一种陶瓷基板及其加工方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种陶瓷基板及其加工方法和应用，所述陶瓷基板的加工方法包括大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。通过以上方式，本发明专利技术陶瓷基板的加工方法，通过将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放产生的应力，避免多次CNC加工后应力累积，而造成产生大的应力，减少时效时间，且最后制得的产品质量一致性好，产品良率高。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷基板及其加工方法和应用
本申请属于陶瓷加工方法
，具体涉及一种陶瓷基板及其加工方法和应用。
技术介绍
陶瓷材料由于其良好的绝缘性能、优异的导热性、低介电损耗、高强度和高化学稳定性，在功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等方面有重要应用。陶瓷材料在加工过程中会产生内应力，造成陶瓷材料加工周缘出现变形、裂痕等现象，且陶瓷本质的脆性限制了其大的应变特性的发挥，易产生疲劳性损伤，降低了其使用可靠性。现有技术中，为了消除加工应力从而消除变形，对加工完成后变形的陶瓷产品退火处理即时效处理，但是退火对形变量的改善作用有限，变形较为严重的陶瓷产品经过一次时效处理仍不能消除应变，需要多次时效处理，甚至是多次时效处理之后也达不到需要的尺寸精度。鉴于此，提供一种新的陶瓷基板及其加工方法和应用以解决现有技术存在的缺陷。
技术实现思路
本申请的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种陶瓷基板及其加工方法和应用。本申请的目的可通过以下的技术措施来实现：为了实现上述目的，本申请提供了一种陶瓷基板加工方法，所述加工方法包括：大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。优选的，所述退火处理过程中，从室温升温到1050℃，升温过程为4.5-5.5h，且在1050℃保温0.5-1.5h。优选的，所述采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽，包括：对所述基板坯体先加工出所述矩形槽的内切圆，再沿内切圆的外围进行修整形成所述矩形槽。优选的，所述大水磨粗磨基板坯体的两个表面包括粗磨所述基板坯体的第一表面和第二表面磨至比预设陶瓷基板的厚度厚0.1mm；将粗磨好的基本坯体在灯光下照射至全反光。优选的，所述矩形槽的深度为0.1mm。本专利技术还提供一种陶瓷基板，所述陶瓷基板采用以上任一所述方法制备而成。本专利技术还提供一种壳体，所述壳体采用以上所述陶瓷基板制备而成。本专利技术还提供一种电子终端，所述电子终端包括以上所述壳体。本申请的有益效果为提供了一种陶瓷基板及其加工方法和应用，所述陶瓷基板的加工方法包括大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。通过以上方式，本专利技术陶瓷基板的加工方法，通过将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放产生的应力，避免多次CNC加工后应力累积，而造成产生大的应力，减少时效时间，且最后制得的产品质量一致性好，产品良率高。附图说明图1是本申请实施例陶瓷基板加工方法的流程示意图。图2是本申请实施例陶瓷基板加工方法的流程结构示意图。具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对本申请的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本申请具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其它具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请结合图1和图2，进一步解释说明本专利技术实施例陶瓷基板加工方法。本专利技术加工方法具体包括以下步骤：步骤S100，大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面。步骤S200，采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；步骤S300，对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；步骤S400，采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。可选的，步骤S300的退火处理过程中，具体操作为：从室温升温到1050℃，升温过程持续4.5-5.5h，且在温度达到1050℃后保温0.5-1.5h，保温完成后梯度降温并随炉冷却至室温。可选的，在步骤S100中，所述大水磨粗磨基板坯体的两个表面包括粗磨所述基板坯体的第一表面和第二表面磨至比预设陶瓷基板的厚度厚0.1mm；将粗磨好的基本坯体在灯光下照射至全反光。其中，预设陶瓷基板的厚度即为需要获得的陶瓷基板厚度，例如需要获得陶瓷基板厚度为0.5mm，原来的提供的陶瓷基板坯体为0.8mm，则通过大水磨厚度为0.8mm陶瓷基本坯体的两个相对的表面，磨至陶瓷基板坯体厚度为0.6mm。具体的，以上方法中提供的陶瓷基板坯体厚度比较薄，约为0.7mm-2mm，最后在基本坯体内形成的矩形槽的深度也较浅，约为0.1mm。基板坯体两个相对的表面大水磨至一定厚度，此时陶瓷基板坯体的两个表面产生应力层，对基板坯体进行一次加工以切出外轮廓时陶瓷基板坯体表面会残留应力层；这时若还继续CNC二次加工铣矩形槽，应力不断累积，会对陶瓷基体坯体产生很大的形变量后续再进行退火处理起来，处理时间会变长，且效果不佳。且CNC加工产生应力会低于大水磨形成的应力，主要是因为大水磨是转轴速度慢，刀移动速度快；而CNC是转轴速度快，刀移动速度慢。且方形槽的深度只有0.1mm，产生的应力较小，因此将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放大水磨和第一次CNC加工后形成的应力抚平翘曲，可以减少研磨抛光产生坑点的情况，且后续二次CNC加工应力小，产生形变可能性低且形变量不大，另外退火处理的时间也大大缩小。在一个可选的实施方式中，步骤S400中采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽，具体步骤包括：对退火处理后的基板坯体先加工出内切圆，再沿内切圆的外围进行修整形成矩形槽。其中，内切圆根据原定大小的矩形槽的大小决定，其直径为与矩形槽的短边长度相同，且与矩形槽的长边相切。加工矩形槽，先加工出内切圆，再进行修整成需要尺寸的矩形槽，有利于减少成型矩形槽的加工应力。CNC二次加工中先形成矩形槽对应的内切圆然后对内切圆进行修整成矩形槽，产生的应力比较小，圆形加工形成的应力可以沿着圆周辐射释放，从而残留在陶瓷产品上的应力就很小，产生的形变很小，或者没有产生形变，保证陶瓷的加工精度。本专利技术实施例陶瓷基板的加工方法，通过将退火处理设置于两次CNC加工之间，能够及时释放产生的应力，避免多次CNC加工后应力累积，而造成产生大的应力，减少时效时间，且最后制得的产品质量一致性好，产品良率高。基于以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷基板加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：/n大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；/n采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；/n对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；/n采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基板加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：
大水磨粗磨陶瓷基板坯体的第一表面和第二表面；
采用CNC加工中心对所述基板坯体进行一次加工以切出外轮廓；
对一次加工后的所述基板坯体进行退火处理；
采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽。


2.如权利要求1所述的陶瓷基板加工方法，其特征在于，所述退火处理过程中，从室温升温到1050℃，升温过程为4.5-5.5h，且在1050℃保温0.5-1.5h。


3.如权利要求1所述的陶瓷基板加工方法，其特征在于，所述采用CNC加工中心对所述基板坯体进行二次加工以切出矩形槽，包括：对所述基板坯体先加工出所述矩形槽的内切圆，再沿内切圆的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：冼锐伟，杨青松，秦宏友，廖小龙，刘楷，李方伟，毕倩兰，徐信林，李禅，吴沙鸥，李毅，
申请(专利权)人：深圳陶陶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44