线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构制造技术

本发明专利技术提供一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一升降模块，又每一第一升降模块，其具有：第一支撑件，其环绕固设于第一反应腔室的外围；及多个第一升降件，其上、下滑动结合于第一支撑件上；以及第一线圈模块，其固设于第一升降件。借由本发明专利技术的实施，可以动态的完成反应腔室壁体上，各不同部位沉积物的清理。

【技术实现步骤摘要】
线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构
本专利技术为一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，特别是用于半导体蚀刻工艺的线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构。
技术介绍
对感应耦合电浆(InductivelyCoupledPlasma，ICP，也称为电感耦合等离子体)而言，线圈的位置及长度是很重要的。一旦线圈的长度及位置被固定后，就不会再变动，因此电浆浓度的均匀度，电子温度分布，对反应腔体内局部损害的位置与程度都会固定。如图1所示，当蚀刻机(也称为刻蚀机)被使用一段时间后，在反应腔室的壁体上，就会有电浆反应后的聚合物的沉积(图中深色区域P101)，又相关聚合物的沉积，将会造成反应腔室内工艺参数的失真，此外当聚合物沉积的厚度逐渐增加后，反应腔室内杂质微粒的准位也将随之升高，也因此产生严重影响良率的问题。现有感应耦合电浆蚀刻机，特别是在使用干式清理(dryclean)的时候，由于线圈的位置是固定在同一个位置，因此聚合物被清除的部位(图中浅色区域P102)，也受到了限制，造成反应腔室无法被有效的清理。
技术实现思路
本专利技术为一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，其主要是要解决如何借由动态线圈位置的调整，以有效完成反应腔室壁体上，沉积物清理的问题。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一升降模块，又每一第一升降模块，其具有：第一支撑件，其环绕固设于第一反应腔室的外围；及多个第一升降件，其上、下滑动结合于第一支撑件上；以及第一线圈模块，其固设于第一升降件。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的蚀刻机结构，其中该第一支撑件具有第一滑轨，又该第一升降件具有第一滑道，又该第一滑道可上、下滑动结合于该第一滑轨上。前述的蚀刻机结构，其中该第一升降件具有第一固定单元，该第一线圈模块固设于该第一固定单元。前述的蚀刻机结构，其中该第一支撑件与其结合该些第一升降件间，进一步设有第一子升降件，其上、下滑动结合于该第一支撑件上，又该些第一升降件，分别上、下滑动结合于该些第一子升降件上。前述的蚀刻机结构，其中该第一子升降件具有第一子滑道及第一子滑轨，又该第一子滑道与该第一滑轨相结合，又该第一子滑轨与该第一滑道相结合。前述的蚀刻机结构，其进一步具有：第二电浆反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；多个第二升降模块，又每一第二升降模块，其具有：第二支撑件，其环绕固设于该第二反应腔室的外围；及多个第二升降件，其上、下滑动结合于该第二支撑件；以及第二线圈模块，其固设于该第二升降件。前述的蚀刻机结构，其中该第二支撑件具有第二滑轨，又该第二升降件具有第二滑道，又该第二滑道可上、下滑动结合于该第二滑轨上。前述的蚀刻机结构，其中该第二升降件具有第二固定单元，该第二线圈模块固设于该第二固定单元。前述的蚀刻机结构，其中该第二支撑件与其结合该些第二升降件间，进一步设有第二子升降件，其上、下滑动结合于该第二支撑件上，又该些第二升降件，分别上、下滑动结合于该些第二子升降件上。前述的蚀刻机结构，其中该第二子升降件具有第二子滑道及第二子滑轨，又该第二子滑道与该第二滑轨相结合，又该第二子滑轨与该第二滑道相结合。借由本专利技术的实施，至少可以达成下列的进步功效：一、可以动态的完成反应腔室，不同壁体位置上沉积物的清理。二、可以降低反应腔室内的杂质微粒的准位。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1为现有蚀刻机使用一段时间后其反应腔的内部实况图；图2A为线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构态样一的分解实施例图；图2B为图2A的立体结合实施例图；图3A为蚀刻机结构态样一增加第一子升降件的分解实施例图；图3B为图3A的立体结合实施例图；图4A为线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构态样二的分解实施例图；图4B为图4A的立体结合实施例图；图5A为蚀刻机结构态样二增加第二子升降件的分解实施例图；图5B为图5A的立体结合实施例图；图6为反应腔室内电子温度分布的半边模拟图；图7为线圈位于第一位置的清理状态模拟图；图8为线圈位于第二位置的清理状态模拟图；以及图9为线圈平均分散的清理状态模拟图。【符号说明】P101：深色区域P102：浅色区域100：线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构态样一110：第一电浆反应腔体111：第一反应腔室120：第一升降模块121：第一支撑件121a：第一滑轨122：第一升降件122a：第一滑道122b：第一固定单元130：第一线圈模块140：第一子升降件140a：第一子滑道140b：第一子滑轨200：线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构态样二210：第二电浆反应腔体211：第二反应腔室220：第二升降模块221：第二支撑件222：第二升降件221a：第二滑轨222a：第二滑道222b：第二固定单元230：第二线圈模块240：第二子升降件240a：第二子滑道240b：第二子滑轨30：线圈A：A区域B：B区域C：C区域具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。如图2A至图3B所示，本实施例为一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构态样一100，其包括：第一电浆反应腔体110；多个第一升降模块120；以及第一线圈模块130。第一电浆反应腔体110，例如是可以完成蚀刻工艺的电浆反应腔体，又第一电浆反应腔体110具有第一反应腔室111。第一升降模块120，主要用以支撑、调整、及设定线圈30的高度及位置，又每一第一升降模块120，其具有：第一支撑件121；及多个第一升降件122。第一支撑件121，其环绕固设于第一反应腔室111的外围，又每一第一支撑件121可具有第一滑轨121a。第一升降件122，其可具有第一滑道122a及第一固定单元122b，第一滑道122a可上、下滑动结合于第一支撑件121的第一滑轨121a上，第一滑道122a与第一滑轨121a间可设计成具有一定的阻尼效果，藉此有效的产生定位功效；又第一线圈模块130固设于第一固定单元122b上，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，其特征在于包括：/n第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；/n多个第一升降模块，又每一第一升降模块，其具有：/n第一支撑件，其环绕固设于该第一反应腔室的外围；及/n多个第一升降件，其上、下滑动结合于该第一支撑件上；以及/n第一线圈模块，其固设于该第一升降件。/n

【技术特征摘要】
1.一种线圈垂直位置可动态调整的蚀刻机结构，其特征在于包括：
第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；
多个第一升降模块，又每一第一升降模块，其具有：
第一支撑件，其环绕固设于该第一反应腔室的外围；及
多个第一升降件，其上、下滑动结合于该第一支撑件上；以及
第一线圈模块，其固设于该第一升降件。


2.如权利要求1所述的蚀刻机结构，其特征在于，该第一支撑件具有第一滑轨，又该第一升降件具有第一滑道，又该第一滑道可上、下滑动结合于该第一滑轨上。


3.如权利要求1所述的蚀刻机结构，其特征在于，该第一升降件具有第一固定单元，该第一线圈模块固设于该第一固定单元。


4.如权利要求1所述的蚀刻机结构，其特征在于，该第一支撑件与其结合该些第一升降件间，进一步设有第一子升降件，其上、下滑动结合于该第一支撑件上，又该些第一升降件，分别上、下滑动结合于该些第一子升降件上。


5.如权利要求4所述的蚀刻机结构，其特征在于，该第一子升降件具有第一子滑道及第一子滑轨，又该第一子滑道与该第一滑轨相结合，又该第一子滑轨与该第一滑道相结合。


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【专利技术属性】
技术研发人员：林志隆，蔡兆哲，陈俊龙，
申请(专利权)人：聚昌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71