一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片，包括：氮化铝基板、电阻件、正电极接片、正接地线、背部接地导体、端接地和焊盘；所述氮化铝基板上设置有电阻件；所述正电极接片覆盖于电阻件，使电阻件内部相串联；所述正接地线包括两个对称设置的接地导线；两个所述接地导线的端部向所述氮化铝基板中心弯折90°，且两接地导线的端部留有间隙；所述氮化铝基板的背面设置有背部接地导体和焊盘；所述氮化铝基板的两侧设置有端接地，且端接地连接于所述氮化铝基板上的正电极接片、背部接地导体和焊盘。本申请通过将两个接地导线对称设置，并向内折叠，接地导线采用半包围设计，可以通过介质效应调整电路的衰减精度。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片
本技术涉及基站通讯
，尤其是涉及一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，并对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用。5G通信基站中，因为其信号的通道数远远高于4G通信基站(4G通信基站的信号通道一般为2路或者4路)，所以其要求产品满足小尺寸大功率的要求，且因5G频率的要求偏高，所以要求产品的使用频率需要满足6.0GHz的要求。目前5G通信基站中因前期64路通道设计应用较多，所以目前的功率衰减片的尺寸为2.5*5.0*0.635mm，功率容量满足20瓦，其使用频率可以满足1.5～5GHz。满足不了功率30W，短时间耐功率要求达到50W，其使用频率满足DC～6GHz的条件。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片。为实现上述目的，本技术采用以下内容：一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片，包括：氮化铝基板、电阻件、正电极接片、正接地线、背部接地导体、端接地和焊盘；所述氮化铝基板上设置有电阻件；所述正电极接片覆盖于电阻件，使电阻件内部相串联；所述正接地线包括两个对称设置的接地导线；两个所述接地导线的端部向所述氮化铝基板弯折90°，且两接地导线的端部留有间隙；所述氮化铝基板的背面设置有背部接地导体和焊盘；所述氮化铝基板的两侧设置有端接地，且端接地连接于所述氮化铝基板上的正电极接片、背部接地导体和焊盘。优选的是，所述电阻件包括第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述第一电阻和第二电阻、所述第二电阻和第三电阻之间通过正电极接片连接，使第一电阻、第二电阻和第三电阻之间串联；所述第一电阻和第三电阻分别对应设置于两个所述接地导线的一侧，且两个所述接地导线的端部弯折于所述第一电阻和所述第三电阻之间。优选的是，所述电阻件上覆盖有绿色保护膜。优选的是，所述绿色保护膜上方设置有黑色保护膜。优选的是，所述背部接地导体呈T型，并设置于所述氮化铝基板的背部中心。优选的是，所述焊盘的数量为两个，并设置于背部接地导体的两侧。优选的是，所述端接地固设于所述氮化铝基板的两侧，且端接地的顶部向所述氮化铝基板的表面弯折，接触于所述电阻件和所述正接地线。本技术具有以下优点：1、本申请通过将两个接地导线对称设置，并向内折叠，接地导线采用半包围设计，可以通过介质效应调整电路的衰减精度。2、本申请通过分离式串联电阻，满足了衰减功率消耗原理。3、本申请丰富了5G基站建设中衰减片的的产品线，使得有更多的衰减片类型，满足不同的5G基站设计需要，让5G基站的设计中衰减片的选择具有更大的选择性。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图1是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片结构示意图。图2是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片电阻件和正电极接片结构示意图。图3是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片绿色保护膜结构示意图。图4是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片黑色保护膜结构示意图。图5是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片侧视图。图6是本技术的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片仰视图。图中，各附图标记为：1-氮化铝基板，2-电阻件，201-第一电阻，202-第二电阻，203-第三电阻，3-正电极接片，4-正接地线，401-接地导线，5-背部接地导体，6-端接地，7-焊盘，8-绿色保护膜，9-黑色保护膜。具体实施方式为了更清楚地说明本技术，下面结合优选实施例对本技术做进一步的说明。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。如图1至6所示，一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片包括：氮化铝基板1、电阻件2、正电极接片3、正接地线4、背部接地导体5、端接地6和焊盘7；氮化铝基板1的尺寸为2.5*5*0.762mm，所述氮化铝基板1上设置有电阻件2；所述电阻件2包括第一电阻201、第二电阻202和第三电阻203；所述第一电阻201和第二电阻202、所述第二电阻202和第三电阻203之间通过正电极接片3连接，使第一电阻201、第二电阻202和第三电阻203之间串联；所述第一电阻201和第三电阻203分别对应设置于两个所述接地导线401的一侧，且两个所述接地导线401的端部弯折于所述第一电阻201和所述第三电阻203之间。可以理解的是，第一电阻、第二电阻和第三电阻形成TT型电路，第二电阻的尺寸采用0.425*1.65mm。三个电阻分离式设计，通过正电极接片，其位置呈T型，所以构成了TT型电路，第一电阻作为输入端，第三电阻为输出端。进一步地，所述电阻件2上覆盖有绿色保护膜8，绿色保护膜8调阻完成后，对调试口进行封口，保护电阻。进一步地，所述绿色保护膜8上方设置有黑色保护膜9，保护衰减片的内部电路。绿色保护膜8和黑色保护膜9的厚度为9-14μm。进一步地，所述正电极接片3覆盖于电阻件2，使电阻件2内部相串联。进一步地，所述正接地线4包括两个对称设置的接地导线401；两个所述接地导线401的端部向所述氮化铝基板1中心弯折90°，且两接地导线401的端部留有间隙；两个接地导线401形成了半包围设计，能够通过介质效应调整电路的衰减精度。进一步地，所述氮化铝基板1的背面设置有背部接地导体5和焊盘7。进一步地，所述背部接地导体5呈T型，并设置于所述氮化铝基板1的背部中心。所述焊盘7的数量为两个，并设置于背部接地导体5的两侧。进一步地，所述氮化铝基板1的两侧设置有端接地6，且端接地6连接于所述氮化铝基板1上的正电极接片3、背本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片，其特征在于，包括：氮化铝基板、电阻件、正电极接片、正接地线、背部接地导体、端接地和焊盘；所述氮化铝基板上设置有电阻件；所述正电极接片覆盖于电阻件，使电阻件内部相串联；所述正接地线包括两个对称设置的接地导线；两个所述接地导线的端部向所述氮化铝基板中心弯折90°，且两接地导线的端部留有间隙；所述氮化铝基板的背面设置有背部接地导体和焊盘；所述氮化铝基板的两侧设置有端接地，且端接地连接于所述氮化铝基板上的正电极接片、背部接地导体和焊盘。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片，其特征在于，包括：氮化铝基板、电阻件、正电极接片、正接地线、背部接地导体、端接地和焊盘；所述氮化铝基板上设置有电阻件；所述正电极接片覆盖于电阻件，使电阻件内部相串联；所述正接地线包括两个对称设置的接地导线；两个所述接地导线的端部向所述氮化铝基板中心弯折90°，且两接地导线的端部留有间隙；所述氮化铝基板的背面设置有背部接地导体和焊盘；所述氮化铝基板的两侧设置有端接地，且端接地连接于所述氮化铝基板上的正电极接片、背部接地导体和焊盘。


2.根据权利要求1所述的一种大功率5G应用30W瓦贴片衰减片，其特征在于，所述电阻件包括第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述第一电阻和第二电阻、所述第二电阻和第三电阻之间通过正电极接片连接，使第一电阻、第二电阻和第三电阻之间串联；所述第一电阻和第三电阻分别对应设置于两个所述接地导线的一侧，且两个所述接地导线的端部弯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32