缓存。L1高速缓存的内容依赖由处理器执行的任务可进行修改。如果处理器试图访问不在高速缓存中数据,则发生高速缓存丢失,数据要从存储器中检索。高速缓存丢失涉及性能损失,它包括丢失发生的时钟周期和为丢失服务的附加时钟周期。因此,期望提供一种局部存储器如L1 RAM,来储存数据和指令,以改进访问速度和减少高速缓存丢失的损失。附图简要说明附图说明图1是根据一实施例的包括处理器核心和系统总线的系统。图2说明根据一实施例描述允许处理器核心进行写入局部指令存储器操作的流程图。图3是根据一实施例的包括处理器的系统。详细说明图1说明根据一实施例的系统100。该系统包括具有处理器核心105的处 ...
【技术保护点】
一种方法,其特征在于,所述方法包括把来自处理器核心的存储器访问通过与处理器核心相耦合的总线接口路由传送回到该处理器核心。
【技术特征摘要】
US 2001-12-28 10/040,9041.一种方法,其特征在于,所述方法包括把来自处理器核心的存储器访问通过与处理器核心相耦合的总线接口路由传送回到该处理器核心。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述路由传送包括确定在总线接口中重新路由传送线桥的状态;确定要被访问的存储器的地址;以及响应于所述线桥被使能和所述地址在局部存储器地址空间中,把总线上的访问放回处理器核心中。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定在总线接口中重新路由传送线桥的状态包括核对控制寄存器中线桥使能比特的状态。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括访问一局部存储器。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述访问局部存储器把指令写入局部指令存储器。6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述访问局部存储器包括访问1级(L1)SRAM(静态随机访问存储器)。7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述路由传送来自处理器核心的存储器访问包括路由传送来自数字信号处理器核心的存储器访问。8.一种设备,其特征在于,所述设备包括一处理器核心,它包括包括局部数据存储器和局部指令存储器在内的存储器;与局部数据存储器相耦合的第一端口,和与局部数据存储器和局部指令存储器相耦合的第二端口;一总线接口,它包括。与第一端口相耦合的第一总线;与第二端口相耦合的第二总线;在第一总线和第二总线之间的线桥;以及一多路复用单元,可操作地在第二总线和线桥之间切换,以使信息能放置在第一总线,被重新路由传送到第二端口。9.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述局部存储器具有地址空间,并进一步包括总线控制单元,响应于线桥使能标记被设置和与来自处理器核心的存储器访问相关联的存储器位置的地址落在局部存储器地址空间中,可操作地把多路复用器切换到线桥。10.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述局部存储器包括1级SRAM(静态随机访问存储器)。11.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述第一端口包括填充端口,且第一端口包括填充总线。12.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述第二端口包括DMA(直接存储器访问)控制器端口,且第二总线包括DMA总线。13.如权利要求8所述的设备,其特征在于,所述处理器核心进一步包括与第二端口相耦合的接口,所述接口可操作地访问局部数据存储器和局部指令存储器。14.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述接口可操作把指令写入局部指令存储器。15.一种制品,包括机器可读介质,该介质包括机器可读指令,其特征在于,该指令可操作地使机器通过与处理器核心相耦合的总线接口把来自处理器核心的存储器访问路由传送回到该处理器核心。16.如权利要求15所述的制品,其特征在于,所述可操作地使机器路由传送存储器访问的指令包括一些指令,这些指令可操作地确定总线接口中重新路由传送线桥的状...
【专利技术属性】
技术研发人员:MD特拉恩,JG雷维拉,
申请(专利权)人:英特尔公司,模拟设备股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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