负载短路保护装置制造方法及图纸

本申请提供一种负载短路保护装置，包括负载模块、驱动管模块和降压模块。负载模块的输入端用于和外部电源电连接；驱动管模块的第一输入端与负载模块的输出端连接，驱动管模块的第二输入端用于接收脉冲电压信号，脉冲电压信号用于提供导通电压，导通电压用于导通驱动管模块；降压模块的输入端与驱动管模块的输出端连接，降压模块的第一输出端接地，降压模块的第二输出端与驱动管模块的第二输入端连接；降压模块用于降低驱动管模块的第二输入端的电压，以使驱动管模块处于截止状态。该负载短路保护装置可以解决现有技术在进行负载短路保护时存在的保护不及时，易造成器件损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
负载短路保护装置
本申请涉及电路保护技术，尤其涉及一种负载短路保护装置。
技术介绍
在日常生活中，电风扇、电冰箱、空调等这些家用电器都属于感性负载，这些感性负载与直流电源连接。相应的，为了保证感性负载的正常运行，会在感性负载与直流电源连接的一端的另一端串联半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor，简称MOS管)以及和MOS管关联的电路，并在感性负载的两端并联反向的二极管作为续流回路，用以消除和降低感性负载在运行过程中产生的反电势。但是，感性负载若出现短路故障，即感性负载从某一固定阻抗变为阻抗很小，接近于0阻抗的状态时，如果没有保护措施，在MOS管上就会产生很大的短路电流，过大的短路电流会导致MOS管或与MOS管关联的电路中的器件损坏，严重时还会引起火灾等恶性事件。因此，在感性负载短路时进行短路保护一直是研究中的重点。现有技术在进行负载短路保护时，需要在与感性负载串联的MOS管端再串联电阻，该电阻可以称为过流抑制电阻，该过流抑制电阻用于抑制负载短路造成的MOS管的过流以及与MOS管关联的电路中器件的过流。但是，使用现有技术的设计在进行负载短路保护时，存在保护不及时，易造成器件损坏的问题。
技术实现思路
本申请提供一种负载短路保护装置，用以解决在进行负载短路保护时，现有技术存在保护不及时，易造成器件损坏的问题。一方面，本申请提供一种负载短路保护装置，包括：负载模块，所述负载模块的输入端用于和外部电源电连接；驱动管模块，所述驱动管模块的第一输入端与所述负载模块的输出端连接，所述驱动管模块的第二输入端用于接收脉冲电压信号，所述脉冲电压信号用于提供导通电压，所述导通电压用于导通所述驱动管模块；降压模块，所述降压模块的输入端与所述驱动管模块的输出端连接，所述降压模块的第一输出端接地，所述降压模块的第二输出端与所述驱动管模块的第二输入端连接；所述降压模块用于降低所述驱动管模块的第二输入端的电压，以使所述驱动管模块处于截止状态。其中一项实施例中，所述装置还包括：信号生成模块，所述信号生成模块的输入端与所述降压模块的第三输出端连接，所述信号生成模块的输出端用于生成负载短路信号并将所述负载短路信号输出至控制模块；所述控制模块，与所述驱动管模块的第二输入端连接，与所述信号生成模块的输出端连接，所述控制模块用于接收所述负载短路信号，并根据所述负载短路信号切断所述脉冲电压信号。其中一项实施例中，所述驱动管模块包括：半导体场效应晶体管，所述半导体场效应晶体管的第一输入端为所述驱动管模块的第一输入端，所述半导体场效应晶体管的输出端为所述驱动管模块的输出端；供流电源，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述供流电源用于为所述半导体场效应晶体管提供电流；驱动电压单元，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述驱动电压单元的输入端为所述驱动管模块的第二输入端，所述驱动电压单元的输出端与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接；所述驱动电压单元用于接收所述脉冲电压信号并导通所述半导体场效应晶体管。其中一项实施例中，所述降压模块包括：电阻R1，一端与所述MOS管的输出端连接，另一端接地；三极管Q1，所述电阻R1的一端与所述三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与所述MOS管的输出端连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述三极管Q1的集电极与所述驱动电压单元的输入端连接。其中一项实施例中，所述降压模块还包括：灵敏度调节单元，包括电阻R2和电阻R3，所述电阻R2的一端与所述MOS管的输出端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地；所述电阻R3的两端分别连接于所述三极管Q1的基极和发射极。其中一项实施例中，所述装置还包括：截止二极管D1，所述截止二极管D1的正极与所述驱动电压单元的输入端连接，所述截止二极管D1的负极与所述三极管Q1的集电极连接。其中一项实施例中，所述信号生成模块包括：比较器，所述比较器的正极输入端与所述三极管Q1的集电极连接；正极供压单元，与所述比较器的正极输入端连接，用于为所述比较器的正极输入端提供电压，所述正极供压单元的输出端与所述三极管Q1的集电极连接；负极供压单元，与所述比较器的负极输入端连接，用于为所述比较器的负极输入端提供固定电压值；信号输出供压单元，与所述比较器的输出端和所述控制模块连接，所述信号输出供压单元用于结合所述比较器的输出端输出的信号，向所述控制模块输送所述负载短路信号。其中一项实施例中，所述正极供压单元包括：第一供电电源，与所述比较器的正极输入端连接。其中一项实施例中，所述装置还包括：截止二极管D2，所述截止二极管D2的正极与所述第一供电电源连接，所述截止二极管的负极与所述三极管Q1的集电极连接。其中一项实施例中，所述装置还包括：滤波电容C，所述滤波电容C的一端与所述截止二极管D2的正极连接，所述滤波电容C的另一端接地。其中一项实施例中，所述负极供压单元包括：第二供电电源；稳压二极管，所述稳压二极管的第一端与所述第二供电电源和所述比较器的负极输入端连接，所述稳压二极管的第二端与所述第二供电电源连接，所述稳压二极管的第三端接地；电阻R6，一端与所述第二供电电源连接，另一端与所述稳压二极管的第一端和所述稳压二极管的第二端连接。其中一项实施例中，所述信号输出供压单元包括：第三供电电源；电阻R7，一端与所述第三供电电源连接，另一端与所述比较器的输出端连接，且电阻R7的另一端与所述控制模块连接。其中一项实施例中，所述装置还包括：电阻R8，一端与所述比较器的正极输入端连接，另一端与所述比较器的输出端连接。本申请提供的负载短路保护装置，通过所述降压模块降低所述驱动管模块的导通电压，从而使所述驱动管模块处于未导通状态，即截止状态，切断了驱动管模块实现了负载短路的保护。所述驱动管模块不会再有过大的电流经过，则所述负载模块中的负载短路不会再造成所述驱动管模块的器件损坏。本申请提供的负载短路保护装置可以在负载短路时立即降低所述驱动管模块的输入电压，导致所述驱动管模块即刻处于截止状态。因此，本申请提供的负载短路保护装置可以解决现有技术在进行负载短路保护时存在的保护不及时，易造成器件损坏的问题。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。图1为本申请的一个实施例提供的负载短路保护装置的示意图。图2为本申请的又一个实施例提供的负载短路保护装置的示意图。图3为本申请的另一个实施例提供的负载短路保护装置的示意图。图4为本申请的又一个实施例提供的负载短路保护装置的示意图。附图标号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负载短路保护装置，其特征在于，包括：/n负载模块，所述负载模块的输入端用于和外部电源电连接；/n驱动管模块，所述驱动管模块的第一输入端与所述负载模块的输出端连接，所述驱动管模块的第二输入端用于接收脉冲电压信号，所述脉冲电压信号用于提供导通电压，所述导通电压用于导通所述驱动管模块；/n降压模块，所述降压模块的输入端与所述驱动管模块的输出端连接，所述降压模块的第一输出端接地，所述降压模块的第二输出端与所述驱动管模块的第二输入端连接；所述降压模块用于降低所述驱动管模块的第二输入端的电压，以使所述驱动管模块处于截止状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种负载短路保护装置，其特征在于，包括：
负载模块，所述负载模块的输入端用于和外部电源电连接；
驱动管模块，所述驱动管模块的第一输入端与所述负载模块的输出端连接，所述驱动管模块的第二输入端用于接收脉冲电压信号，所述脉冲电压信号用于提供导通电压，所述导通电压用于导通所述驱动管模块；
降压模块，所述降压模块的输入端与所述驱动管模块的输出端连接，所述降压模块的第一输出端接地，所述降压模块的第二输出端与所述驱动管模块的第二输入端连接；所述降压模块用于降低所述驱动管模块的第二输入端的电压，以使所述驱动管模块处于截止状态。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
信号生成模块，所述信号生成模块的输入端与所述降压模块的第三输出端连接，所述信号生成模块的输出端用于生成负载短路信号并将所述负载短路信号输出至控制模块；
所述控制模块，与所述驱动管模块的第二输入端连接，与所述信号生成模块的输出端连接，所述控制模块用于接收所述负载短路信号，并根据所述负载短路信号切断所述脉冲电压信号。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述驱动管模块包括：
半导体场效应晶体管，所述半导体场效应晶体管的第一输入端为所述驱动管模块的第一输入端，所述半导体场效应晶体管的输出端为所述驱动管模块的输出端；
供流电源，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述供流电源用于为所述半导体场效应晶体管提供电流；
驱动电压单元，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述驱动电压单元的输入端为所述驱动管模块的第二输入端，所述驱动电压单元的输出端与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接；所述驱动电压单元用于接收所述脉冲电压信号并导通所述半导体场效应晶体管。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述降压模块包括：
电阻R1，一端与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，另一端接地；
三极管Q1，所述电阻R1的一端与所述三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述三极管Q1的集电极与所述驱动电压单元的输入端连接。


5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述降压模块还包括：
灵敏度调节单元，包括电阻R2和电阻R3，所述电阻R2的一端与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钰玺，张瑞臻，石军，
申请(专利权)人：诸暨兴大豪科技开发有限公司，北京大豪科技股份有限公司，北京大豪工缝智控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33